合同订立原则
平等原则：
根据《中华人民共和国合同法》第三条：“合同当事人的法律地位平等，一方不得将自己的意志强加给另一方”的规定，平等原则是指地位平等的合同当事人，在充分协商达成一致意思表示的前提下订立合同的原则。这一原则包括三方面内容：①合同当事人的法律地位一律平等。不论所有制性质，也不问单位大小和经济实力的强弱，其地位都是平等的。②合同中的权利义务对等。当事人所取得财产、劳务或工作成果与其履行的义务大体相当；要求一方不得无偿占有另一方的财产，侵犯他人权益；要求禁止平调和无偿调拨。③合同当事人必须就合同条款充分协商，取得一致，合同才能成立。任何一方都不得凌驾于另一方之上，不得把自己的意志强加给另一方，更不得以强迫命令、胁迫等手段签订合同。
自愿原则：
根据《中华人民共和国合同法》第四条：“当事人依法享有自愿订立合同的权利，任何单位和个人不得非法干预”的规定，民事活动除法律强制性的规定外，由当事人自愿约定。包括：第一，订不订立合同自愿；第二，与谁订合同自愿，；第三，合同内容由当事人在不违法的情况下自愿约定；第四，当事人可以协议补充、变更有关内容；第五，双方也可以协议解除合同；第六，可以自由约定违约责任，在发生争议时，当事人可以自愿选择解决争议的方式。
公平原则：
根据《中华人民共和国合同法》第五条：“当事人应当遵循公平原则确定各方的权利和义务”的规定，公平原则要求合同双方当事人之间的权利义务要公平合理具体包括：第一，在订立合同时，要根据公平原则确定双方的权利和义务；第二，根据公平原则确定风险的合理分配；第三，根据公平原则确定违约责任。诚实信用原则：
根据《中华人民共和国合同法》第六条：“当事人行使权利、履行义务应当遵循诚实信用原则”的规定，诚实信用原则要求当事人在订立合同的全过程中，都要诚实，讲信用，不得有欺诈或其他违背诚实信用的行为。
集成电路制作合同
立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下：
第一条标的物：委托芯片名称_________
（ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。
第二条功能规格确认
一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。
二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验证。
三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。
四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。
第三条样品试制进度
一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。
二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。
第四条样品之确认
一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（Layout）与TAPEOUTFORM不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。
二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及TAPEOUTFORM 中指定不符，且甲方能证明失败之样品是缘由制程之缺失所造成，甲方应于肆拾伍日之测试期限内以书面向乙方提出异议。如甲方未于此肆拾伍日之期限内向乙方提出异议，则视为样品已为甲方所确认。
三、乙方应于收到甲方所提之异议书拾伍个工作日内，将该异议交由第三公正单位评定。若甲方所提出之异议经评定，其系可归责予乙方时，乙方应要求代工厂重新制作样品。新样品之测试与确认，仍依本合约第二条第二、三及四款规定行之。除本项规定重新制作之外，甲方对乙方不得为任何其它赔偿之请求。
四、如新样品仍与甲方指定之规格不符，则甲方得要求终止合约。惟甲方不得向乙方索回已付予乙方之费用，且不得就本合约对乙方为任何损害赔偿请求，乙方亦不得向甲方请求任何除已付费用外之补偿。
第五条试制费用试制费用依乙方订定之计费标准为准。
第六条付款方式
一、甲方填送委托制作申请单、委托制作集成电路合约书及TAPEOUTFORM电子文件，连同拟下线的布局档案资料传送至乙方，并由乙方寄送芯片制作缴款通知函予甲方。
二、甲方收到芯片制作缴款通知函一个月内应以即期支票支付费用予乙方，乙方于收到费用后始制寄发票寄予甲方。甲方需于付款后始能领取该标的物。
第七条专利权或著作权甲方保证所委托之设计案布图（Layout）资料绝无任何违反专利权或著作权法之相关规定，或侵害他人智能财产权之情事，若有涉及侵害他人权利之情形，概由甲方负责，如造成乙方损害，并应赔偿之。
第八条所有权与使用权与本设计案有关之光罩及制程资料之所有权与使用权均归属乙方。甲方为制作光罩需要、同意乙方将布局图资料交由乙方委托之代工厂，但乙方应责成代工厂严守保密责任。
第九条保密甲方所提供本设计案之布局图（Layout）及光罩均为甲方机密资料，非经甲方书面同意，乙方及其所委托之代工厂不得将该资料泄漏予任何第三者，亦不得将相关之资料、文
件，挪作与履行本合约义务无关之其它用途，或提供给任何第三者使用。
第十条不可抗力本合约因天灾、战争或其它非可归责于双方当事人之事由，致无法履行时，一方应于事由发生时通知他方，并本诚实信用原则，协助他方将损害减到最低。
第十一条合约有效期限
一、本合约自签约日起生效，至签约日起满二年自动失效，期满后经双方同意得另以书面续约。
二、本合约于合约期限届至前可因下列事由终止之：
（一）双方书面同意
（二）甲方依第四条第四款规定终止合约
（三）如甲方有受破产宣告、清算、重整等事由，或其负责人犯法定刑为三年以上有期徒刑之罪，乙方得不经预告终止之
（四）甲方所交付之布局图有侵害他人智能财产权之情事时，乙方得不经预告终止之。
第十二条合意管辖因本合约所生争议，双方合意以
