当前位置:
文档之家› 锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响
锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响
A s atU igsl e m to n i n I adS C3 sr a r l,ni oydpdt xd ( T bt c : s o—gl e da dwt S C4 n b I a a m t a at n oe noie A O)fm r n h h w e s i m i is l
Ya g B o i g , h n a h a一 , h n al n C i ifn JaJ n o g I we n a pn Z o g Xio u Z a gXioi g , u ne g ,i u h n 。 Ge n a J Yi
(. colfP t ce cl eh o g ,azo nvrt o Tcnl y Lnhu7 0 5 ,hn I Sho o e ohmi cnl y L rh uU i syf eh o g ,azo 30 0 C i r aT o t e i o a; 2 S t KyL brtyo l ur ai ,a zo stt o hmcl hs sC i s A ae yo i cs . t e e aoao S i L bi t n L nh uI tu C e i yi ,hn e cdm S e e) a r f od c o n i ef aP c e f cn
第4 4卷 第 1期
21 0 2年 1月
无 机 盐 工 业
I 0RGAN C CHE C S I N I MI AL ND量对 A O薄 膜 结构 及 光 、 T 电性 能 的影 响 水
杨 保 平 钟 小 华 , 。 张晓 亮。崔 锦峰 贾均红。易戈 文。 , , ,
中图分类号 :Q 3 . 1 T 15 3 文献标识码 : A 文章编号 :0 6— 9 0 2 1 ) 1 0 1 0 10 49 (0 2 O — 09— 3
Efe t fSb do i m o t o t uc u e a r s iso ee t i o e t fATO l f c s o p ng a un n sr t r nd tan m si n, l c rc pr p r y o i f ms
(. 1 兰州 理工 大学石油化工学 院 , 甘肃兰州 70 5 ;. 3 0 02 中国科学 院兰州化学物 理研 究所 固体润滑 国家重点实验室 )
摘
要: 以四氯化锡 和三氯化锑为主要原料 , 采用溶胶 一凝 胶法制 备 了不 同锑掺 杂量 的纳米锑掺 杂二 氧化锡
(T ) A O 薄膜 。分别利用 X D、 E E 紫外可见分光光度计和 四探 针 电阻仪对 晶体 结构 、 R F S M、 薄膜形 貌 、 光透过 率和薄 膜方 块电阻进行表征 , 考察锑 掺杂量对 A O薄膜 晶体 结构 、 T 晶粒尺寸 、 光透过率 和导 电性能 的影 响。结果表 明 : 所 制备 的 A O薄膜为 ( 1 ) T 10 面择优取 向的 四方 相锡 石结 构 , 晶粒 尺寸小 于 2 m, 6n 当锑 掺杂量 为 1% ( 0 物质 的量分 数 ) ,T 时 A O薄膜具有最小 的方块 电阻( 0 1r 6 . 口) 可见光透过率 大于 8 %。 , 5 关键词 : T A O纳米 薄膜 ;b S 掺杂量 ; l e 法 ;6 s —gl Y 透过率 ; o 方块 电阻
fr d o et i a bevda 10)l eteae g rs i a s ta 6n adi he rs t c a 0 — e e r nao w s sre s( pa , vr ec t s e seshn2 m,n s etei a e s b r i tn o 1 n h a y a zw l l ts s n w
w t i e e tS o i g a u t w r y t e ie i d f r n b d p n mo n s e e s n h s d.Mi r s u t r f m  ̄h l g ,rn miso a d s e t e i a c e e h f z c o t cu e, l mo o o t s s in, n h e ss n e w r r i a r t c a a t r e y XRD, E EM , h rc ei d b z F S UV —v s l p cr s o y a d fu - rb e it i / q a e r ssa c e tr a d t e ef cs ii e s e t c p , n o r o e r s i t s u r e itn e tse , n h f t b o p s vy e 0 b d p n mo n so r sal e mi rsr cu e, r sa ie t n miso a d c n u t i r p r e ft e AT l fS o ig a u t n c y tli co t tr c t sz -r s s in- n o d ci t p o et s o h O f ms n u y l a vy i i we ei v sia e y t ma ial . s l h we a ep e a e T f msh d tta o a a str e s u t r n ep e r n e tg t d s se t l Re u t s o d t t h rp rd A O i a er g n l s i i t cu e a d t r — c y s h t l c et r h