作业2
1、正型和负型光刻胶具有什么样的特点？
正型光刻胶，其未感光部分能被适当的溶剂溶除，而感光部分则留下，所得的图形与光刻掩模图形相反，有较高的固有分辨力（1μm，甚至更小）、较强的抗干法腐蚀能力和抗热处理能力。

负型光刻胶，其感光部分能被适当的溶剂溶除而留下未感光的部分，所得的图形与光刻掩模图形相同，有较强的粘附性和较强的抗湿法腐蚀能力，而且成本低。

2、腐蚀和剥离工艺对光刻工艺的要求有什么不同，试画图说明？
剥离工艺是一些特殊工艺中形成图形的比较简单的物理方法，优点是可以使用多种材料组合，允许多层金属蒸发，允许腐蚀较困难的多层金属布线，避免了因干法和湿法腐蚀带来钻蚀(undercut)和腐蚀问题。

剥离工艺注重的是光刻胶所形成的形貌，它是剥离工艺的关键（如图1）。

光刻胶经过特殊处理后形成适合剥离的光刻胶的形貌图。

3、淀积和外延有什么区别？为什么外延出的是单晶，淀积出的是多晶？对基底、设备环境要求如何？
作业3
1、结合淀积和外延的区别说明清洗工艺的重要性。

（例，淀积SiO2与外延硅）
作业4
从加工尺度,使用材料丶核心工艺等角度简述体硅工艺和表面工艺的各自特点区别。