反激式开关电源的RCD吸收电路的设计
如上图所示，分析如下
一：设计电路的原则
①限制MOS功率管的最大反向峰值电压
②减小RCD电路的损耗。

上述两者，是相互矛盾的，取折中的办法。

二：设计RCD吸收电路的过程
在设计之前，电路的频率、主变压器、输出电路的参数、MOS功率管全部确定。

①计算在最大输入交流电压时，输出的最大直流电压VDC
VDC=1.4*VAC
单位：Ｖ
②次级电压反射到初级的等效电压ＶＯＲ
Ｖ(ＯＲ)=(ＶＦ+ＶＯ)*ＮＰ/ＮＳ
ＶＦ:二极管的正向最大电压降，单位：Ｖ
ＶＯ:输出的电压值，考虑精度波动范围,单位：Ｖ
ＮＰ:初级匝数
ＮＳ:次级匝数
③ＭＯＳ功率管的源—栅极之间的最大耐压值ＶＤ的余量值Ｖ(ＤＳ)
ＶＤＳ=１０%*ＶＤ
单位：Ｖ
④ＲＣＤ吸收回路的电压Ｖ(ＲＣＤ)
Ｖ(ＲＣＤ)＝[ＶＤ-Ｖ(ＤＣ)-Ｖ(ＤＳ)]*９０%
单位：Ｖ
三：ＲＣＤ试验调整
①上述ＲＣＤ电压值是理论值，通过试验调整，使得实际值和理论值相吻合
②Ｖ(ＲＣＤ)＞１．３Ｖ(ＯＲ)
若实际测量值小于１．３倍的话，说明选取的ＭＯＳ功率管的ＶＤ值太小．
③ＭＯＳ功率管的ＶＤ＜２Ｖ(ＤＣ)
若实际测量值大于２倍的话，说明选取的ＭＯＳ功率管的ＶＤ值太大．
④Ｖ(ＲＣＤ) ＜１．２Ｖ(ＯＲ)
说明ＲＣＤ吸收回路会影响开关电源的效率．
⑤Ｖ(ＲＣＤ)是有Ｖ(ＲＣＤ１)和Ｖ(ＯＲ)组成的．
⑥ＲＣ时间常数τ是有开关电源的频率确定，一般选择１０—20个周期。

⑦选择RC:任意选取瓷片电容和电阻，一般为电阻几十K电阻——几百K的电阻，
电容选择几nF——几十nF不等。

任意选择R、C的值，通入交流电压，调节调压器，根据先低压后高压、先轻载后重载的原则，试验过程中观察V(RCD)的值，务
必V（RCD）的值小于理论值，调节调压器时，当等于理论值时，停止试验，把R 值变小，重新调整。

合适的RC标准：当高压、重负载时，V(RCD)实际测量值等于理论值。

⑧R的功率应根据V(RCD)的最大值所得，一般计算值的2倍。

、
⑨RCD吸收回路的R值越小，开关电源的效率越低；R值越大，MOS功率管有可能
被击穿。