1、分析四探针法方块电阻测试误差来源，指出
Rsh


㏑2

V23 I
与
Rsh
C V23 I
区别与条件是什么？
2、比较二探针法和四探针法测量有何不同
ห้องสมุดไป่ตู้
方块电阻测试介绍
怎样快速表征硅片扩散性能？ （浓度、深度、均匀性）
方块 电阻
方块电阻定义
1
方块电阻测试方法
2
四探针方阻测试原理
3
测试方阻时需注意的问题
4
方块电阻，又叫薄层电阻、面电阻，是指表面为正方
形导电薄层的电阻值，它与正方形薄层边长无关，而与
薄层电阻率和厚度有关，计算公式为：
Rsh

l l·X j


Xj
其中，ρ为薄层电阻率，l为所选正方形边长，Xj为
薄层厚度
l
Xj
测量电阻率的方法很多，如两探针法，四探针法，单探 针扩展电阻法以及现在正在流行的一些非接触测试方法。
由于扩散层非常薄（厚度仅1μm左右），探针1流出的电流可认为在以探 针1为中心的表面散开，等势面是以探针1以中心的圆柱面，在距中心r处电 流密度：
j I I
A 2 r X j
所以，距中心r处电场强度为：
E(r) j= I X j 2 r
探针1和4分别看作流入点流源和流 出点流源，则探针2和3之间电压差为：
V23
V2
V3

2s
2Edr =
s

Xj
I

2s s
dr r


Xj
I

ln 2
结合上式，得到：
由于探针有少子注入及探针移动存在，所以在测量中可以 进行正反两个方向电流测量，然后取其平均值以减小误差；
电流选择要适当，太小会影响测试精度，太大会引起发热 或非平衡载流子注入；
对于高阻及光敏感性材料测试时，光电导效率会影响测量， 应在暗室进行；
对于大面积硅片测试时一般采用五点法测试，选取最大值 点与最小值点反映硅片方块电阻均匀性；
Rsh


Xj


㏑2

V23 I
这就是四探针法测无穷大薄层的方块电阻的公式，为准 确测量，要求样品厚度Xj远比探针间距S小，样品尺寸远远大 于探针间距，对于不满足条件的样品，采用以下修正公式：
Rsh
C V23 I
C为修正因子，与薄层的几何尺寸有关；
如果被测导电薄膜材料表面上不干净，存在油污或材料暴 露在空气中时间过长，形成氧化层，会影响测试精度；