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引线键合

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热压焊:金属线过预热至约300至400℃的氧化铝(Al2O3)或 碳 化 钨 ( WC) 等 耐 火 材 料 所 制 成 的 毛 细 管 状 键 合 头 (Bonding Tool/Capillary,也称为瓷嘴或焊针),再以电火 花或氢焰将金属线烧断并利用熔融金属的表面张力效应使 线之末端成球状(其直径约金属线直径之2倍),键合头 再将金属球下压至已预热至约150至250℃的第一金属焊盘 上进行球形结合(Ball Bond)。在结合时,球点将因受压 力而略为变形,此一压力变形之目的在于增加结合面积、 减低结合面粗糙度对结合的影响、穿破表面氧化层及其他 可能阻碍结合之因素,以形成紧密之结合。
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底面角
4 degree 专门设计用于解决8度或者0度的问题, 建议使用小的键合头
8 degree 一般用途,很好的第二键合点丝线截断能力 15 degree 仅仅用于热压焊,使用较少
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键合头直径 (T)
主要影响第二键合点的强度, 在允许的范围内应该尽可能大, 小键合头适合于较密(细间距) 键合, 小键合头适合于手工操作。
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铝丝
• 纯铝太软而难拉成丝,一般加入 1% Si 或者1% Mg以提 高强度。 • 室温下1% 的Si 超过了在铝中的溶解度,导致Si的偏析, 偏析的尺寸和数量取决于冷却数度,冷却太慢导致更多 的Si颗粒结集。Si颗粒尺寸影响丝线的塑性,第二相是疲 劳开裂的萌生潜在位置。 • 掺1%镁的铝丝强度和掺1% 硅的强度相当。 • 抗疲劳强度更好,因为镁在铝中的均衡溶解度为2%,于 是没有第二相析出。
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键合头镀层
光滑涂层 • 较长的使用寿命 , • 要进行抛光 , • 使得第二键合点光亮, • 减少金属的残留和聚集
粗糙的涂层 • 仅仅内斜面抛光, • 第二键合点强度高, • 第一键合点光亮 • 提高超声能作用32来自锥体角度 (C.A.)
主要影响到达键合位置的能力,尤其是细间距情 况下以及到达第二点的距离。
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球形键合过程
1、毛细管(capillary)与焊盘 (bond pad)对准,把金线末端生 成半径为1.5~2倍金线半径的球 状突起和毛细管口贴紧。
2、毛细管降下,球状突起与焊 盘接触,综合压力、加热能量等 使球状突起变形成为焊点形状。
3、单点键合完成后,毛细管升 起,金线从毛细管中抽出,随毛 细管移动到第二个焊盘上方。
两种键合焊盘
球形键合
楔形键合
三种键合(焊接、接合)方法
引线键合为IC晶片与封装结构之间的电路连线中 最常使用的方法。主要的引线键合技术有超音波接合 (Ultrasonic Bonding, U/S Bonding)、热压接合 (Thermocompression Bonding,T/C Bonding)、与热超音 波接合(Thermosonic Bonding, T/S Bonding)等三种。
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引线键合(Wire Bonding)
Review
电子封装始于IC晶片制成之 后,包括IC晶片的粘结固定、电 路连线、密封保护、与电路板之 接合、模组组装到产品完成之间 的所有过程。
电子封装常见的连接方法有 引线键合(wire bonding,WB)、载 带自动焊(tape automated bonding, TAB)与倒装芯片(flip chip, FC)等 三种,倒装芯片也称为反转式晶 片接合或可控制塌陷晶片互连
劈刀特点---- I.C.(内斜面)
非常重要的参数 影响自由空气聚集和第一键合点的压制半径。 同时也影响弧度的形成,以保证光滑的丝线传送。 在应用时候要考虑一下特点
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内斜面角度
90 degree • 和底面角度为0或者4度时配合可以优化第二 键合点的截断, • 适合于非常小底第一键合点要求。
120 degree • 提高对第一键合点的黏附作用解决弯曲翘起, • 和底面角8度配合可以优化键合点形状。
30/20 degree C.A.
