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三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
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TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
Thickness是采用机械的方法测量薄膜厚度，测量仪器为a-step设备。它是检测 非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所dep的三层薄膜均可以用a-step设备来测试。 另外，由于ITO为透明膜，它也可以用光学方法来测试。
Stress测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至broken。
无机污染膜
气体，排管中的金属不纯物的 贴附
纯水，药液中的不纯物离子的 吸附
自然氧化膜的形成
品质、速度、团队
清洗方法 BRUSH US, CJ
MS
洗剂 UV MS
超纯水 化学清洗剂
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二、 Clean工艺简介
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•Initial cleaner
ITO
GATE
GLASS
GATE
GLASS
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三、 Sputter工艺简介
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Sputter是通过DC Power形成Plasma,具有高能量的Gas Ion 撞击Target表面,粒子从Target表面射出并贴附到基板表面的工 程。
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溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
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Dry Cleaning Excimer UV O3(ozone) Asher
Plasma
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二、 Clean工艺简介
种类 贴附粒子
例子
铝、不锈钢、玻璃 塑料
头屑、毛发、线
有机污染膜
油、指纹、残余物 空气、气体中有机物蒸汽 洗剂（界面活性剂）残余物等
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一. Array工艺流程简介
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沉积
清洗
PR涂附
曝光
显影
刻蚀 Wet Etch
PR剥离
检查
Dry Etch
成膜 / Pattern工程详细图 (Deposition & Patterning Process in Detail)
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三、 Sputter工艺简介
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Sputter和PECVD在Array的5Mask工艺中，共同承担 了各个 Mask的第一步主要工序---成膜。
Sputter用于做金属膜和ITO膜：
➢Gate
➢S/D ➢ITO
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Mo)
在所有的玻璃基板拆包装后进入生产线之前所必须进 行的清洗； •Pre dep cleaner
在成膜之前经常要进行的清洗； 主要清洗strip之后残留的particle； •Docking cleaner 在PECVD成膜之间进行的一步清洗； 去除PECVD高速沉积所留下的particle；
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TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
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三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
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三、 Sputter工艺简介
Sputter关键控制要素
工艺参数： 本底真空和压力上升，气体压力和气体流量， 溅射功率和溅射时间，加热温度，TM值
质量控制（方法）： Rs(方块电阻)， PI(测量particle数量)， Thickness(薄膜厚度)，Stress(薄膜应力)
品质、速度、团队
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二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
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三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为
Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。
PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量， Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea.
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二、Clean工艺简介
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目的： 除去基板表面影响成膜的具有物理特性、化学特性、电学特性 的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露出干 净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰尘、异 物等。
的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等
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Array工艺技术
品质/客户服务部
BOEOT QA/OQA 2009 . 05 . 06.
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目录
一、Array工艺流程简介 二、Clean工艺简介 三、Sputter工艺简介 四、PECVD工艺简介 五、 Photo工艺简介 六、 Etch工艺简介 七、 Strip工艺简介 八、4 Mask和5 Mask比较 九、4Mask工艺流程