光电技术实验PPT课件
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使用光控双向可控硅控制灯光照明
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实验六 单通道红外遥控系统的制作与应用
红外线遥控系统工作原理
红外线 红外线 红外线接收及
发射单元
信号处理单元
受控制 单元
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555集成电路
VR≥Vct(即2Vcc/3)时,R=1,Vo=0,D对地短路;
Vs≤Vcc/3时,S=1,Vo=1,D对地断路。
在工程计算中,常按照经验公式,即当负载电阻为最佳 负载电阻值时,输出电压U=(0.6 - 0.7)Uoff 。
最佳负载电阻值与入射光通量有关,它随入射光通量的 增大而减少。
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硅光电池的负载特性测试装置
注:RL的电阻值由调节旋钮的位置读出。
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实验三
光电二极管及光电三极管 光照特性测试
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光电二极管
工作原理及电路符号
伏安特性曲线
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光电三极管
工作原理及电路符号
伏安特性曲线
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光电二极管的负载特性测试装置
注:电流指示用200mV电压表并联取样电阻的方法,因
取样电阻值为10K,故电压表指示10mV等效为
1μA。
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光电三极管的负载特性测试装置
注:电流指示用200mV电压表并联取样电阻的方法,因
6、注意“SWP.VOR”旋钮顺时针转到底(CAL位置)。
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实验二 硅光电池负载特性测试
硅光电池
工作原理及电路符号
伏安特性曲线
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硅光电池的负载特性
在某一照度下,硅光电池的输出端电压 U 及输出电流I 随着负载电阻而变化,因此,其输出功率 P=UI 与负载 电阻 RL 的阻值有关。当 RL 等于最佳负载电阻 Ropt情 况下可获得最大的输出功率。
注意:施加的电压不得超过250V,
以免损坏光电倍增管。
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光电倍增管阳极灵敏度的测量电路
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光电倍增管实验仪面板
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光电倍增管实验仪内部结构
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实验五 光电耦合器件的应用
一、对射式光电耦合开关的结构及电路符号
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光电耦合器件进行信号的传输实验电原理图
要求:在传输正弦信号时调整VR02、VR03使信号输
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实验课要求
1)作好预习,结合已学的理论知识,明确 实验目的、实验原理与方法。
2)保证人身安全,爱护实验器材,严格按 实验操作方法动手实验。
3)细心观察,实事求是作好实验记录;进 行结果分析和验证。
4)按要求按时完成实验报告。
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实验报告要求
• 按规定格式整洁的书写,按时交给实验指导教师 。 • 实验报告的内容包括:
试分析:三个实验结果是否正确呢?如何验证呢?
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实验一 CdS光敏电阻的性能测试
光敏电阻的工作原理、电路符号及常用蛇形结构
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CdS光敏电阻 的光照特性曲线和伏安特性曲线
光照特性曲线
伏安特性曲线
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实验暗箱的外观及控制旋钮
上盖
电压表插口 电流表插口 示波器测试端口 电源插口
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实验暗箱的照度控制旋钮
百位读数窗 读数标记点
固定部分 调整部分 十位与个位读数刻度
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实验暗箱的照度控制刻度对照表
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CdS光敏电阻性能测试装置
注:1、盖好实验暗箱上盖以避免外界光照的影响。
2、照度值按“照度调节”旋钮的读数参照对应表格决
定。
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CdS光敏电阻的时间响应
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CdS光敏电阻时间响应测试时 示波器的使用注意点
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CD4013双D触发器的连接图与真值表
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CD40193二进制可预置可逆计数器 CD40193的连接图
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CD40193的工作波形图
MR PL P0 P1 P2 P3 CPU CPD Q0 Q1 Q2 Q3 TCU TCD
加计数 减计数
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光控双向可控硅
注意:可控硅一般应用于交流的控制,在 直流电路中接通后不能控制其断开。
1、实验目的、原理及方法(简述) 。 2、实验电原理图、仪器连接方框图,测试点位置。 3、实验过程(简述)、实验记录(数据、现象及发
现的问题 )。 4、实验数据整理、有关曲线以及实验结果分析。 5、思考题的讨论。
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例:小实验
D1
D2
V1
V2
1.5V
用500型万用表DC2.5V档 (表内阻50KΩ)分别测 试 V1和V2,得三结果: 1. V1=0V V2=1.5V 2. V1=0V V2=1.3V 3. V1=0V V2=0V
取样电阻值为100Ω ,故电压表指示1mV等效为 10μA。
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实验四 光电倍增管特性和参数测试
光电倍增管的工作原理及典型各极供电电路
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931A光电倍增管(侧窗管)
倍增极系统结构: 9级鼠笼形
主要性能数据:
光谱响应范围 650nm
最大响应波长 光阴极(不透明) 阴极最小有效尺寸 阳极脉冲上升时间
出最大而失真最小,分析此时“信号输出”点的 正
弦信号幅度和其直流电压. 的关系。
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使用光电耦合器件模拟人员进出自动计数控制
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模拟人员进出自动计数控制实验的要求
1、观察并分析如果小动物通过人员进出自动 计数控制系统时,由于不能同时遮挡 K1、 K2,是否会造成误计数? 2、观察并分析人员进出时于半途退回的情 况下系统是否会误计数?
/MR为优先复位端, /MR为“0”时, Vo=0,D对地
短路;
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555多谐振荡器电原理图
振荡频率f = 1.49 / (2R1+R2) C
光电技术实验
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实验课内容
1、 CdS光敏电阻的性能测试。 2、硅光电池负载特性测试。 3、 光电二极管及光电三极管光照特性测试。 4、光电倍增管特性和参数测试。 5、光电耦合器件的应用。 6、单通道红外遥控系统的制作与应用。 7、热释电器件在光电技术中的应用。 8、面阵CCD的工作原理和应用。
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1、示波器CH1接“Lightwave”,探头应置“X10” 。
2、示波器CH2接“I-out”,探头置“X10”或置 “X1” 。
3、同步置于“CH1”。
4、两个输入端应该置于“DC”档。
5、“MODE”选择先置于“CH1”,调节出稳定的波 形;再置
于“CH2”或置“DUAL”(“CHIP”按下)来观测。
300-
400nm 锑铯光阴极 8x24mm 2.2nS
极限工作条件
阳极与阴极间的电压
1250 VDC
第1倍增极与阴极间的电压 250 VDC
平均阳极电流
0.1 mA
环境温度范.围
-80~+50 ℃
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光电倍增管 阴极和阳极伏安特性曲线
阴极伏安特性曲线 阳极伏安特性曲线
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光电倍增管阴极灵敏度的测量电路