47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
M2沉积
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
3375
TOP MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A 光阻厚度：15800A 上光阻 BOTTOM MON：250A 光阻
TFT process
TFT 制程简介
TFT (Thin Film Transistor) 流程
Thin Film Photo Etch
五道光罩制程即是指上述流程经过五次
TFT Process Flow
PreClean
Dry or Wet Etching
Thin Film Deposition
AOVN02 STRP03 WETX02 DRYP/T TLCD06 ITSP01 DRYT02 PTLCD04 MACO01 CVDA05
薄膜设备代码: MTSP : Metal Sputter (金属层溅镀) ITSP : ITO Sputter (ITO层溅镀) CVDA : AKT CVD (绝缘层镀膜) CVDB : BPS CVD (绝缘层镀膜)
A
B
A
B
4850
Passivation1：2250A Passivation2：250A 干蚀刻 光阻
Passivation2 Passivation1
A
B
A
B
4875
Passivation1：2250A Passivation2：250A 去光阻
Passivation2 Passivation1
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
3850
TOP MON A1 BOTTOM MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
蝕刻液成份： H 3 PO4 (68%) CH 3COOH (9%) HNO3 (4.9%) Di water
M1 M1
1375
MO AL ALNd Glass
27“(含)以上 ALNd：1000 AL：2000 Mo：700 光阻厚度：15800A 上光阻 光阻
ALNd：850A AL：1500A MO：700A
A
B
A
B
1850
MO AL ALNd Glass
27“(含)以上 ALNd：1000 AL：2000 MO：700
黄光设备代码: TLCD : Tel Coater/Develop (光阻被覆/显影) NIKN : Nikon exposure (曝光) CANO : Canon exposure (曝光) 检验设备代码:
蚀刻设备代码: WETX : Wet etch (湿式蚀刻) DRYT : Tel Dry etch (干式蚀刻)
A
B
A
B
TFT 制程简介(第五层)
PASS
GIN M1
M2
ITO
GIN
PASS
ITO
M2
PASS
M1
5250
ITO：500A
ITO
ITO沉积
A
B
A
B
5375
ITO：500A 光阻
ITO
光阻厚度：15800A 上光阻
A
B
A
B
5850
ITO：500A 光阻
ITO
COOH 2 草酸(3.3 ~ 3.7%) 蝕刻液成份：
G-I-N MoN/AL/MoN
PASSIVATION
ITO
TFT循环制程图解
镀下 层膜 去光阻液 stripper 去光阻 蚀刻(etch) 镀膜(sputter,cvd) 酸, 气体
光罩(reticle)
显影 液
上光阻(coater)
对准,曝光(stepper)
显影(developer)
TFT 制程简介(第一层)
A
BALeabharlann B2875G(SiNx)：1800A G(SiNx)：1800A I (a-Si)：1100A N (n+Si)：250A N (n+Si) I (a-Si) G(SiNx) G(SiNx) 去光阻
A
B
A
B
TFT 制程简介(第三层)
GIN M1
M2
GIN
M2
M1
M2
3250
TOP MON
Thin Film Process 1.Macro-Inspection 2.Nano-Inspection 3.AOI-Inspection
Resist stripping
Etching Process 1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
ALNd：850A AL：1500A MO：700A
A
B
A
B
TFT 制程简介(第二层)
GIN
M1
GIN M1
2250
G(SiNx)：1800A G1沉积 G(SiNx)
A
B
A
B
2251
G(SiNx)：1800A G(SiNx)：1800A I (a-Si)：1100A N (n+Si)：250A N (n+Si) I (a-Si) G(SiNx) G(SiNx) G2沉积
湿蚀刻 光阻
A
B
A
B
3875
TOP MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
去光阻
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
TFT 制程简介(第四层)
GIN
M1
M2
PASS GIN
PASS
AOIH : Auto Optical Inspection High Resolution AOIL : Auto Optical Inspection Low Resolution ADSI : After Develop/Strip inspection SUFS : Surface Scan SUFP : Surface Profile NANO : NANO meter ELIP : Ellipsometer
M1
M2
PASS
4250
Passivation1：2250A Passivation2：250A 护层沉积
Passivation2 Passivation1
A
B
A
B
4375
Passivation1：2250A Passivation2：250A 光阻厚度：15800A 上光阻 光阻
Passivation2 Passivation1
PreClean PR coating Photo Process Exposure Developing 1.ADI 2.CD measurement 3.AOI 1.Test key 2.Function test ser repair Final testing
目前 TFT 1100至5880流程
DRYP : PSC Dry etch (干式蚀刻)
STRP : Stripper (光阻去除)
何谓 TFT

TFT (thin film transistor)

薄膜晶体管 作为光线的开关 (控制液 晶分子的转动) Unit-Pixel 电路模型

T TF


各 Layer Total厚度约14500Å (1.45x10-5 mm): GLASS 厚度 0.7mm ≈ 1:5000
Insulator (G-SiNx)
1)
Gate Metal : AlNd/Mo(N)=1600/1100 A 1800/900 2) G I N : G-SiNx=3500 I/N=1350 3) S/ D Metal : MoN/Al/MoN=300/1800/400 250/2000/350 4) Passivation : P-SiNx=3200 5) ITO : 670
1850 1800 1400 1300 1200 1106 1150 1100 AOIH/AOIL STRP WETX03 TLCD05 MTSP04 WETX05/07 SUFS ICLN02 量測/檢測機台 WET 機台 SHIBAURA機台 2800 2400 2350 2300 2305 2250 2200 2100 STRP05 DRYP02 AOIH TLCD03 STRP03 AOIL CVDB02 PCLN01 3930 3970 3940 3900 3400 3300 3200 3100 5880 5800 NANO01 5400 ADSI07 5405 STRP07 5300 DRYT06 5200 WETX01 4400 TLCD06 4370 MTSP05 4210 PCLN01 4200 DRY機台 其它部門的機台
TFT

TFT结构及制作流程
ALNd/AL/Mo
1.镀上AlNd/Al/Mo(Gate) 2.G : Gate SiNx (氮硅化合物,绝缘层) I : a-Si (非结晶硅,通道层) N : N+ (高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差, 使成为奥姆接触(Omic contact) 3.镀上MoN(氮化钼),pure Al(source,drain) 4.镀上 保护层(把金属部份盖住) 5.镀上ITO (铟锑氧化物,画素电极)