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半导体分立器件测试原理和方法共50页

• 7.测试时严禁进入标有“高压止步”警示的区域。
• 8. 测试运行时,发现异常,应立刻停机,通知维修人 员进行检查、维修。
• 9.非测试工作人员因工作需要进入测试楼,必须遵守 本安全规程,并服从工作人员的指挥,不得触动设备 上的任何按键和开关,以免发生意外。
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概述
电力半导体器件是由整流二极管(ZP), 反向阻断三极晶闸管(KP),快速整流 二极管(ZK),快速晶闸管(KK),非 对称晶闸管(KF),逆导(KN),双向 (KS),可关断(GTO/IGCT)等组成。
测试安全注意事项
• 高压测试设备在运行过程中会产生 高温高电压,因此操作不当或者防 护不当,会影响工作人员的安全。 为了测试安全运行、保障操作人员 的人身安全,必须严格遵守安全规 定。
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• 1. 测试工作人员要具有强烈的事业心和 工作责任感,严格执行操作规程。
• 2. 测试工作人员上岗前必须进行专门培 训,取得上岗证后方能进行独立操作。
断特性,正向串入D1,反向串入D2,使a点得到正弦半波电压, 调 此节电T压B峰就值可由调D节3此与电电压容峰C组值成,的按定峰义值这保波持形电符路合在V电DR容M测C上试就要变求,成 等 VD于RM电时压,峰电值阻的R1直上流的电电压压,就由反表映头了V流P显过元示件。的当漏被电试流元,件测二出端R加1上上 的 就 加电在可压被看峰试到晶值其闸也断管就态负测伏端出安,I特DR性M此,①时同。测时断得将开的X接接为触示V器R波RJM器1值,X和闭端相合,应JY2接,的Ya点端IRR电,M压我,就们其 伏安特性如左图②。线路采用的是转折保护,当元件一旦转折,
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(门极控制)开通时间(tgt)
调节可调交流电源G,电源电压经D1,R1向C充电,充至测试条件规定值,
在充电电源为负时,触发脉冲触发被试元件,C上电压通过R2,L, DUT放电,产生振荡或非振荡波形。被试元件开通元件二端管压降下降。
观察RS(标准门极电流的无感电阻器)二端波形就是观察门极触发电流 波形,从而可测得td和trr。
• 3. 测试工作人员进入工作岗位必须穿戴 好防护用品。
• 4.测试人员应注意防止高温烫伤,并做 好高温标识。
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• 5. 测试加高压前,工作人员必须对各种安全联锁装置 进行检查,以确保它们处于有效的工作状态。
• 6. 各种系统联锁和安全联锁装置是为了保障测试能安 全可靠运行及工作人员的人身安全的,不得随意改动 或短路。
• 电流脉宽在1 ~ 10 ms范围选择,以使被测器件完全 开通和防止超过器件额定di/dt值。
ห้องสมุดไป่ตู้
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通态伏安特性(ITM ~ VTM)
差异仅是通态峰值电流至额定通态平均电流值的4、5倍以上; 通常我们给出的是Tjm下的,下面给出25℃和Tjm二条伏安特性。 我们知道元件的压降由三部分组成:
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IGD、VGD
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IGD、VGD测试
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IH维持电流
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IH维持电流测试
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IL擎住电流
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IL擎住电流测试
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断态电压临界上升率 (电压上升法)
当S合上,恒流源就以一恒定直流向电容C充电,电容两端电压就以直
PN结压降 呈现负温度系数,体压降,接触压降呈 现正温度系数
当Tj升高,I较小时,PN结压降起主要作用,∴高 温压降比常温小;
I大时,体压降、接触压降起主导作用,高温压降 比常温大。
因此我们可以看到伏安特性随结温而变化,并 且总有一个交点。
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断态和反向峰值电流IDRM 、IRRM
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断态和反向峰值电流IDRM 、IRRM
实用电路
【反断向态重和复反峰向值不电重流复I峰DR值M、电I压RRM(原V理DS电M,路V等RS均M)相与似断,态差和异 是: 脉冲重复频率:单次脉冲,或发热效应可以忽略 的低重复频率 】
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220V电源经全波可控整流器BR加压在自耦调压器TB原边(只要KP 导通),付边输出电压加在高压变压器B的原边,于是B付边输出 高压,此时波形仍是交流全波。我们利用整流管正向导通反向阻
线上升,形成线性的dv/dt,改变充电电流和电容就改变dv/dt值,即
dvc/dt = I/C。二极管D和可调直流电源UD组成电压限幅电路,当电容 电压充至 > UD时,电容电压就通过D向UD放电,即保持电容电压不 变,增加dv/dt值至电压波形突然下降,未降前的dv/dt即为所测值。
示波器观察。
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应用
1. 整流 —— 把交流电变成直流电 2. 逆变 —— 把直流电变成交流电 3. 变频 —— 把一种频率的交流电变成另一种频
率的交流电或把一种固定频率的交流电变成可 以连续变化的交流电。例如交流电机用的变频 器。 4. 交流开关 —— 接通或切断交流电路 5. 直流开关 —— 接通或切断直流电路
漏电流急剧增加,此时脉冲变压器MB原边会产生一电压,付边也 会感应出一电压,此电压使整流桥BR的KP的门阴极短路,KP元 件恢复阻断,220V电源断开,付边高压消失,从而保护了被试元 件。其动作时间为10 ms。
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IGT、VGT
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测试条件
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tgt是在规定的阳极电压、通态电流和门极条件下, 由门极脉冲上升沿的10%算起到晶闸管正向阳极电 压下降至最高电压的10%所经历的时间间隔。
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测试原理及方法
通态电压测试原理图
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电路原理
• 当K合上,交流220V就加在TB原边,调节TB,变压 器B付边二极管D1,R1向电容C充电,待C充至一定 电被试压元时件,,触分发流K1器,F被L放试电元。件输,出电一容近C似经正K1弦,的电电感流L,波 形TB,,从使FITLM可恰测好得等于ITM被,测从元被件试所元需件电可流测值得,V记TM录。下调V节TM 值,该值就是要测的值。
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