ic hoe vce
β = hfe
rce= 1/hoe
• ur很小，一般为10-3∼10-4 ， 很小，一般为10 • rce很大，约为100kΩ。故 很大，约为100kΩ 100k 一般可忽略它们的影响， 一般可忽略它们的影响， 得到简化电路 BJT的 BJT的H参数模型为
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
2
β 一般用测试仪测出； 一般用测试仪测出；
H参数的确定 H参数的确定
rbe 与Q点有关，可用图示 点有关，
仪测出。 仪测出。 也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ β ) re
rb为基区电阻，约为200Ω 为基区电阻，约为200 200Ω
VT (m ) V 26(m ) V re = = IEQ(m ) IEQ(m ) A A
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
二
建立小信号模型的思路
当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管 当放大电路的输入信号电压很小时， 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替， 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三 极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。
dvBE = ∂vBE ∂iB
VCE ⋅ di + B
ic ib + vbe – b e c + vce –
∂iC d iC = ∂iB
∂iC VCE ⋅ diB + ∂vCE
∂vBE ∂vCE
IB
⋅ dvCE
IB
⋅ dvCE
下页 返回
上页
模拟电子技术基础
vbe = hieib + hrevce ic = hfe ib + hoevce
ib + vbe – c b
体 晶 管
ic + vce – 等效
ib + vbe –
线 性 网 络
ic + vce –
e BJT
线性二端口网络
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
3.4.1 H参数的引出 H参数的引出
对于BJT双口网络， 对于BJT双口网络，输 BJT双口网络 入输出特性曲线如下： 入输出特性曲线如下： vBE = f (iB，vCE) ， iC = g (iB ，vCE) 在小信号情况下，对上两式取全微分得 在小信号情况下，
上页
下页
返回
ɺ ɺ ′ ɺ Vo = −IcRL = −βIb (RC // RL)
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
ɺ Ib
ɺ Vi
+
RB
rbe
b c
T
ɺ Ic
β ib
e
+
ɺ RL Vo
−
RC
−
故
ɺ · Vo A = ɺ V · V
i
·
· − βIb (RC // RL ) = · Ibrbe ′ βRL =− rbe
RB C1
,
−VCC
C2
RC
+
vi
+
+
T
+
−
RL vo
−
[解] (a) 画出放大电路的直流通路
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
−VCC
+
vi
+
RB C1
RC
−VCC
C2
+
T
+
RB
IBQ
RC
−
由图可知
RL vo
VBEQ
+
T+
ICQ
−
直流通路
−
VCEQ
−
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
−VCC
RB
IBQ
ɺ VT R = ɺ = RB || r i be IT
通常
，故
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
c. 输出电阻 o 输出电阻R 由定义
ɺ VT Ro = ɺ IT
VS=0 RL =∞
vi
+
ib bT c
RB rbe
e
ic
β ib
+
RL vo
−
RC
−
T c
ic
β ib RC
e
ɺ IT
ii
ib
画出求输出电 阻的等效电路
b
+
ib hie hrevce
_ +
ic c
hfeib
+
vbe
_
1/hoe v ce e H小信号模型
上页 下页 返回 _
模拟电子技术基础
其中： 其中：
∂vBE hie = ∂iB ∂iC hfe = ∂iB
VCE
vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce
输出端交流短路时的输入电阻； 输出端交流短路时的输入电阻； 输出端交流短路时的正向电流传输比或电 流放大系数； 流放大系数； 输入端电流恒定（交流开路） 输入端电流恒定（交流开路）的反向电压传输比 输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。 输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。
+
ɺ VS = 0
b
−
RB rbe
ɺ V T
+
−
Ro
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
由图可知 当 VS = 0 时 ii
求输出电阻 的等效电路
ib
+
VS = 0
b
T c
ic
β ib RC
ɺ IT
ib = 0
−
RB rbe
e
ɺ V T
+
−
Ro 故
ɺ VT Ro = ɺ IT ɺ VT = ɺ = RC ɺ VS=0 T C RL =∞ V / R
−
RB rbe
e 上页
RC
−
下页 Ib
ɺ Vi
+
b c
ɺ β Ib
ɺ Ic
+
ɺ RL Vo
−
RB rbe
e
RC
−
图中
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
ɺ Ii
ɺ Ib
ɺ Vi
+
b c
ɺ β Ib
ɺ Ic
+
ɺ RL Vo
−
RB rbe
e
RC
由微变等效电路得
−
Ri=RB//rbe≈rbe=1.1 kΩ Ω
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
在图示电路中，已知：VCC=12 V， RC=2 kΩ， [例] 在图示电路中，已知 ， Ω RB=360 kΩ；晶体管 为锗管，其 为锗管， Ω 晶体管T为锗管 =β =60 , C1=C2=10 µF，RL=2 kΩ。试求 ， Ω 试求： (a) 晶体管的 BQ，ICQ 及 晶体管的I VCEQ值； (b) 放大电路的 V，Ri， 放大电路的A Ro。
VCE
∂vBE hre = ∂vCE
IB
∂iC hoe = ∂vCE
IB
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（ 四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H (hybrid) 参数）。 参数）。
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
1 模型的简化
一般采用习惯符号 即 rbe= hie ur = hre
ib hie vbe hrevce hfeib
RC
VBEQ
+
T+
ICQ
−
VCEQ
−
(b) 首先画出放大电路的交流通路
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
−VCC
交流通路
+
vi
+
RB C1
RC
C2
+
T
+ +
vi
T
RB
+
RL vo
−
RL vo
RC
−
微变等效电路
ɺ Ii
−
ɺ Ib
−
b c
ɺ β Ib
其次画出放大电路 的微变等效电路
ɺ Vi
+
ɺ Ic
+
ɺ RL Vo
vo与vi相位相反
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
ɺ IT
ɺ VT
+
→
ib bT c
rbe
e
ic
−
RB
β ib
+
RL vo
RC
Ri b. 输入电阻 i 输入电阻R 由图可知
ɺ VT R = ɺ i IT
−
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
vi
+
RB
ib bT c
rbe
e
ic
β ib
+
RL vo
−
Ri
RC
−
(T=300K)
，
re为发射结电阻。 为发射结电阻。
26(m ) V rbe ≈ 200Ω+ (1+ β) IEQ(m ) A
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
2．H参数的应用 ． 参数 参数的应用
应用小信号模型分析下图所示的基本放大电路。 应用小信号模型分析下图所示的基本放大电路。