存储器实验实验报告
一、实验目的
练习使用STEP开关
了解地址寄存器（AR）中地址的读入
了解STOP和STEP开关的状态设置
了解向存储器RAM中存入数据的方法
了解从存储器RAM中读出数据的
二、实验设备
1、TDN－CM＋组成原理实验仪一台
2、导线若干
3、静态存储器：一片6116（2K*8）芯片
地址锁存器（74LS273）
地址灯AD0－AD7
三态门（74LS245）
三、实验原理
实验所用的半导体静态存储器电路原理如图所示，
实验中的静态存储器由一片6116（2K*8）芯片构成，其数据
线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。

地址灯AD0－AD7与地址线相连，显示地址线状况。

数据开关
经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和
数据。

实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP”，将
“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“EXEC”状态时，按动微动开关START，则TS3端输出连续的方波信号当“STOP”开
关置为RUN状态，“STEP”开关置为“STEP”状态时，每按动一次
微动开关“start”，则TS3输出一个单脉冲，脉冲宽度与连续
方式相同。

四、实验内容
如下图
存储器实验接线图
（一）
练习使用STEP开关
往地址寄存器（AR）中存入地址
设置STOP和STEP开关的状态：
从数据开关送地址给总线：SW-B=___
打开AR，关闭存储器：LDAR=___、CE=___
按下Start产生T3脉冲
关闭AR，关闭数据开关：LDAR=__、SW-B=__
（二）
往存储器RAM中存入数据
1.设定好要访问的存储器单元地址
2.从数据开关送数给总线：SW-B=___
3.选择存储器片选信号：CE=___
4.选择读或写：WE=____
5.按下Start产生T3脉冲
6.关闭存储器片选信号：CE=___
7.关闭数据开关：SW-B=___
（三）
从存储器RAM中读出数据
1.设定好要访问的存储器单元地址
2.选择存储器片选信号：CE=___
3.选择读或写：WE=____
4.按下Start产生T3脉冲
5.关闭存储器片选信号：CE=___
五、实验结果总结
六、思考题
在进行存储器操作（写/读）是不是必须先往地址寄存器（AR）存入所访问的存储器单元地址？
T3在本实验中起了哪些作用，如何区分它们？
在进行存储器读写操作时，CE和WE信号有没有先后顺序？为什么？。