输出电压=0.8/Rgnd×（Rgnd+Rout) RT9218是RT9214+一个运算放大器捆绑在一起的。有任意一个过流 过压，欠压都会引起保护，两个电压都没了。
区分上下管： 1.下管S极接地。 2.上管S极和下管D极相连。 3.上管D极和电源相通。 4.上下管G极都连接到芯片。
知识回顾 Knowledge Review
0.75V
负载供电
内存负载供电：即内存总线终结电压VTT-DDR，采用的一般为独立 芯片，如RT9202，RT9199，W83310.内存在读写高速信号的过程中 ，由于总线阻抗匹配，布线等因素，会影响高频信号的完整性，从 而在读，写数据时出现错误，为了防止出现这种错误，需要能够吸 收或者提供很大的电流，精确的跟随主供电的一半（VCC-DDR/2)稳 压精度高，响应快的终端电源VTT，以降低总线上负载变化所引起 的瞬态波形失真。
内存电路维修流程
8脚PWM芯片工作条件
1：1脚和5脚5V以上电压。 2：7脚电压：RT9202是3V以上，RT9214是0.4V以上。 3.上下管G极都有控制电压，输出电压还是不正常或无电压输出， 一般是反馈FB连接的电阻损坏导致。 4.芯片可以控制输出的电压不低于0.8V。 5：PWM电路中的元件任何一个有故障以及过压，过流，欠压都会导 致整个电路停止工作，所以不需要测上下管的控制电压。
仅使用5V供电的RT9202的工作原理
1：5V给5脚供电，5V给上管供电，5V经过D1给1脚供电，5V经过R1 给7脚供电。 2：2脚UGATE驱动上管导通。 3：上管给电感L2和电容C3充电，并返回给C2右端。 4：C2右端的电压增加，因其特性，左端电压（BOOT）脚也会跟随 增加，直到完全导通。 5：当L2和电容C3组成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB脚 电压超过0.8V时，RT9202控制关闭上管，打开下管。 6：下管导通构成储能电路的放电回路，当电路经过分压后反馈给 FB的电压低于0.8V时，RT9202关闭下管打开上管，继续充电。 7:2-6循环 注1：当Q1的G极得到高电平SHND信号后，7脚被拉低，整个芯片停 止工作。 注2：PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。 注3：R2，R3阻值变化会导致输出电压变高或变低，但PWM波形正常。
采用12V和5V供电的RT9202的工作原理
1：5V给5脚供电，5V给上管供电，12V经过R4给1脚供电，5V经过R1 给7脚供电。 2：2脚UGATE驱动上管导通。 3：上管给电感L2和电容C3充电。 4：当L2和C3成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB电压超过 0.8V时，RT9202关闭上管打开下管。 5：下管导通构成储能电路的放电回路，当电路经过分压后反馈给 FB的电压低于0.8V时，RT9202控制关闭下管打开上管，继续供电。 6：2-5循环。 注1：当Q1的G极得到高电平SHND信号后，7脚被拉低，整个芯片停 止工作。 注2：PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。 注3：R2，R3阻值变化会导致输出电压变高或变低，但PWM波形正常。
内存供电
主板中常见的内存插槽有DDR1，DDR2和DDR3.不同的内存所需要的 工作电压也不同，一般DDR1内存需要2.5V，DDR2需要1.8V，DDR3需 要1.5V。一般在内存槽旁边设计了专门的供电电路为内存供电。
主供电
VTT电压
DDR：2.5V
1.25V
DDR2：1.8V
0.9V
DDR3: 1.5V
内存供电电路的组成
内存供电电路主要有三端稳压管，场效应管（上下管），电感，电 容，电源管理芯片，
1.BOOT：启动脚，UGATE的动力来源，自举升压端。 2.UGATE：上管驱动。 3.GND：地脚。 4.LGATE：下管驱动。 5.VCC：供电端，LGATE的动力来源。 6.FB：电压反馈端，与内部0.8V基准电压比较。 7.OCSET：过流设定，高电平开启。一般OCSET会连接到一个开关作 用的三极管的C极或场管的D极。如果7脚被三极管拉低了，芯片将 会停止工作。 8.PHASE：相位脚，上管导通的回路。检测上管的导通压降，防止 过流。