电工与电子技术基础教案公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-电工与电子技术基础授课班级：授课教师：2资讯要解决这个任务，需要首先明确：1、变压器的基本结构；2、变压器内部线圈产生感应电动势，由此产生初次级电压，与匝数的关系。

3、推导出电压变换、电流变换、阻抗变换。

一、变压器的基本结构1、常用变压器举例：2、变压器的基本结构（1）变压器的主体构造铁心是变压器的主磁路，由铁芯柱（柱上套装绕组）、铁轭（连接铁芯以形成闭合磁路）组成，为了减小涡流和磁滞损耗，提高磁路的导磁性，铁芯采~厚的硅钢片涂绝缘漆后交错叠成。

绕组绕组是变压器的电路部分，采用铜线或铝线绕制而成，原、副绕组同心套在铁芯柱上。

为便于绝缘，一般低压绕组在里，高压绕组在外，但大容量的低压大电流变压器，考虑到引出线工艺困难，往往把低压绕组套在高压绕组的外面。

（2）变压器的工作原理•与电源相连的线圈，接收交流电能，称为一次绕组用U1 ，I1，E1，N1表示;•与负载相连的线圈，送出交流电能，称为二次绕组?? 用U2，I2，E2 ，N2表示;•同时交链一次，二次绕组的磁通量的相量为 Fm,该磁通量称为主磁通;20变压器原理图交变磁通同时与原、副绕组交链，在原、副绕组内感应电动势。

dtd Ne u dtd Ne u φφ222111;-=≈-=≈153 计划与决策布置任务：变压器的电压变换、电流变换、阻抗变换作用计划与决策：1、通过初次级线圈所产生的感应电动势与电压的关系：11e U -=，22e U -=，求出初次级线圈电压的关系；2、不计能量损失，根据能量守恒，221I U I U =，求出初次级线圈电流的关系；3、由关系式ZI U =，求出初次级线圈阻抗之间的关系。

154 实施与检查 1、21212121N N tN tN e e U U =∆∆Φ-∆∆Φ-==； 2、1212212211N N U U I I I U I U ==→=； 3、22221122121221121n N N I I U U Z Z I Z I Z U U ===→=15教学过程教学内容方法手段时间1组织教学与任务导入1．清点人数、组织秩序、分组做好。

2．导入工作任务在电子线路中，常用到半导体材料制成的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。

今天我们来研究如下问题：晶体二极管、晶闸管的工作特性52资讯要解决这个任务，需要首先明确：1、何为半导体器件、半导体器件的基本结构2、晶体二极管的结构、晶闸管的结构。

一、变压器的基本结构1、常用半导体器件举例：2、导体、绝缘体和半导体导体导电性能良好。

例如：铜、铁、金、银。

绝缘体几乎不能导电。

例如：塑料、玻璃、橡胶、陶瓷。

半导体导电性能介于导体和绝缘体之间。

例如：硅、锗。

3、本征半导体的导电特性本征半导体纯净的具有晶体结构的硅、锗等半导体。

热敏性：当环境温度升高时，导电能力显着增强光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化掺杂性：纯净的半导体中掺入微量某些杂质，导电能力明显改变。

4、本征半导体的结构20共价键中的两个电子，称为价电子。

5、杂质半导体掺入少量杂质15(1) N 型半导体（电子型半导体）形成：向本征半导体中掺入少量的 5 价元素特点：（a）含有大量的电子——多数载流子（b）含有少量的空穴——少数载流子(2) P 型半导体（空穴型半导体）形成：向本征半导体中掺入少量的 3 价元素特点：（a）含有大量的空穴——多数载流子（b）含有少量的电子——少数载流子二、PN结(1) PN 结的形成PN结外加正向电压：PN结外加反向电压：（实际电路验证）将一个PN结合一个发光灯泡串联与电路中，分别正、反两个方向连接PN结，看灯泡的发光情况。

三、晶体二极管1、晶体二极管的结构和分类1）基本结构2）分类•按PN结结构分：点接触型和面接触型•按基片材料分：硅二极管和锗二极管•按用途分：整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。

3）二极管的伏安特性二极管电压与电流的关系（通过实验电路来验证：将一个硅管和锗管分别连接与电路中，慢慢增大电源电压，观察等在什么电压值下会开始发光）四、晶闸管1、基本结构：四层半导体，3个PN 结2、工作原理：(a) 晶闸管导通条件 u A > 0 , u G > 0(b) 晶闸管导通后控制极将失去作用 (c) 晶闸管截止条件H A I i ≤或3 计划与决策布置任务：1）验证晶体二极管的工作特性：单向导电性 2）验证晶闸管的工作特性计划与决策： 1）①明确晶体二极管的阴极和阳极；②将晶体二极管和一个灯泡串联于一个电源电路中，先将二极管正向连接，然后慢慢增大电源电压，观察灯泡的发光情况；③然后将二极管反接，观察灯泡的发光情况。

④记录相应的电压值和灯泡的发光情况。

15A 0u ≤程手段间1组织教学与任务导入1．清点人数、组织秩序、分组做好。

2．导入工作任务通过二极管的整流电路，可以将交流电变换成脉动的直流电。

今天我们来研究如下问题：二极管的整流电路52资讯要解决这个任务，需要首先明确：1、各种整流电路的电路组成；2、整流过程。

3、相应参数的计算。

一、单相半波整流电路1．电路V：整流二极管，把交流电变成脉动直流电，设为理想二极管，管压降为0V；T：电源变压器，把v1变成整流电路所需的电压值v2。

2．工作原理设v2为正弦波，波形如图（1）v2正半周时，A点电位高于B点电位，二极管V正偏导通，则v L≈v2；（2）v2负半周时，A点电位低于B点电位，二极管V反偏截止，则v L≈0。

