Simulink电力电子仿真模块详细介绍1、二极管1.1、电路符号和静态伏安特性：1.2、模块图标：1.3、外部接口：二极管模块有2个电气接口和1个输出接口。
2个电气接口（a,k）分别位于二极管的阳极和阴极。
输出接口（m）输出二极管的电流和电压测量值（Iak、Vak），其中电流单位A，电压单位V。
1.4参数设置：（1）Resistance Ron：导通电阻，单位Ω，当电感为0时，电阻不能为0；（2）Inductance Lon：电感，单位H，当电阻为0时，电感不能为0；（3）Forward voltage Vf：正向电压，当二极管正向电压大于Vf后，二极管导通；（4）Initial current Ic：初始电流，通常为0；（5）Snubber resistance Rs：并联缓冲电路的电阻值，设置inf时取消缓冲电阻；（6）Snubber capacitance Cs：缓冲电路电容值，单位F，当电容为0时，取消缓冲电容；设置inf时，缓冲电路为纯电阻性电路；（7）Show measurement port:选中复选框，出现测量输出接线口m，可观测二极管的电流和电压值。
2、晶闸管模块2.1、原理当晶闸管承受正向电压（Vak＞0）且门极有正的触发脉冲（g＞0）时，晶闸管导通。
触发脉冲必须足够宽，才能使阳极电流Iak大于设定的晶闸管擎住电流I1，否则晶闸管任要转向关断。
导通晶闸管阳极电流下降到0，或者承受反向电压时关断。
2.2、电路负荷和静态伏安特性2.3、模块图例详细模块简化模块2.4、外部接口晶闸管模块有2个电气接口，1个输入接口和1个输出接口。
2个电气接口（a，k）分别对应晶闸管的阳极和阴极。
输入接口（g）为门极逻辑信号。
输出接口（m）输出晶闸管的电流和电压测量值（Iak、Vak），其中电流单位为A，电压单位为V。
2.5、参数设置：（1）Resistance Ron：导通电阻，单位Ω，当电感为0时，电阻不能为0；（2）Inductance Lon：电感，单位H，当电阻为0时，电感不能为0；（3）Forward voltage Vf：正向电压，晶闸管的门槛电压Vf；（4）Latching current Il：擎住电流，（简单模块无该选项）；（5）Turn-off time Tq：单位s，它包括阳极电流下降到0的时间和晶闸管正向阻断的时间，（简单模块无该项）；（6）Initial current Ic：初始电流，单位A，当电感值大于0时，可以设置仿真开始晶闸管的初始电流值，通常为0；（7）Snubber resistance Rs：并联缓冲电路的电阻值，设置inf时取消缓冲电阻；（8）Snubber capacitance Cs：缓冲电路电容值，单位F，当电容为0时，取消缓冲电容；设置inf时，缓冲电路为纯电阻性电路；（9）Show measurement port:选中复选框，出现测量输出接线口m，可观测晶闸管的电流和电压值。
3、可开断晶闸管模块3.1、原理可开断晶闸管与普通晶闸管一样，GTO可被正的门极信号（g＞0）触发导通，与普通晶闸管的区别是，普通晶闸管导通后，只有等到阳极电流过0时才能关断，而GTO可以在任何时刻通过施加等于0或负的门极信号实现关断。
3.2、电路负荷和开关特性3.3、图标3.4、外部接口GTO有两个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。
2个电气接口（a,k）分别对应于可关断晶闸管的阳极和阴极。
输入接口（g）为门输入信号。
输出接口（m）输出GTO的电流和电压测量值（Iak，Vak）。
3.5、参数设置（1）Resistance Ron：导通电阻，单位Ω，当电感为0时，电阻不能为0；（2）Inductance Lon：电感，单位H，当电阻为0时，电感不能为0；（3）Forward voltage Vf：正向电压，GTO的门槛电压Vf；（4）Current 10% fall time Tf:电流减小到10%的下降时间，单位s；（5）Current tail time Ts：单位s，从0.1Imax降到0的时间，单位s（6）Initial current Ic：初始电流，单位A，当电感值大于0时，可以设置GTO仿真开始的初始电流值，通常为0；（7）Snubber resistance Rs：并联缓冲电路的电阻值，设置inf时取消缓冲电阻；（8）Snubber capacitance Cs：缓冲电路电容值，单位F，当电容为0时，取消缓冲电容；设置inf时，缓冲电路为纯电阻性电路；（9）Show measurement port:选中复选框，出现测量输出接线口m，可观测GTO的电流和电压值。
注意点：GTO模块不能被离散化，如需离散化电路，建议蚕蛹通用桥式电路或三电平桥式电路。
4、电力场效应晶体管模块4.1、原理电流场效应晶体管时一种在漏电流大于0时，受栅极信号（g＞0）控制的半导体器件。
它具有开关频率高、导通压降小等特点。
Mosfet模块在门极信号为正（g＞0）且漏极电流大于0时导通，在门极信号为0时关断。
4.2、电路符号及特性4.3、模块图标4.4、外部接口MOSFET模块有2个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。
2个电气接口（d，s）分别对应于MOSFET的漏极和源极。
输入接口（g）为栅极控制信号。