_________法院为第一审管辖法院。
第十三条本合约若有未尽事宜，悉依_________有关法令规定定之。
第十四条本合约附件为合约之一部，与本合约有同一效力。
第十五条本合约之修订、变更或增删，非经双方书面同意不得为之。
第十六条本合约壹式贰份，甲乙双方各执壹份为凭，印花税各自负担。
甲方（盖章）：_______ 乙方（盖章）：_______
负责人（签字）：_____ 代理人（签字）：_____
地址：_______________ 地址：_______________ _______年____月____日_______年____月____日附件：
委托芯片制作申请表（94年度）
集成电路制作合同修订版 Effectively restrain the parties’ actions and ensure that the legitimate rights and interests of the state, collectives and individuals are not harmed ( 合同范本 ) 甲方：______________________ 乙方：______________________ 日期：_______年_____月_____日 编号：MZ-HT-089793
集成电路制作合同修订版 立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下：第一条标的物：委托芯片名称_________（ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。 第二条功能规格确认 一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。 二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM 为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验证。 三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。
四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。 第三条样品试制进度 一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。 二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。 第四条样品之确认 一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（Layout）与TAPEOUTFORM不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。 二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及TAPEOUTFORM中指定不
知识产权战略合作协议范本 甲方： 乙方： 风险提示： 合作的方式多种多样，如合作设立公司、合作开发软件、合作购销产品等等，不同合作方式涉及到不同的项目内容，相应的协议条款可能大不相同。 本协议的条款设置建立在特定项目的基础上，仅供参考。实践中，需要根据双方实际的合作方式、项目内容、权利义务等，修改或重新拟定条款。 双方本着“资源共享，互惠互利”的原则就知识产权战略合作达成共识如下：风险提示： 应明确约定合作方式，尤其涉及到资金、技术、劳务等不同投入方式的。同时，应明确各自的权益份额，否则很容易在项目实际经营过程中就责任承担、盈亏分担等产生纠纷。 第一条服务范围 在本合同有效期内，乙方向甲方提供以下范围内的知识产权及科研管理咨询与培训服务： 1、为辖区企业知识产权创造、运用、保护和科研管理工作提供咨询和建议，包括但不限于：专利、商标、著作权申请注册，专利无效诉讼
和侵权诉讼，商标异议，专利信息利用，专利权质押贷款，知识产权价值评估、企业知识产权工作体系建设，科研项目及管理的制度建设。 2、定期为企业进行知识产权、研发管理培训，逐步完善企业研发管理制度，提高企业创新能力和知识产权保护意识。 3、定期为企业提供技术创新、科技研发，专利、商标、著作权和集成电路布图设计各种知识产权保护的相关政策、知识和重要案例等信息。 4、为企业提供科研管理咨询服务，包括高新技术企业认定、各级科技专项立项政策咨询辅导等。 第二条甲方责任义务风险提示： 应明确约定合作各方的权利义务，以免在项目实际经营中出现扯皮的情形。 再次温馨提示：因合作方式、项目内容不一致，各方的权利义务条款也不一致，应根据实际情况进行拟定。 1、搜集、调研科技型中小企业在技术创新过程中所遇到的知识产权方面的问题，组织相关培训与知识讲座。 2、努力为乙方开展知识产权服务提供便利条件。 第三条乙方责任义务 1、对园区企业所提供的技术资料负有保密责任。 2、及时为园区委托企业办理专利申请，并在企业提交技术交底书和其他所需申请文件并交付申请费用的情况下，完成专利申请的申报工作。在收到《专利受理通知书》后应及时通知委托企业领取。 3、定期组织专家为园区内企业进行关于建立自主知识产权保护体系的讲座，内容包括：专利法相关知识，专利申请材料的准备，如何利用
集成电路制作合同 立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下： 第一条标的物：委托芯片名称_________ （ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。 第二条功能规格确认 一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。 二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验证。 三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。 四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。 第三条样品试制进度
