3、外延层的掺杂与缺陷 4、硅的气相外延工艺
十、光刻工艺
1、光刻工序： 2、掩膜版 3、光刻机
a. 主要性能指标 b. 曝光光源
c. 三种光刻机
4、光刻胶
正性胶和负性胶
5、典型的光刻工艺流程
十一、刻蚀工艺
1、湿法刻蚀
a. 物理性刻蚀
2、干法刻蚀
b. 化学性刻蚀 c. 物理化学性刻蚀。
十二、金属化工艺
1、RTP 与传统退火工艺的比较
2、RTP 设备与传统高温炉管的区别
3、RTP 设备的快速加热能力 4、RTP设备的关键问题
六、真空技术与等离子体简介
1、真空基础知识
2、等离子体简介
a. b. 直流等离子体的组成 射频放电等离子体
七、化学气相淀积工艺
1、CVD工艺的主要特点 2、CVD 工艺原理
a. b. c. 简单的Si CVD反应器 反应腔内的化学反应 反应腔内的气体流动
1、形成欧姆接触的方法 2、常用的金属化材料
a. Al
b. 重掺杂多晶硅
c. 难熔金属硅化物
十三、工艺集成技术
1、器件隔离技术
a. PN结隔离技术 b. LOCOS（硅的局部氧化）技术 c. 沟槽隔离
2、亚微米CMOS工艺流程介绍
a. 主要结论
b. 计算热氧化工艺生长SiO2厚度的方法
3、热氧化工艺（方法）和系统 4、热氧化工艺的质量检测
三、扩散工艺
1、扩散工艺在IC制造中的主要用途 2、扩散原理(模型与公式)
a. 费克一维扩散方程 b. 扩散的原子模型、 Fair空位模型 c. 费克第二定律的分析解 预淀积扩散 推进扩散
3、影响实际扩散分布的因素 4、扩散工艺质量检测
四、离子注入工艺
1、离子注入工艺设备及其原理
a. 离子源 d. 终端台 b. 质量分析器 c. 加速管
e. 离子注入工艺控制参数
2、射程与入射离子的分布
根据离子注入条件计算杂质浓度的分布
3、实际的入射离子分布问题 4、注入损伤与退火
五、RTP工艺设备
■ 外延生长工艺（第14章）
■ 光刻工艺（第7、8章） ■ 刻蚀工艺（第11章） ■ 金属化工艺（第15章） ■ 工艺集成（第15、16章）
参考资料：《微电子制造科学原理与工程技术》
一、微电子制造引论
1、IC制造的步骤
2、IC制造中的单项工艺
3、微电子工艺举例 电阻分压器
二、热氧化工艺
1、二氧化硅在IC中的主要用途 2、热氧化原理(Deal-Grove 模型)
3、CVD 淀积速率与温度的关系
a.
b.
化学反应速率限制区
质量输运速率限制区
4、CVD 技术分类
a. b. c. 常压化学气相淀积 低压化学气相淀积 等离子体增强化学气相淀积

5、典型物质（材料）的CVD工艺
a. b. c. d. 二氧化硅的淀积 多晶硅（Poly-Si）的淀积 氮化硅（Si3N4）的淀积 金属材料的 CVD 淀积
八、物理气相淀积工艺
1、蒸发工艺
a. 蒸发工艺的淀积速率 b. 常用蒸发系统（加热器） c. 蒸发工艺的限制因素
2、溅射工艺
a. b. c. d. 溅射原理 淀积速率与溅射产额 溅射薄膜形貌与台阶覆盖 常用溅射工艺
九、外延生长工艺
1、外延工艺的分类 2、气相外延生长的热动力学
a. Deal 模型 b. 连续步骤模型 c. 超饱和度模型 d. 薄膜生长的三种模式
微电子加工技术 总复习
微电子加工技术
■ 微电子制造引论（第1章） ■ 热氧化工艺（第4章）
■ 扩散工艺（第3章）
■ 离子注入工艺（第5章）
■ RTP工艺设备（第6章）
■ 真空技术与等离子体简介（第10章）
■ 化学气相淀积工艺（第13章）
参考资料：《微电子制造科学原理与工程技术》
微电子加工技术
■ 物理气相淀积工艺（第12章）