输出接口（m）输出MOSFET的电流和电压测量值（Id、Vds），单位分别为A和V。
4.5、参数设置（1）FET resistance Ron：导通电阻，单位Ω（2）internal diode inductance Lon：二极管内部电感，单位H（3）Internal diode resistance Rd：二极管内部电阻，单位Ω（4）Internal diode forward voltage Vf：二极管内部正向电流。
、（5）Initial current Ic:初始电流（6）Snubber resistance Rs：缓冲电路电阻，缓冲电阻值为inf时将取消缓冲电阻（7）Snubber capacitance Cs：缓冲电路电容值，单位F，当电容为0时，取消缓冲电容；设置inf时，缓冲电路为纯电阻性电路；（8）Show measurement port:测量输出端。
注意点：MOSFET模块不能被离散化，如需离散化电路，建议蚕蛹通用桥式电路或三电平桥式电路。
5、绝缘栅极双极性晶体管模块5.1、原理绝缘栅极双极性晶体管（IGBT）是一种受栅极信号控制的半导体器件，具有驱动功率小、开关速度快，通流能力强的特点。
目前已成为中小功率电力电子设备的主导器件。
IGBT模块在集电极—发射极间电压Vcb为正且大于Vf，门极信号为正（g＞0）时导通。
即使集电极—发射极间电压为正，但门极信号为0，IGBT也要断开。
5.2、图标5.3、模块图标5.4、外部接口该模块具有2个电气接口，1个输入接口和1个输出接口。
2个电气接口（C,E）分别对应于IGBT的集电极和发射极，输入接口（g）为门极控制信号，控制IGBT模块通和关断。
输出接口（m）输出IGBT模块的电流和电压测量值（Ic、Vca），单温为A和V。
5.5参数设置（1）Resistance Ron：导通电阻，单位Ω；（2）Inductance Lon：电感；（3）Forward voltage Vf:正向电压、IGBT门槛电压Vf，单位V;（4）Snubber resistance Rs: 缓冲电路电阻，缓冲电阻值为inf时将取消缓冲电阻（5）Snubber capacitance Cs: 缓冲电路电容值，单位F，当电容为0时，取消缓冲电容；设置inf时，缓冲电路为纯电阻性电路；（6）Show measurement port:测量输出端。
单个IGBT模块不能被离散化，但用通用桥模块或三级桥模块构成的IGBT/Dide桥电路可以被离散化。
6、理想开关模块6.1、原理理想开关模块是SIMULINK特设的一种电子开关。
理想开关模块特点是导通和开断受门极控制，开关导通时电流可以双向通过，当门极信号g=0时，无论开关承受正向还是反向电压，开关都要关断，当门极信号g＞0时，无论开关承受正向还是反向电压，开关都导通，在门极触发时开关动作是瞬间完成的。
6.2、电路符号和伏安特性6.3、图标6.4、外部接口理想开关模块有2个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。
2个电气接口（1,2）与电路直接连接。
输入接口（g）输入开关导通或关断的控制信号。
输出接口（m）输出理想开关的电流和电压测量值（I12,V12），单位分别为A和V。
6.5、参数设置（1）Internal resistance Ron：内部电阻，单温Ω，不能为0；（2）Initial state（0 for’pen’,1 for’closed’）:初始状态,0为断开，1为导通；（3）Snubber resistance Rs:缓冲电路电阻并联缓冲电路中的电阻值，单位Ω，缓冲电阻为inf时，取消缓冲电阻；（4）Snubber Capacitance Cs：缓冲电路电容，并联缓冲电路中的电容，单位F，缓冲电容值设为0时，取消缓冲电容；缓冲电容值设置为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。
（5）Show mensurement port：测量输出端。
理想开关模块相当于一个电流源，在没有缓冲电路时不能喝电感、电流源串联或直接开路。
7、三电平桥式电路模块7.1、原理Simulink提供的三电平桥式电路模块，单相结构图如下所示，每一相由4个开关设备（Q1A、Q2A、Q3A、Q4A）、4个反向并联的二极管（D1A、D2A、D3A、D4A）和2个箝位二极管（D5A、D6A），所有开关器件均忽略导通时间、下降时间和拖尾时间。
7.2、模块图例7.3、外部接口三电平桥式电路模块有6个电气接口和1个输入接口。
电气接口A、B、C用于连接三相电源或整流变压器的三相输出。
电气接口“﹢”和“﹣”连接直流侧正负极。
箝位中性点N用于外电路的连接。
输入接口（g）用于接入开关设备的触发信号。
7.4、参数设置（1）Number of bridge arms：决定桥的拓扑结构，可选1、2、3三种桥臂数；（2）Snubber resistance Rs (Ohms)：并联缓冲电路电阻，设置inf，表示取消缓冲电阻；（3）Snubber capacitance Cs (F)：缓冲电路电容，设置0时表示取消缓冲电路电容，设置inf时，表示电路为纯电阻性电路；（4）Power Electronic device：电力电子开关，下拉框，可选择三电平桥式电路中的电力电子开关种类，有4种可供选择，即GTO-Diode、Mosfet-Diode、IGBT-Diode和理想开关。