2. 带隙基准源简介及其应用
模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准 电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很 小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的 基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。
当VBE ? 750mV,T ? 300K时，?VBE ?T ? -1.5mV/ K
三级运放 通过运放，使整个核心电路 的偏置电压独立于电源电压， 从而提高电源抑制比。
图2.2 运放电路
3.启动电路
图
2.3
保证运放正常工作，并提供偏置
启
动
电
路
启动电路
三级运放
此电路共计49个MOS 管，5个三极管，8个电阻和1个电容 图2.4 整体电路
核心电路
第三章 仿真结果
1.输出电压
图 3.1 输 出 电 压 仿 真 图
基于0.35 微米CMOS 工艺的 带隙基准源设计
Based on 0.35um BCD Process BandGap reference design
第一章 概述
1.BCD 工艺简介 BCD （Bipolar-CMOS-DMOS ）功率集成电路器件， 通过MOS 管的最高电压可达40V ，最低为5V 。
SS 输出电压 1.25V
TT 1.23V
FF 1.22V
2.电源抑制比（PSRR ）
图 3.2 电 源 抑 制 比 仿 真 图
PSRR
SS 73dB
TT 72dB
FF 93dB
3.温度系数（TC ）
图 3.3 温 度 系 数 仿 真 图
13ppm/ ℃
VBE
?
VT
ln
IC IS
,VT
?
KT q
VBE2 ? VT lnn(R2 ? R3) R3 ? VREF
图1.2 基本的带隙基准源
第二章 BandGap 电路设计
1.核心电路（含启动电路）
VREF ?
2VT lnn? R45
R43 ? VBEQ32
12
3
启动电路
图2.1 核心电路（含启动电路）
2.运放电路
FF 0.74ppm/ ℃
4.功耗
图 3.4 功 耗 仿 真 图
功耗
SS
TT
FF
0.99mW 1.35mW 2.05mW
5.蒙特卡罗分析 输出电压 温度系数
电源抑制比 功耗
蒙特卡罗分析结果
输出电压（V） 电源抑制比（dB ） 温度系数（ppm/ ℃） 功耗（uA ）
SS 1.356-1.041 98.54-51.226 105.78-1.337
218-182
TT 1.342-1.023 106.58-51.55 89.205-0.566
321-274
FF 1.332-1.013 95.71-48.64 78.72-2.183
441-383
参考文献：
1.高电源抑制比的CMOS 带隙基准电压源_吴志明 2.模拟CMOS 集成电路设计_毕查德拉扎维