由波形可见，v2一周期内，负载只用单方向的半个波形，这种大小波动、方向不变的电压或电流称为脉动直流电。

上述过程说明，利用二极管单向导电性可把交流电v2变成脉动直流电v L。

由于电路仅利用v2的半个波形，故称为半波整流电路。

3．参数计算二极管上的平均电流LVII=二极管上承受的最高电压22UURM=输出电压平均值2022245.02)(21UUtduUo===⎰πωππ二、二极管单相全波整流电路1．电路如图V1、V2为性能相同的整流二极管；T为电源变压器，作用是产生大小相等而相位相反的v2a和v2b。

2．工作原理设v2为正弦波，波形如图（1）v1正半周时，T次级A点电位高于B点电位，在v2a作用下，V1导通（V2截止），i V1自上而下流过R L；（2）v1负半周时，T次级A点电位低于B点电作用下，V2导通（V1截止），i V2自上而下流过R L；可见，在v1一周期内，流过二极管的电流i V1、i V2 叠加形成全波脉动直流电流i L，于是R L两端产生全波脉动直流电压v L。

故电路称为全波整流电路。

3．参数计算二极管上的平均电流LVII21=二极管上承受的最高电压222UURM=输出电压平均值2229.022)(1UUtduUo===⎰πωππ三、二极管单相桥式全波整流电路1．电路152. 工作原理（1）v 2正半周时，如图（a ）所示，A 点电位高于B 点电位，则V 1、V 3导通（V 2、V 4截止），i 1自上而下流过负载R L ；（2）v 2负半周时，如图（b ）所示，A 点电位低于B 点电位，则V 2、V 4导通（V 1、V 3截止），i 2自上而下流过负载R L ；3．整流波形 如上图4．负载和整流二极管上的电压和电流 （1）负载电压V L 2L 9.0V V =（2）负载电流I L L2L L L 9.0R V R V I ==（3）二极管的平均电流I V L V 21I I =（4）二极管承受反向峰值电压 2RM 2V V =3 计划与决策布置任务：单相半波、全波、桥式整流电路的电路构成、整流原理、电路参数。

计划与决策根据教材讲解，归纳总结，单相半波、全波、桥式整流电15NPN型结构及符号 PNP型结构及符号各区制造时的结构特点，以NPN型为例，如下图所示：二、晶体三极管的主要参数1、电流放大倍数(1) 共发射极直流电流放大系数β≈I C / I B(2) 共发射极交流电流放大系数 b = DiC / DiB（3）共发射极电流分配I E =I C+ I B，2、极间反向电流(1) 集电极基极间反向饱和电流I CBO，O ——（发射极）开路(2) 集电极发射极间的反向饱和电流I CEOCBOCEO)1(IIβ+=3、极限参数(1) 集电极最大允许电流I CM(2) 集电极最大允许功率损耗P CM = i C v CE(3) 反向击穿电压V(BR)CEO 、V(BR) EBO、V(BR)CBO三、晶体三极管的输入/输出特性曲线1、输入特性曲线当V CE为常数时，输入特性曲线是描述输入端口电流i B随端口电压v BE变化的曲线。

改变参变量V CE的值，得到一组曲线,如图所示。

2015iB= f (vBE)|vCE =常数当参变量V CE增大时，曲线向右移动，或者当v BE一定时，i B随V CE的增大而减小V CE在0~内变化时，集电结正偏，BJT工作在饱和模式。

在v BE一定时，随V CE减小，饱和程度加深，导致i B迅速增大，即曲线向左移动较大。

V CE大于时，集电结反偏，BJT工作在放大模式。

i B几乎不随V CE而变化。

实际上，i B随V CE增大而略有减小，即曲线向右略有移动。

2、输出特性曲线指当基极电流i B为常数时，输出电路中集电极电流i C与集-射极电压v CE之间的关系曲线。

i C = f (v CE)| iB =常数输出特性三个区域的特点:A。

放大区：发射结正偏，集电结反偏。

i C平行于v CE轴的区域，曲线基本平行等距。

即：I C=bI B , 且 D i C=bD i BB。

饱和区：发射结正偏，集电结正偏。

i C受v CE显着控制的区域，该区域内v CE的数值较小。

即：v CE<v BE，bIB>I C，饱和压降v CE?。

C。

截止区：v BE< 死区电压，I B=0 ，I C?03计划与决策布置任务：1）晶体三极管的输入特性曲线v BE/Vi B0 0.5v CE=0V0.70.3V10V和总结。

2．通过计算法调整静态工作点。

社会能力目标 1. 劳动组织、勇于承担、展现自我；2. 善于聆听与沟通、有团队协作意识。

3. 有责任心，始终保持积极向上的学习态度。

教学准备PPT课型新授课授课课时2课时教学过程教学内容方法手段时间1组织教学与任务导入1．清点人数、组织秩序、分组做好。

2．导入工作任务放大电路的分析方法，有图解分析法和计算法，其中计算法是定量的分析计算电路中的各个参数，是最重要和必须掌握的分析方法。

今天我们来研究如下问题：计算共射级放大电路中的静态工作点、输入、输出电阻和电压放大倍数。

52资讯要解决这个任务，需要首先明确：1、晶体三极管共射极放大电路的组成及各部分作用；2、直流通路和静态工作点的计算；3、交流通路和β小信号模型，输入、输出电阻，电压放大倍数的计算。