一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。 二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。 第四条样品之确认 一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（Layout）与TAPEOUTFORM不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。 二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及TAPEOUTFORM中指定不符，且甲方能证明失败之样品是缘由制程之缺失所造成，甲方应于肆拾伍日之测试期限内以书面向乙方提出异议。如甲方未于此肆拾伍日之期限内向乙方提出异议，则视为样品已为甲方所确认。 三、乙方应于收到甲方所提之异议书拾伍个工作日内，将该异议交由第三公正单位评定。若甲方所提出之异议经评定，其系可归责予乙方时，乙方应要求代工厂重新制作样品。新样品之测试与确认，仍依本合约第二条第二、三及四款规定行之。除本项规定重新制作之外，甲方对乙方不得为任何其它赔偿之请求。
集成电路制作合同精装版 Clarify their rights and obligations, and ensure that the legitimate rights and interests of both parties are not harmed ( 合同范本 ) 甲方：______________________ 乙方：______________________ 日期：_______年_____月_____日 编号：MZ-HT-004577
集成电路制作合同精装版 立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下： 第一条标的物：委托芯片名称_________（ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。 第二条功能规格确认 一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。 二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验证。 三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。
四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。 第三条样品试制进度 一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。 二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。 第四条样品之确认 一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（Layout）与TAPEOUTFORM不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。 二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及TAPEOUTFORM中指定不符，且
集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
编号：_____________电缆采购框架合同 甲方：________________________________________________ 乙方：___________________________ 签订日期：_______年______月______日
甲方 乙方 第一条定义 1.1 甲方：除本合同有特殊约定外，指本合同封面页所列的法人及附件所附的关联企业。 1.2 乙方：指本合同封面页所列的法人及其关联企业。 1.3 产品: 指甲方生产所需的各种设备备件、工具、仪器、劳保用品等或及于本合同期间内或其延长的期间内，甲方指定的其它产品。该等产品的品名、规格、型号、性能、数量及价格等项目，以甲方订单、质量协议书、其它甲方所制作的文书为准。 1.4 技术资料: 指有关产品的设计、制造或商业生产有关的设计、图样、模型、原型、规格说明、技术文件、制造数据、采购规格说明、质量管理规范说明及其它此类的数据。该数据的形式包括但不限于材料表、图样、技术及产品的规格说明、材料规格说明、技术指示、技术报告及其它有关产品的商业生产、装配等资料。 1.5 订单：指甲方通过网络平台发出的订单以及盖有甲方公章的订单，其内容载有具体产品品名、型号、规格、数量、价格、交付方式、交付地点等交易条件。 1.6 标识：指企业名称、商标、服务标章、产品名称、符号、标记、式样、颜色、图案、气味、宣传用语及其它用以显示企业、产品、服务、营运等标识。 1.7 知识产权: 指专利权、商标权、著作权、专门技术、工业设计、商业秘密、集成电路电路布局及其标的、申请权、权能和实施权。 1.8 商业秘密：指具有财产利益或经济价值的任何机密信息，包括但不限于原型、程序、配方、材料、尺寸、工艺、制程、概念、创意、发现、模具、电路图、效果图、著作原件、操作手册、产品规格、专门技术、市场信息、渠道信息、客户信息、营销数据、技术数据、财务数据及其它经营数据，且该机密数据不限于书面形式。 1.9 关联企业：指一方直接或间接拥有(被拥有)或控制(被控制)其财务、技术、生产、采购、市场或人事的公司和单位,或直接或间接同为第三方拥有(被拥有)或控制(被拥有)的公司和单位,包括但不限于法定的从属公司、单位及相互投资公司、单位。 1.10 最终用户：甲方各实际使用乙方产品的各生产单位、法人或工厂。
