计算机存储器的种类和特点一、RAM（Random Access Memory,随机存取存储器）RAM勺特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中,并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。
它的工作需要由持续的电力提供, 一旦系统断电,存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉,并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM,动态随机存取存储器）这是最普通的RAM 一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
存取时间和放电时间一致，约为2~4ms因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM ，静态随机存取存储器）静态,指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。
每 6 颗电子管组成一个位存储单元,因为没有电容器,因此无须不断充电即可正常运作,因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定,往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM,视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中,有效降低绘图显示芯片的工作负担。
它采用双数据口设计,其中一个数据口是并行式的数据输出入口,另一个是串行式的数据输出口。
多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（ Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM大多数为72Pin或30Pin的模块。
传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。
而FRM DRAM fe触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内,则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。
由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的,这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。
FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。
在96年以前，在486时代和PENTIUM寸代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM ,延伸数据输出动态随机存取存储器）这是继FPM 之后出现的一种存储器，一般为 72Pin 、168Pin 的模块。
它不需要像 FPM DRAM 那样在存取每一 BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写 有效的数据，而下一个 BIT 的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。
因此它可以大大 缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比 FPM 模式快15%左右。
它一般应用于中档以下 的Pentium 主板标准内存，后期的 486系统开始支持 EDO DRAM 到96年后期，EDO DRAM 开始执行。
06.BEDO DRAM （Burst Extended Data Out DRAM ，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储 器） 这是改良型的EDO DRAM 是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。
它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据 每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比 支持BEDO DRAI 内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如因此很快就被DRAM 取代了。
07.MDRAM （ Multi-Bank DRAM ，多插槽动态随机存取存储器）MoSys 公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 （BANK ），也即由数 个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用 于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于 L2 高速缓存中。
O8.WRAM （ Window RAM 窗口随机存取存储器）韩国Samsung 公司开发的内存模式，是VRAM 内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一 二十组的输入/输出控制器，并采用 EDO 的资料存取模式，因此速度相对较快，另外还提供 了区块搬移功能（ BitBlt ），可应用于专业绘图工作上。
O9.RDRAM （ Rambus DRAM 高频动态随机存取存储器）Rambus 公司独立设计完成的一种内存模式， 速度一般可以达到 500~530MB/s ,是DRAM 勺10 倍以上。
但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图 形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
1O.SDRAM （ Synchron ous DRAM ，同步动态随机存取存储器）这是一种与CPU 实现外频Clock 同步的内存模式，一般都采用 168Pin 的内存模组，工作电 压为3.3V 。
所谓clock 同步是指内存能够与 CPU 同步存取资料，这样可以取消等待周期， 减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。
11.SGRAM （ Synchronous Graphics RAM ，同步绘图随机存取存储器） SDRAM 勺改良版，它以区块 Block ，即每32bit 为基本存取单位，个别地取回或修改存取的 资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块 搬移功能（ BitBlt ），效率明显高于 SDRAM 。
EDO DRAM 快。
但 VIA APOLLO VP2），12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM ，同步爆发式静态随机存取存储器）一般的SRAM!非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM ，管线爆发式静态随机存取存储器）CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate 二倍速率同步动态随机存取存储器）作为SDRAM勺换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAI有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop ：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。
这是目前内存市场上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link ，同步链环动态随机存取存储器）这是一种扩展型SDRAMS构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。
16.CDRAM（ CACHED DRAM同步缓存动态随机存取存储器）这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM乍为二级CACHED用。
当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHED提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACH环被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRA所提供的二级CACHEE好用以补充CPU一级CACHED不足，因此能极大地提高CPU效率。
17.DDRII （Double Data Rate Synchronous DRAM ，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器）DDRII是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。
DDRII 的详细规格目前尚未确定。
18.DRDRAM （Direct Rambus DRAM）是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
ROM（READ Only Memory 只读存储器）ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。
一般应用于PC系统的程序码、主机板上的BIOS （基本输入/输出系统Basic Input/Output System）等。
它的读取速度比RAM慢很多。
根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种：1.MASK ROM（掩模型只读存储器）制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROMs为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASKR OM而烧录在MASKROM中的资料永远无法做修改。
它的成本比较低。
2.PROM（ Programmable ROM,可编程只读存储器）这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器” （One Time Progarmming ROM, OTP-ROM） PROM在出厂时，存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0（部分的PROM fe出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1）, 以实现对其“编程”的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable ,可擦可编程只读存储器）这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC 卡上的透明视窗的方式来清除掉。
这一类芯片比较容易识别,其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住, 以防止遭到阳光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable ,电可擦可编程只读存储器）功能与使用方式与EPROMP样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。
另外它还可以用电信号进行数据写入。
这类ROM内存多应用于即插即用（PnF）接口中。
5.Flash Memory （快闪存储器）这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC 拔下的内存,当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉,在写入资料时必须先将原本的资料清除掉,然后才能再写入新的资料,缺点为写入资料的速度太慢。