第四讲：基本逻辑门版图设计
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基本逻辑门的版图设计
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VDD
IN
OUT
VSS
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或非门版图设计：
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M
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M
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M
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VSS
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MVLeabharlann S5棒形图6
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与非门
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如何画版图 -------用反相器为例说明
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7. 三层半布线 金属1，金属2 ，多晶硅可做连线，所注 入的有源区也是导体，可做短连线（方 块电阻大）。四层线之间，多晶硅和注 入有源区不能相交布线，因为相交处形 成了晶体管，使得注入有源区连线断开。
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5. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和N+注 入区交集处即形成N+有源区， N+注入区比所交 有源区要大些。
6. 两层半布线 金属，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是 导体，可做短连线（方块电阻大）。三层布线 之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因 为相交处形成了晶体管，使得注入有源区连线 断开。
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如何画版图 -------用反相器为例说明
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如何画版图 -------用反相器为例说明
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如何画版图 -------用反相器为例说明
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须解释的问题：
1. 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处， 金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注入区的关系：有源区即无场氧 化层，在这区域中可做N型和P型各种晶体管，此 区一次形成。 3. 至于以后何处是NMOS晶体管，何处是PMOS晶 体管，要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和P+注 入区交集处即形成P+有源区， P+注入区比所交有 源区要大些。