集成电路布图设计合同纠纷 案件分类:（1）集成电路布图设计创作合同纠纷;（2）集成电路布图设计专有权转让合同纠纷; (3) 集成电路布图设计许可使用合同纠纷. 一、集成电路布图设计合同的含义 集成电路布图设计合同纠纷是指当事人就集成电路布图设计的创作、有关权利的转让和许可使用等内容所订立的合同而发生的纠纷。集成电路布图设计创作合同纠纷是指当事人就集成电路布图设计的创作所订立的合同而发生的纠纷。包括委托创作合同纠纷和合作创作合同纠纷。集成电路布图设计专有权转让合同纠纷是指当事人就集成电路布图设计专有权的转让所订立的合同而发生的纠纷。集成电路布图设计许可使用合同纠纷是指当事人就集成电路布图设计的许可使用所订立的合同而发生的纠纷。 二、集成电路布图设计合同纠纷的诉讼管辖 由于合同标的物所涉集成电路布图的特殊性，最髙人民法院对集成电路布图设计合同纠纷管辖作出了特殊规定，即相关案件的受理必须遵守最髙人民法院关于指定管辖和级别管辖的相关规定。根据最高人民法院《关于开展涉及集成电路布图设计案件审判工作的通知》的规定，该通知第1条所列第（5）至（10）类案件，由北京市第一中级人民法院作为第一审人民法院审理；其余各类案件，由各省、自治区、直辖市人民政府所在地，经济特区所在地和大连、青岛、温州、佛山、烟台市的中级人民法院作为第一审人民法院审理。 三、确定集成电路布图设计合同纠纷案由应当注意的问題 集成电路布图设计相对而言是一类比较新型的知识产权。《规定》将涉及集成电路布图设计合同纠纷单列为一类知识产权合同纠纷，并在作为第三级案由的同时分列了3个四级案由。最髙人民法院《关于审理技术合同纠纷案件适用法律若干问题的解释》第46条第1款规定：“集成电路布图设计、植物新品种许可使用和转让等合同争议，相关行政法规另有规定的，适用其规定；没有规定的，适用合同法总则的规定，并可以参照合同法第十八章和本解释的有关规定处理。”该款规定只涉及集成电路布图设计合同案件的法律适用问题，不涉及案由确定问题。除非合同主要权利义务是关于利用集成电路布图设计提供咨询、服务和培训，不应将有关争议确定为《规定》中的技术合同纠纷。集成电路布图设计创作合同纠纷包括因合作创作和委托创作发生的合同纠纷，但涉及专有权权属纠纷的除外。对于当事人之间因集成电路布图设计专有权权属发生的争议，应当按照《规定》中集成电路布图设计专有权权属纠纷确定案由。实践中，还存在一种集成电路布图设计代理合同。集成电路布图设计代理合同是委托人与集成电路布图设计代理机构就办理集成电路布图设计登记申请或者办理其他与集成电路布图设计有关事务达成的协议。对于集成电路布图设计代理合同纠纷，《规定》未作出具体列举，但参照专利和商标代理合同纠纷的案由归类，也应当作为集成电路布图设计合同纠纷受理。
2021最新芯片常年合作合同范本联系电话： 风险提示：合作的方式多种多样，如合作设立公司、合作开发软件、合作购销产品等等，不同合作方式涉及到不同的项目内容，相应的协议条款可能大不相同。本协议的条款设置建立在特定项目的基础上，仅供参考。实践中，需要根据双方实际的合作方式、项目内容、权利义务等，修改或重新拟定条款。 甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下： 第一条、合作项目 1、芯片名称：__________________。 2、甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。 第二条、功能规格确认 1、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。
2、甲方的布图资料，概以甲方填写为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图作任何计算机软件辅助验证。 3、标的物之样品验证系以乙方委托________工厂标准的______值为准，甲方不得作特殊要求。 4、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制作上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。 第三条、样品试制进度 1、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。 2、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。 第四条、样品之确认 1、甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图不符合标准，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。 2、甲方应于收到标的物试制样品后______日之内完成样品之测试。若该样品与甲
qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqw ertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiop asdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjk lzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbn mqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwert yuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopas dfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklz xcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnm qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyu iopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg hjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcv bnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqw 集成电路制作合同ertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiop asdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjk lzxcvbnmrtyuiopasdfghjklzxcvbnmqw ertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiop asdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjk lzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbn mqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwert yuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopas dfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklz xcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnm qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyu iopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg hjklzxcvbnmrtyuiopasdfghjklzxcvbnm qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyu iopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg hjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcv bnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqw ertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiop asdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjk lzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbn mqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwert yuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopas dfghjklzxcvbnmrtyuiopasdfghjklzxcvb
集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
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集成电路制作合同(正式版) The Purpose Of This Document Is T o Clarify The Civil Relationship Between The Parties Or Both Parties. After Reaching An Agreement Through Mutual Consultation, This Document Is Hereby Prepared 注意事项：此合同书文件主要为明确当事人或当事双方之间的民事关系，同时保障各自的合法权益，经共同协商达成一致意见后特此编制，文件下载即可修改，可根据实际情况套用。 立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下： 第一条标的物：委托芯片名称_________（ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。 第二条功能规格确认 一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。 二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验
证。 三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。 四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。 第三条样品试制进度 一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。 二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。 第四条样品之确认 一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，
1、解释基本概念：集成电路，集成度，特征尺寸 参考答案： A、集成电路（IC：integrated circuit）是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的集成块。 B、集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。 C、特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长（L）尺寸。 2、写出下列英文缩写的全称：IC，MOS，VLSI，SOC，DRC，ERC，LVS，LPE 参考答案： IC：integrated circuit；MOS：metal oxide semiconductor；VLSI：very large scale integration；SOC：system on chip；DRC：design rule check；ERC：electrical rule check；LVS：layout versus schematic；LPE：layout parameter extraction 3、试述集成电路的几种主要分类方法 参考答案： 集成电路的分类方法大致有五种：器件结构类型、集成规模、使用的基片材料、电路功能以及应用领域。根据器件的结构类型，通常将其分为双极集成电路、MOS集成电路和Bi-MOS 集成电路。按集成规模可分为：小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。按基片结构形式，可分为单片集成电路和混合集成电路两大类。按电路的功能将其分为数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。按应用领域划分，集成电路又可分为标准通用集成电路和专用集成电路。 4、试述“自顶向下”集成电路设计步骤。 参考答案： “自顶向下”的设计步骤中，设计者首先需要进行行为设计以确定芯片的功能；其次进行结构设计；接着是把各子单元转换成逻辑图或电路图；最后将电路图转换成版图，并经各种验证后以标准版图数据格式输出。 5、比较标准单元法和门阵列法的差异。 参考答案：
实验一 EDA软件实验 一、实验目的： 1、掌握Xilinx ISE 9.2的VHDL输入方法、原理图文件输入和元件库的调用方法。 2、掌握Xilinx ISE 9.2软件元件的生成方法和调用方法、编译、功能仿真和时序仿真。 3、掌握Xilinx ISE 9.2原理图设计、管脚分配、综合与实现、数据流下载方法。 二、实验器材： 计算机、Quartus II软件或xilinx ISE 三、实验内容： 1、本实验以三线八线译码器（LS74138）为例，在Xilinx ISE 9.2软件平台上完成设计电 路的VHDL文本输入、语法检查、编译、仿真、管脚分配和编程下载等操作。下载芯片选择Xilinx公司的CoolRunner II系列XC2C256-7PQ208作为目标仿真芯片。 2、用1中所设计的的三线八线译码器（LS74138）生成一个LS74138元件，在Xilinx ISE 9.2软件原理图设计平台上完成LS74138元件的调用，用原理图的方法设计三线八线译 码器（LS74138），实现编译，仿真，管脚分配和编程下载等操作。 四、实验步骤： 1、三线八线译码器（LS 74138）VHDL电路设计 (1)三线八线译码器（LS74138）的VHDL源程序的输入 打开Xilinx ISE 6.2编程环境软件Project Navigator，执行“file”菜单中的【New Project】命令，为三线八线译码器（LS74138）建立设计项目。项目名称【Project Name】为“Shiyan”,工程建立路径为“C:\Xilinx\bin\Shiyan1”，其中“顶层模块类型（Top-Level Module Type）”为硬件描述语言（HDL），如图1所示。 图1 点击【下一步】，弹出【Select the Device and Design Flow for the Project】对话框，在该对话框内进行硬件芯片选择与工程设计工具配置过程。
知识产权战略合作协议范本 甲方: 乙方: 风险提示： 合作的方式多种多样，如合作设立公司、合作开发软件、合作购销产品等等，不同合作方式涉及到不同的项目内容，相应的协议条款可能大不相同。 本协议的条款设置建立在特定项目的基础上，仅供参考。实践中，需要根据双方实际的合作方式、项目内容、权利义务等，修改或重新拟定条款。 双方本着资源共享，互惠互利”的原则就知识产权战略合作达成共识如下： 风险提示： 应明确约定合作方式，尤其涉及到资金、技术、劳务等不同投入方式的。同时，应明确各自的权益份额，否则很容易在项目实际经营过程中就责任承担、盈亏分担等产生纠纷。 第一条服务范围 在本合同有效期内，乙方向甲方提供以下范围内的知识产权及科研管理咨询与培训服务： 1、为辖区企业知识产权创造、运用、保护和科研管理工作提供咨询和建议，包括但不限于专利、商标、著作权申请注册，专利无效诉讼和侵权诉讼，商标异议，专利信息利用，专利权质押贷款，知识产权价值评估、企业知识产权工作体系建设，科研项目及管理的制度建设。 2、定期为企业进行知识产权、研发管理培训，逐步完善企业研发管理制度，提高企业创新能力和知识产权保护意识。 3、定期为企业提供技术创新、科技研发，专利、商标、著作权和集成电路布图设计各种知识产权保护的相关政策、知识和重要案例等信息。 4、为企业提供科研管理咨询服务，包括高新技术企业认定、各级科技专项立项政策咨询辅导等。第二条甲方责任义务 风险提示： 应明确约定合作各方的权利义务，以免在项目实际经营中出现扯皮的情形。 再次温馨提示：因合作方式、项目内容不一致，各方的权利义务条款也不一致，应根据实际情况进行拟定。 1、搜集、调研科技型中小企业在技术创新过程中所遇到的知识产权方面的问题，组织相关培训与知识讲座。 2、努力为乙方开展知识产权服务提供便利条件。 第三条乙方责任义务 1、对园区企业所提供的技术资料负有保密责任。 2、及时为园区委托企业办理专利申请，并在企业提交技术交底书和其他所需申请文件并交付申请费用的情况下，完成专利申请的申报工作。在收到《专利受理通知书》后应及时通知委托企业领取。 3、定期组织专家为园区内企业进行关于建立自主知识产权保护体系的讲座，内容包括：专利法 相关知识，专利申请材料的准备，如何利用专利文献确定新产品的研发方向，专利申请的策略如何利用专利群进行专利侵权诉讼等，具体讲课内容可根据园区内企业的要求与甲方协商确 第四条双方的义务 1甲方应制定年度市场开发计划，积极利用自身优势迅速开展工作。 2、对需要乙方提供咨询服务的内容，甲方应以书面指令信函（信件、传真或者电邮）的方式 通知乙方。乙方应在收到甲方指令信函后，迅速指派相关人员按照甲方的要求开展工作，并及