平颈
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劈刀长度
标准长度为0.375"和0.437 " , 后者允许更深的接触, 较小的长度公差可保证较好的超声反应。
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键合材料
引线 - 金丝
• 广泛用于热压和热声焊, • 丝线表面要光滑和清洁以保证强度和防止丝线堵塞, • 纯金具有很好的抗拉强度和延展率, • 高纯金太软,一般加入约 5-10 ppm 重量的 Be或者30100 ppm的 Cu, • 掺Be的引线强度一般要比掺Cu的高10-20% 。
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内斜面形状 低拖动面 (L.D.)适合
较长的弧度轨迹 较低而精确的弧度轨迹
双内斜面 最标准最常用的劈刀斜面
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F.A.(底面角)
底面角度影响: • 第二键合点的形状和强度 • 第二键合点的截断
0 degree 配合 90度的内斜面角度具有很好的导线截断能力,
一般不用于柔软的材料如陶瓷或者电路板上的薄膜。 不宜采用大的键合头。
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热声焊:为热压结合与超音波结合的混合方法。热超音 波结合也先在金属线末端成球,再使用超声波脉冲进行 导线材与金属接点间之结合。热超音波结合的过程中结 合工具不被加热而仅仅是结合之基板维持在100至150℃ 的温度,此一方法除了能抑制结合界面介金属化合物 (Intermetallic Compounds)之成长之外,并可降低基板的 高分子材料因温度过高而产生劣化变形的机会,因此热 超音波结合通常应用于结合困难度较高的封装连线。金 线为热超音波结合最常被使用的材料。
Au2Al (灰色), AuAl (白色), AuAl2 (深紫色), 3. AuAl2 即使在室温下也能在接触界面下形成,然后转变成其他
IMC,带来可靠性问题, 4. 这些IMC晶格常数、机械、热性能不同,反应时会产生物质移动,
从而在交界层形成可见的柯肯达尔效应,或者产生裂纹。
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Au-Cu 系
1. 金丝键合到铜引脚上情形, 2. 三种柔软的IMC相 (Cu3Au, AuCu, 和 Au3Cu)活化能在 0.8到1电
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楔形键合楔形, 手工键合机
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劈刀常常是通 过氧化铝或者 碳化钨进行粉 末烧结而成。 对于一些单一 用途的工具, 也可以用玻璃、 红宝石和碳化 钛来代替。
楔形劈刀和毛细管劈刀
用于球形键合的毛细管劈刀
用于Al丝键合的楔形劈刀 用于Au丝键合的楔形劈刀
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毛细管劈刀描述
主要任务: 具备一个内斜面以形成 第一个键合点 , 一个合理设计而又光滑 的孔适合弧度的形成 ,具有一个尖的外圆面 以便于第二键合点的截 断。
导线 金(Au) 金(Au),铝(Al)
焊盘 金,铝 金,铝
速度 10线/s 4线/s
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比较
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比较
键合设备
• 键合速度不断提高、间距不断减小,操作稳定性提高。 • 楔形和球形键合速度分别可达4 wires/sec 和10 wires/second • 很多分析设备用于优化键合劈刀的性能, • 精密图象处理系统使其能够进行精确定位 • 已经出现了全自动化的设备。 • 在20分钟内就可以完成少量的工具和软件的调整以适应 不同的产品。
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键合接头形貌
球形键合
第一键合点
第二键合点
楔形键合
第一键合点
第二键合点
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比较
WB 热压型 超声型 热超声型
压力 温度(OC) 超声能量
导线
焊盘
高 300-500 不需要
金(Au)
金,铝

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需要 金(Au),铝(Al) 金,铝
低 100-150 需要
金(Au)
金,铝
WB 球形 楔形
键合工具 毛细管 楔
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应用范围
低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片 互连的主要工艺方法,用于下列封装:
陶瓷和塑料BGA、单芯片或者多芯片 陶瓷和塑料 (CerQuads and PQFPs) 芯片尺寸封装 (CSPs) 板上芯片 (COB)
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芯片互连例子
采用引线键合的芯片互连
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历史和特点
1957 年Bell实验室采用的器件封装技术,目前特点如下: • 已有适合批量生产的自动化机器; • 键合参数可精密控制,导线机械性能重复性高; • 速度可达100ms互连(两个焊接和一个导线循环过程); • 焊点直径:100 μm↘ 50 μm,↘ 30 μm; • 节距:100 μ m ↘ 55 μ m, ↘ 35 μ m ; • 劈刀(Wedge,楔头)的改进解决了大多数的可靠性问题; • 根据特定的要求,出现了各种工具和材料可供选择; • 已经形成非常成熟的体系。
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机理及特点
超声焊接:超音波接合以接合楔头(Wedge)引导金属线使其 压紧于金属焊盘上,再由楔头输入频率20至60KHZ,振幅20 至200μm,平行于接垫平面之超音波脉冲,使楔头发生水 平弹性振动,同时施加向下的压力。使得劈刀在这两种力 作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦,引线受能量作 用发生塑性变形,在25ms内与键合区紧密接触而完成焊接。 常用于Al丝的键合。键合点两端都是楔形 。
(controlled collapse chip connection ,C4 ) 。
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什么是引线键合
用金属丝将芯片的I/O端(inner lead bonding pad: 内侧引线端子) 与对应的封装引脚或者基板上布线焊区(outer lead bonding pad: 外侧引 线端子)互连, 实现固相焊接过程, 采用加热、加压和超声能,破坏表面氧化层和污染,产生塑性变形, 界面亲密接触产生电子共享和原子扩散形成焊点, 键合区的焊盘金属一般为Al或者Au等, 金属细丝是直径通常为 20~50微米的Au、Al或者Si-Al丝。
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