国家标准《微波半导体集成电路混频器》(征求意见稿)编制说明
1工作简况
1.1任务来源
本项目是国家质量基础（NQI）项目中的一项。
本国家标准的制定任务已列入2018年国家标准制修订项目，项目名称为《微波半导体集成电路混频器》，项目编号为：20192060-T-339。
本标准由中国电子技术标准化研究院负责组织制定，标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（TC78/SC2）。
1.2起草单位简介
中国电子技术标准化研究院是工业和信息化部直属事业单位，专业从事工业和电子信息技术领域标准化科研工作。
中国电子技术标准化研究院紧紧围绕部中心工作，立足标准化工作核心，研究工业和电子信息技术领域标准化发展战略，提出相关规划和政策建议；组织建立和完善电子信息、软件服务等领域技术标准体系，开展共性、基础性标准的研究制定和应用推广；承担电子产品的试验检测、质量控制和技术评价、质量监督检查和质量争议鉴定等工作；负责电子工业最高计量标准的建立、维护和量值传递工作；开展管理体系认证、产品认证、评估服务等相关活动；建立和维护标准信息资源，开展标准信息服务、技术咨询评估和培训活动。
1.3主要工作过程
接到编制任务，项目牵头单位中国电子技术标准化研究院成立了标准编制组，中国电子科技集团公司第十三研究所、成都亚光电子股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第三十八研究所、中国航天科工集团第三十五研究所等相关单位参与标准编制工作。
编制组落实了各单位职责，并制定编制计划。
编制组查找了国际、国内集成电路相关标准，认真研究了现行集成电路标准体系和相关标准技术内容，在此基础上形成了标准草案。
2标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题
2.1本标准制定原则
本标准遵循“科学性、实用性、统一性、规范性”的原则进行编制，依据GB/T 1.1-2009规则起草，确立了标准范围、规范性引用文件、术语和定义、分类、技术要求、电特性测试方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等一系列混频器的技术指标。
2.2标准的主要内容与依据
2.2.1本标准的定位
目前我国集成电路相关标准主要有GB/T 12750-2006《半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》、GB/T 16464-1996《半导体器件集成电路第1部分：总则》以及GB/T 4589.1-2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》等，上述标准均等同转化IEC TC47/SC47A相关标准。
本标准拟作为“半导体集成电路分规范”（GB/T 12750-2006）下的“分规范”，高于空白详细规范，同时拟将GB/T 12750提升为“总规范”，即半导体集成电路的产品规范规划为：产品总规范、分规范、空白详细规范和详细规范四个层次。
本规范规定了混频器的参数指标体系，并规定产品分类、检验规则、参数测试方法、标志、包装、贮存、运输等要求，作为混频器产品研制的指导文件。
2.2.2关于引用文件
GB/T 4937-1995为《半导体器件机械和气候试验方法》，参照IEC 60749老版制定。
目前IEC 60749已经作为系列试验方法标准拆分为30余项单独试验方法标准，如IEC 60749-1《半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则》、IEC 60749-2《半导体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压》、IEC 60749-3《半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检》等。
本标准制定过程中，已有部分IEC 60749-××的试验方法标准转化为GB/T4937.×-20××，第2章引用文件中进行了引用，而未转化的标准，则根据IEC 60749标准编号预先给出GB/T 4937.XX-20××的标准编号。
2.2.3术语和定义
术语和定义执行GJB 9387-2018的规定。
2.2.4分类
根据混频器功能，分为上变频器、下变频器；按封装分为空封、非空封。
2.2.5技术要求
对混频器的电特性、封装特性、其他特性指标进行了详细规定，其中电特性包括动态特性；封装特性包括外形图、热阻、耐焊接热、回流焊曲线等；其他特性包括工作温度范围、贮存温度范围、输入或输出电路功能框图、ESD、绝对最大额定值和推荐工作条件，用于指导编制详细规范。
2.2.6电特性测试方法
关于测试方法，直接采用GJB 9387-2018《微波混频器测试方法》。
2.2.7检验规则
按照GB/T 4589.1-2006《半导体器件第1部分：分立器件和集成电路总规范》的规定，
将混频器根据质量要求划分为3类：Ⅰ类、Ⅱ类、Ⅲ类。
根据GB/T 12750-2006的规定，混频器的质量保证要求包括筛选、鉴定和质量一致性检验，其中鉴定检验由质量一致性检验的A、B、C、D组构成。
部分试验项目和试验条件按照目前行业实际情况进行了如下调整：
a）增加B9分组键合强度试验（仅适用于空封器件）；
b）删除C2a分组环境温度下的电特性和C2b分组最高和最低工作温度下的电特性；
c）C2c分组电额定值验证明确为ESD；
d）C5分组中非空封器件的稳态湿热试验改为强加速稳态湿热，试验条件改为130℃，85%RH，96h/110℃，85%RH，264h；
e）增加C12分组内部水汽含量试验（仅适用于空封器件）。
2.2.8标志
按照GB/T 4589.1-2006的规定，规定了混频器封装上、包装上和芯片上的标志。
2.2.9包装、运输、贮存
规定了内包装、外包装、运输和贮存条件。
3主要试验（或验证）情况分析
无。
4知识产权说明
无。
5采用国际标准和国外先进标准情况
编制组查找了相关国际标准，我国集成电路、半导体器件的标准体系是按照IEC TC47（半导体器件）、SC47A（集成电路）建立的，分为总规范、分规范、空白详细规范三个层次：
IEC 60747-10:1991 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范（idt GB/T 4589.1-2006）
IEC 60748-11:1990 半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）（idt GB/T 12750-2006）
IEC 60747-10:1991 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范（idt GB/T 4589.1-2006）
上述三项标准都在上世纪90年代初制定，至今已有近30年的时间，IEC TC47和SC47A已经多次确认上述的标准的适用性，不少国家已表示不再使用该系列标准，而是采用JEDEC制定的JESD47《集成电路鉴定试验程序》为集成电路民品、工业品质量考核标准。
目前我国仍使用上述三项标准，但技术内容已陈旧落后需要更新技术内容。
本标准在制定过程中参考了上述三项标准的部分技术内容，并进行了部分技术内容的更新。
6与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性
本标准不违反现行的法律、法规和规章。
与GB/T 12750-2006《半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》、GB/T 16464-1996《半导体器件集成电路第1部分：总则》以及GB/T 4589.1-2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》协调一致，本标准可以作为目前国家标准体系的补充，健全现有的标准体系。
7重大分歧意见的处理经过和依据
无。
8标准性质的建议
本国家标准属于基础性标准，建议本标准草案通过审查后作为推荐性国家标准发布。
9贯彻标准的要求和措施建议
无。
10替代或废止现行相关标准的建议
无。
11其他应予说明的事项
无。