集成电路设计产业技术合作协议 甲方：_____________________________ 乙方：_____________________________ 签订日期：_____ 年______ 月______ 日 乙方：_________________ _________________ 以建设公共技术服务平台为核心，构造EDA设计、验证、MPW服务体系，提供设计咨询、设计服务、IP服务等技术支撑半
台，建设多元化的专业辫化器和人才培训基地，引进风险投资，解小扶强、多出产品、多出人才，以提高集成电路设计行业在高新技术产业发展中的技术支撑水平，实现对国民经济增长的实际贡献。 经双方友好协商，达成共识，特签订本服务协议。 第一条甲方为乙方免费提供 _______________________ o 第二条甲方可以将乙方纳入行业统计的范围。 第三条乙方有义务遵守中心的管理规定。 第四条乙方可以优惠价格享受甲方提供的各种_________ 设施（包括EDA平台、验证平台、公共实验室等），以及各项技术服务（MPW投片服务、IP 服务、设计服务等）。 第五条乙方可以优惠价格参加甲方举办的技术培训、技术交流和技术展览等活动。 第八条本协议未经甲方和乙方的书面同意不得修改。 第七条本协议的解释和履行接受中国法律管辖。双方应协商解决分歧，并且努力达成友好解决方案。任何因本协议引起或与本协议有关的未解决争议、权利请求、违约、协议终止和有效性等，如无法通过友好协商解决，可提交 ________ 仲裁委员会仲裁。 第八条本协议自双方盖章并授权代表签署之日起生效，有效期为 ________ 年。 第九条本协议一式两份，具有同等效力，协议双方各持一份。 甲方（盖章）： _______ 代表（签字）： _______ ________ 年—月—口
C M O S集成电路制造工艺 流程 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
陕西国防工业职业技术学院课程报告 课程微电子产品开发与应用 论文题目CMOS集成电路制造工艺流程 班级电子3141 姓名及学号王京（24#） 任课教师张喜凤 目录
CMOS集成电路制造工艺流程 摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。 引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。 关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。 分类 CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS，是在低阻n＋衬底上再外延一层中高阻n――硅层，然后在外延层中制造n 阱和p阱，并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管，从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成，有利于降低寄生电容，增加跨导，增强p沟和n沟晶体管的平衡性，适用于高性能电路的制造。
采购框架协议范本 本采购框架协议（下称“本协议”）由以下双方根据《中华人民共和国合同法》等相关法律法规的规定，经友好协商一致并签署： 【】是一家根据中华人民共和国法律成立的公司，统一社会信用代码为【】，注册地址为【】（以下简称为“甲方”）。 【】是一家根据中华人民共和国法律成立的公司，统一社会信用代码为【】，注册地址为【】（以下简称为“乙方”）。 根据具体情况，甲方及乙方可统称为“双方”或分别称为“一方”、“另一方”。 鉴于本协议旨在为建立长期稳定的采购关系奠定基础，在这一关系下，甲方同意采购且乙方同意供应根据本协议及附件一“采购订单”中所述的产品和/或服务。 1.定义 以下术语在本协议中具有如下含义： 1.1“采购订单”是指甲方向乙方发出的要求乙方根据相关的协议进行交易的 采购授权文件。 1.2“采购协议”是指本协议、相关的采购说明书、采购订单以及本协议中特 别引用的任何其他附件或附录。 1.3“产品”是指乙方根据采购订单中的规定为甲方制造或提供给甲方的物 品。“产品”包括但不限于（i）硬件；（ii）材料；以及（iii）其他产品 等。 1.4“服务”是指乙方按照采购订单中的规定为甲方完成的工作。 1.5“关联公司”是指控制本协议的一方、受该方控制或与该方共同受他方控 制的实体。 1.6“设计缺陷”是指（i）导致产品无法满足适用的产品规范或无法按照该规 范正常运转的重复性或实质性的缺陷；或（ii）在任意的一堆、一批或其 他可单独区分的一组产品中，发生率超过万分之5的缺陷；或（iii）甲方 认为会成为安全或法律隐患的情况。 1.7“生产材料”是指乙方在其制造产品过程中使用的材料（含危险物质）， 包括但不限于焊料、环氧化物和胶粘物。 1.8“文档”是指与安装、使用、操作、功能、故障排除以及其他使用产品所 需的技术信息相关的，如用户指南、规格说明书、手册等文件。 1.9“知识产权”（IntellectualPropertyRight，缩写为“IPR”）是指任何及所 有：（i）版权、商标、商号、域名、与商标和商号相关的商誉、设计和 专利；（ii）与创新、技术诀窍、商业秘密、保密技术、非技术信息相关 的权利；（iii）人身权、集成电路布图设计专有权、署名权和发表权；以 及（iv）在生效日期之前已存在或此后出现在世界任何地方的其他工业产 权、专有权、与知识产权相关的权利，以及上述权利的所有续期和延长，无论此类权利是否已在相关法域内的相关机构注册。 2.适用范围 2.1本协议适用于在本协议期限内甲方向乙方采购产品和/或服务（具体产品以
