一、物料编码1目的随着公司的发展和公司产品的增多，越来越多的物料被用于产品的开发和应用中。

为了更好更有效的利用物料，我们需要对库中的物料进行编码。

合理的对物料进行编码，对物料的有效应用和产品质量的提升起到了很大的作用。

2范围适用于公司库中所有的物料，包括元器件、公司生产产品和外购件。

3原则1．使用“一码多物”，“一码一物”的原则，其中“一码多物”主要针对不同厂家的同一规格。

2．禁止出现“一物多码”。

3．公司库中的物料只有经过编码的才能使用。

最后一位是“X”的禁止入库到生产库的“0”库和成品库的“0”库。

4．任何新的物料必须按此规范进行编码后才能在公司内使用。

4物料编码规则外购物料编码格式如下：□□□□□□□□□□□□大类小类流水号临时码位说明：优特公司的外购物料编码采用11位编码，11位编码全部采用0-9数字，以后根据情况决定是否采用英文字母，如果是临时编码，加临时码位“X”。

对于需要多个供应商多次加工的采购物品，如果存在半成品以及中间状态，那么，在该产品最终编码的后面增加一位英文字母，用A/B/C/D…等，表示不同的生产状态。

不同类别的物料，其流水号的定义可以不同。

1开头的物料编码，对应的是电子类物料。

2开头的物料编码，对应的是结构类物料。

3开头的物料编码，对应的是外购成品类物料，一般是工程上使用。

4开头的物料编码，对应的是包装、生产辅料、办公、工具类物料。

6开头的物料编码，对应的是自产组件类物料。

7开头的物料编码，对应的是自产成品类物料。

自产物料编码格式如下：□□□□□□□□□□□□□总类大类小类辅类硬件版本软件版本流水号说明：优特公司的自产物料编码采用13位编码，13位编码全部采用0-9数字。

总类为6表示该物料为组件，是不能直接发给客户使用的，总类为7表示该物料为成品，是可以直接发给客户使用的。

紧跟2位是大类，后面2位是小类，再后面两位是产品辅类信息，再后面是产品的硬件版本（不能互相替代的硬件版本的流水号），紧跟后2位是产品的软件版本（不能互相替代的软件版本的流水号），最后两位是在可完全互换、硬件版本和软件版本相同情况下的流水号。

二、物料选型1物料选型总则1．所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能少选择物料的种类。

2．优先选用物料编码库中“优选等级”为“A”的物料。

3．优选生命周期处于成长、成熟的器件。

4．选择出生、下降的器件走特批流程。

5．慎选生命周期处于衰落的器件，禁止选用停产的器件。

6．功率器件优先选用RjA热阻小,Tj结温更大的封装型号。

7．禁止选用封装尺寸小于0402（含）的器件。

8．所选元器件抗静电能力至少达到250V。

对于特殊的器件如：射频器件，抗ESD 能力至少100V，并要求设计做防静电措施。

9．所选元器件MSL（潮湿敏感度等级）不能大于5级（含）。

10. 优先选用密封真空包装的型号，MSL（潮湿敏感度等级）大于2级（含）的，必须使用密封真空包装。

11.优先选用卷带包装、托盘包装的型号。

如果是潮湿敏感等级为二级或者以上的器件，则要求盘状塑料编带包装，盘状塑料编带必须能够承受125℃的高温。

12.对于关键器件，至少有两个品牌的型号可以互相替代，有的还要考虑方案级替代。

13.使用的材料要求满足抗静电、阻燃、防锈蚀、抗氧化以及安规等要求。

2各类物料选型规则2.1 芯片选型总的规则a)有铅BGA焊球优选Sn63Pb37合金，也可选择高铅（铅含量≥85％）的SnPb合金。

无铅BGA焊球选择SnAgCu合金。

b)有引线的SMD和集成电路器件，引脚线金属材料要为铜、铜合金、可阀合金、42合金材料，表面合金涂镀均匀、厚度符合相关标准（4～7.6μm），涂层不得含金属铋。

锡铅引脚镀层：SnPb；无铅引脚镀层：优选：Matte-Sn、SnAgCu、Ni/Au、Ni/Pd/Au；Sn镀层：对于纯Sn镀层来讲，Sn镀层厚度≥7.6μm（电镀工艺）、或≥2.5μm（电镀后熔融工艺）、或≥5.1μm（浸锡工艺）、或≥0.5μm（化学镀工艺）；阻挡层Ni：厚度≥3μm；SnCu镀层：SnCu镀层厚度≥3μm；Ni/Pd镀层：Pd镀层厚度≥0.075μm，Ni镀层厚度在3μm以上；Ni/Pd/Au镀层：Ni厚度≥3μm，Pd厚度≥0.075μm，Au厚度在0.025～0.10μmc)谨慎选用台湾的CPU、电源芯片。

d)禁止选用QFN封装的元器件，如果只能选用QFN封装的元器件，必须经过评审。

选用任何QFN封装的芯片必须经付总一级的领导批准后才能使用。

e)对于IC优先选用脚间距至少0.5MM的贴片封装器件。

f)优选贴片封装的器件，慎选DIP封装器件。

g)尽量不要选用BGA封装的元器件，不得不使用才选用。

如果选用BGA，BGA球间距必须大于等于0.8mm，最好大于等于1.0mm。

而且尽量选用使用有铅BGA球器件的型号，并且使用有铅焊接工艺。

h)禁止选用不支持在线编程的CPU。

i)尽量不要选用三星的芯片。

2.2电阻选型规则1、电阻阻值优先选用10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系列，51系列, 68系列，82系列。

