硅片的机械化学抛光原理如图所示。

抛光液用弱碱性的胶态SiO
(粒径10nm)水溶液。

抛光布采用微细表层结构的软质发
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抛光是硅片的最终加工工序，要求抛光表面具有晶格完整性、高的平面度及洁净性。

使用械化学抛光
二次抛光用的抛光布是用发泡聚氨基甲酸乙酯人造革。

二次抛光是精抛光，是通过不断去除水合膜来
硅片抛光装置有单面抛光和双面抛光两种。

双面抛光可提高抛光效率和加工精度。

抛光布采用微细表层结构的软质发泡聚氨基甲酸人造革。

在高速高压抛光条件下，抛光布和硅片之间形成封闭的抛光剂层。

同时，学抛光法可以获得无加工变质层的表面。

为了提高抛光效率，要进行两次抛光。

在第一次抛光中，借助
合膜来进行无损伤抛光。

二次抛光用的是添加碱或氨的抛光液，pH=9。

二次抛光的加工量一般在1μm以下。

之间形成封闭的抛光剂层。

同时，在硅片表面形成软质水合膜，抛光盘通过不断去除水合膜进行硅片的抛光。

但是，一旦抛光过程，借助于磨粒与抛光布的机械作用，破坏硅片表面的水合膜进行高效抛光。

因此，必须采用大粒度的磨
量一般在1μm以下。

硅片的抛光。

但是，一旦抛光过程中水合膜发生破裂，会在硅片表面产生加工缺陷。

[1]
度的磨粒和透气性能好的抛光布以形成较薄的水合膜，其目的是为获得硅片的厚度、平面度等。

一次抛光 1.5μm
次抛光的去除量是1.5μm左右，一次抛光使用的抛光液是在SiO
悬浮液中添加NaOH,KOH 等碱性添加剂，使抛光液的pH=
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H 等碱性添加剂，使抛光液的pH=11。

一次抛光用的抛光布是用漫透聚氨基甲酸乙酯的无纺布。