Both parties jointly acknowledge and abide by their responsibilities and obligations and reach an agreed result. 甲方：___________________ 乙方：___________________ 时间：___________________ 集成电路制作合同
编号：FS-DY-20621 集成电路制作合同 立约人_____（以下简称甲方）与_____（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下： 第一条标的物：委托芯片名称_____（icno._____），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。 第二条功能规格确认 一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。 二、甲方的布图（layout）资料，概以甲方填写之tapeoutform为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（layout）作任何计算机软件辅助验证。 三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（wat）值为准，甲方不得作特殊要求。
四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。 第三条样品试制进度 一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。 二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。 第四条样品之确认 一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（layout）与tapeoutform不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。 二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及tapeoutform中指定不符，且甲方能证明失败之样品是缘由制程之缺失所造成，甲方应于肆拾伍日之测试期限内以书面向
A/D转换器的设计 一．实验目的： （1）设计一个简单的LDO稳压电路 （2）掌握Cadence ic平台下进行ASIC设计的步骤； （3）了解专用集成电路及其发展，掌握其设计流程； 二．A/D转换器的原理： A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量。 模拟量可以是电压、电流等电信号，也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号。但在A/D转换前，输入到A/D转换器的输入信号必须经各种传感器把各种物理量转换成电压信号。符号框图如下： 数字输出量 常用的几种A/D器为; (1):逐次比较型 逐次比较型AD由一个比较器和DA转换器通过逐次比较逻辑构成，从MSB 开始，顺序地对每一位将输入电压与内置DA转换器输出进行比较，经n次比较而输出数字值。其电路规模属于中等。其优点是速度较高、功耗低，在低分辩率（<12位）时价格便宜，但高精度（>12位）时价格很高。 (2): 积分型 积分型AD工作原理是将输入电压转换成时间(脉冲宽度信号)或频率(脉冲频率)，然后由定时器/计数器获得数字值。其优点是用简单电路就能获得高分辨率，但缺点是由于转换精度依赖于积分时间，因此转换速率极低。初期的单片AD转换器大多采用积分型，现在逐次比较型已逐步成为主流。 (3):并行比较型/串并行比较型
并行比较型AD采用多个比较器，仅作一次比较而实行转换，又称FLash(快速)型。由于转换速率极高，n位的转换需要2n-1个比较器，因此电路规模也极大，价格也高，只适用于视频AD转换器等速度特别高的领域。 串并行比较型AD结构上介于并行型和逐次比较型之间，最典型的是由2个n/2位的并行型AD转换器配合DA转换器组成，用两次比较实行转换，所以称为Half flash(半快速)型。还有分成三步或多步实现AD转换的叫做分级型AD，而从转换时序角度又可称为流水线型AD，现代的分级型AD中还加入了对多次转换结果作数字运算而修正特性等功能。这类AD速度比逐次比较型高，电路规模比并行型小。 一．A/D转换器的技术指标: (1）分辨率,指数字量的变化，一个最小量时模拟信号的变化量，定义为满刻度与2^n的比值。分辨率又称精度，通常以数字信号的位数来表示。 (2）转换速率,是指完成一次从模拟转换到数字的AD转换所需的时间的倒数。积分型AD的转换时间是毫秒级属低速AD，逐次比较型AD是微秒级，属中速AD，全并行/串并行型AD可达到纳秒级。采样时间则是另外一个概念，是指两次转换的间隔。为了保证转换的正确完成，采样速率必须小于或等于转换速率。因此有人习惯上将转换速率在数值上等同于采样速率也是可以接受的。常用单位ksps 和Msps，表示每秒采样千/百万次。 (3）量化误差，由于AD的有限分辩率而引起的误差，即有限分辩率AD的阶梯状转移特性曲线与无限分辩率AD（理想AD）的转移特性曲线（直线）之间的最大偏差。通常是1 个或半个最小数字量的模拟变化量，表示为1LSB、1/2LSB。（4）偏移误差，输入信号为零时输出信号不为零的值，可外接电位器调至最小。（5）满刻度误差，满度输出时对应的输入信号与理想输入信号值之差。 （6）线性度，实际转换器的转移函数与理想直线的最大偏移，不包括以上三种误差。 三、实验步骤 此次实验的A/D转换器用的为逐次比较型，原理图如下：