2、贴片电阻优选0603和0805的封装，0402以下的封装禁选。

3、插脚电阻优选0.25W， 0.5W，1W，2W，3W， 5W，7W，10W ，15W。

4、对于电阻的温漂，J档温漂不能超过500ppm/℃，F档温漂不能超过100ppm/℃，B档温漂不能超过10ppm/℃。

5、金属膜电阻1W及1W以上禁选，金属膜电阻750k以上禁选。

6、7W以上功率电阻轴线型禁选7、慎选电位器，如果无法避免，选用多圈的，品牌用BOURNS。

电子电位器按照芯片选型规范操作。

8、电阻品牌优选YAGEO、MK、贝迪思。

2.3 电容选型规则2.3.1 铝电解电容选型规则1、普通应用中选择标准型、寿命1000HR~3000HR（为价格考虑，慎选长寿命型），选择铝电解电容寿命尽量选择2000Hr。

2、对于铝电解电容的耐压，3.3V系统取10V、5V系统取10V、12V系统取25V、24V系统取50V；48V以上系统选100V；3、铝电解电容必须选用工作温度为105度的。

4、对于铝电解电容的容值，优选10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。

5、对于高压型铝电解电容保留400V。

禁选无极性铝电解电容。

6、普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”（三和），高端铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本名牌铝电解电容。

7、禁止选用贴片的铝电解电容。

2.3.2 钽电解电容选型规则1、钽电解电容禁止选用耐压超过35V以上的。

2、插脚式钽电解电容禁选。

3、对于钽电解电容的耐压，3.3V系统取10V、5V系统取16V、12V系统取35V，10V、16V、35V为优选，4V、6.3V、50V为禁用（用铝电解电容替代）。

4、对于钽电解电容的容值：优选10、22、47系列。

容值105以下的钽电解电容禁选（用陶瓷电容替代）。

5、钽电解电容品牌：KEMET、AVX2.3.3片状多层陶瓷电容选型规则1、高Q陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。

2、片状多层陶瓷电容封装：0603、0805优选、1206、1210慎选、1808以上禁选。

3、片状多层陶瓷电容耐压：优选25V、50V、100V； 106（含）以上容值的耐压不大于25V。

4、片状多层陶瓷电容容量：优选10、22、33、47、68系列。

5、片状多层陶瓷电容的材料，优选NPO、X7R、X5R，其它禁选。

6、片状多层陶瓷电容的品牌：TAIYO、MURATA、KEMET、TEMEX（高Q陶瓷电容）2.3.4引脚多层陶瓷电容选型规则1、新产品禁止选用此类电容（使用片状多层陶瓷电容替代）。

2.4 继电器选型规则1、品牌选择: PANASONIC、OMRON、FINDER。

2、禁止使用继电器插座。

2.5 二极管选型规则1、禁止使用玻璃封装的二极管2、发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的标准。

3、整流二极管：同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007，3A的选用IN5408。

4、肖特基二极管：同电流档次的保留反压最高的等级，如：1N5819保留,1N5817禁选， SS14保留，SS12禁选;M7,30BQ060,S5G 保留。

5、发光二极管优选有边、短脚的；为了保持公司产品的一致性，红发红、绿发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号慎选；如果没有特殊要求，尽量不要使用长脚、无边的。

6、发光二极管优选品牌为“亿光”。

7、瞬态抑制二极管的品牌优选PROTEK，SEMTECH。

2.6 三极管选型规则1、901X系列的三极管选用9012，9013。

2.7 接插件选型规则1、禁选IC插座，如果不能避免使用IC插座，必须使用圆孔的IC插座。

2、插针座选用三面接触的，禁止使用2面接触的。

PC104等特殊要求的除外。

3、成套的接插件要求使用同一品牌的，既插头、插座配套使用的要求它们为同一品牌的。

2.8 开关选型规则1、禁选拨码开关。

2、电源开关优选船形开关.2.9 电感选型规则1、贴片电感品牌优选“三礼”和“SUMIDA”。

2.10 CPU选型规则1、如果选用的CPU是与我公司已使用过的同系列不同型号的，需要经过生产付总同意。

如果选用的CPU是我公司从来没有使用过的新的系列的CPU，必须经过公司级领导开会讨论来决定。

2、保留Atmega48，Atmega168，Atmega32，Atmega128。

新的产品禁止再使用attiny2313和Atmega88。

3、QFN封装的Atmega128禁止以后新产品选用。

4、ARM7只能选用以下几种：LPC2138FBD64、LPC2292FBD144、STR710FZ2T6、STR711FR2T6。

5、以后新产品使用COLDFIRE系列替代68000系列。

2.11 FLASH选型规则1、并行FLASH品牌优选SPANSION、SST，禁止选用SAMSUNG。

2、串行FLASH品牌优选ATMEL。

新的产品禁止再使用AT45DB081B-RI。

2.12 SRAM选型规则1、品牌优选ISSI ，CYPRESS，MICRON，IDT，禁用SAMSUNG。

2.13 EEPROM选型规则1、禁止选用并行的EEPROM。

2、串行EEPROM品牌优选ATMEL和MICROCHIP。

3、新的产品禁止选用24LC65-I/SM。

2.14 晶体和晶振选型规则1、晶体物料通用技术要求：AT切（基频），20pF负载电容，温度范围-20～+70℃（工业温度等级），制造频偏30ppm，温漂50ppm/℃，无铅产品。