单极性晶体管FET （场效应晶体管）
单向可控硅
双向可控硅
双向触发二极管
可编程单结晶体管
整流二极管
结型场效应管 JFET
稳压二极管
N channel JFET
开关二极管
P channel JFET
快速恢复二极管
绝缘栅场效应管 MOSFET
瞬态抑制二极管
N channel MOSFET
肖特基二极管
P channel MOSFET
TVS 的特性及主要参数： ①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。 VWM 是TVS 最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS 的两极间时，它处于反向关断 状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流 ID。 ②最小击穿电压VBR 和击穿电流IR VBR 是TVS 最小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS 是不导通的。当TVS 流过规定的1mA 电 流（IR）时，加入TVS 两极间的电压为其最小击穿电压VBR。 ③最大箝拉电压VC 和最大峰值脉冲电流IPP 当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS 时，在其两极间出现的最大峰值电压为VC。它是串联 电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP反映 TVS 器件的浪涌抑制能力。VC 与VBR 之比称为箝 位因子，一般在1.2~1.4之间。 ④电容量C 电容量C 是TVS 雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C 的大与TVS 的电流承受能力成正 比，C 过大将使信号衰减。因此，C 是数据接口电路选用TVS 的重要参数。 ⑤最大峰值脉冲功耗PM PM 是TVS 能承受的最大峰值脉冲耗散功率。在给定的最大箝位电压下，功耗PM 越大，其浪涌电流的承 受能力越大；在给定的功耗PM 下，箝位电压VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还 与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频 率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能 使TVS 损坏。
肖特基二极管和快恢复二极管的区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5ns以下），工艺上多采用掺金措施，结构 上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向 耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳 秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒）， 而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢 复时间大约为几纳秒. 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速. 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得 到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10ns的反向恢复时间。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间 迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的 扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变 电源中做整流元件.
种类
开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开 关二极管、硅电压开关二极管等多种。
普通开关二极管 常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管。 高速开关二极管 高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。 常用的国产高速开关二极管有2CK系列。 进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安 装）。 超高速开关二极管 常用的超高速二极管有1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面封装）。 低功耗开关二极管 低功耗开关二极管的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。 常用的低功耗开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。 高反压开关二极管 高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对 较大。 常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封） 。 硅电压开关二极管 硅电压开关二极管是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管 之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行“开”、“关”而特殊设计制造的一类 二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK 等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。 工作原理： 半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所 以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压 下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态， 其电阻很大，一般硅二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极 管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。 工作特性： 开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时 间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二 极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的，像硅开关二极管的 反向恢复时间只有几纳秒，即使是锗开关二极管，也不过几百纳秒。 开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开 关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于 开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使 用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅 材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时 间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 性能特点: 1）反向恢复时间trr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整 流器件性能的重要技术指标。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定 Irr=0.1IRM。 2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅 片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很 高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安 培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或 平板型封装形式。
二极管的分类（按功能）和基本参数
二极管
整流二极管
稳压二极管
快速恢复二极管
开关二极管
瞬态抑制二极管
肖特基二极管
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。
（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的 结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如 1N4000系列二极管的IF为1A。 （2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR) 剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例 如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为 1OOOV （3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二 极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。 （4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定 反向漏电流条件下的电压值。 （5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电 容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的 fm为3kHz。 （6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
分立器5
简介纲要
半导体元器件 分立器件
二极管、晶体管、晶闸管基本知识介绍
BYD在用主要分立器件厂家
集成电路器件
存储器
分立器件
半导体
模拟IC 光电半导体
逻辑IC
分立器件
二极管
晶体管
晶闸管
发光二极管
不发光二极管
双极性晶体管BJT （三极管）
瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器 件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将 其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定 值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
二极管知识简介