内存的指标、相关数据及计算 2001-11-4 硬件维修天地一、关于内存的指标1.tCKtCK 代表SDRAM 所能运行的最大频率，数字越小说明SDRAM 芯片所能运行的频率就越高。
对于一片普通的PC100 的SDRAM 内存条来说，其芯片上的标识-10 代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz 的外频下正常工作。
大多数内存标号的尾数表示的就是tCK 周期，像PC133 标准要求tCK 的数值不大于7.5ns 。
2.tACtAC 也就是最大CAS 延迟时的最大数输入时钟，PC100 规范要求在CL=3 时tAC 不大于6ns，而某些内存编号的位数则表示的是这个值。
目前大多数SDRAM 芯片的存取时间为5 、6 、7 、8 或10ns 。
这不同于系统时钟周期，它们二者之间是有着本质的区别，读者要对此有足够的认识。
3.CL(CAS Latency)CL(CAS Latency)为CAS(Column Address Strobe，列地址控制器)的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。
比如现在大多数的SDRAM(在外频为100MHz 时)都能在CAS Latency =2 或3 的模式下运行，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是2 个时钟周期也可以是3 个时钟周期(当然在延迟时间为2 个时钟周期时，SDRAM 会有更高的效能)。
在SDRAM 的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM 的EEPROM(就是SPD)中，在开机时主板的BIOS 就会检查此项内容，并以CL=2 这一默认的模式运行。
对于PC 100 内存来说，要求当CL 的值为3 时，tCK 的数值要小于10ns 、tAC 要小于6ns 。
至于为什么要强调是CL=3 的时候呢，这是因为对于同一个内存条，当成设置成为不同CL 数值时，tCK 的值就可能不相同，这样内存所表现的性能与稳定性都不同。
关于总延迟时间一般用这个公式计算:总延迟时间=系统时钟周期×CL+存取时间(tAC)，比如某PC100 内存的存取时间为6ns，我们设定CL 模式数为2(即CAS atency=2)，则总延迟时间=10ns ×2+6ns=26ns 。
二、关于内存的校验这里很多人都有一种迷惑，因为在我们现在的电脑当中，很少有系统采用校验功能，这使得许多人认为校验功能不重要，其实这是一个误区。
其实这都是因为厂商为了降低价格而造成的后果。
因为非奇偶校验完全没有容错。
被人使用的惟一原因是其成本最低，和奇偶校验和ECC 技术相比，是一个不需要增加额外的存储器。
由于带奇偶校验的数据字节为9 位，而无奇偶校验的字节只需8 位，也就意味着奇偶校验的存储器的成本要比非奇偶校验的存储器成本高12.5%。
在一开始，PC 机一般都带有校验功能。
但是随着市场竞争越来越激烈，有些大厂商为了降低价格，增强产品的竞争力，在机器中使用了没有校验功能的内存条。
而他们并没有让广大用户知道，低价的电脑中并不带有校验功能。
既然业界的领导人物都这样做，使得其他厂商都开始生产该类产品。
由于没有人愿意公布这个信息，使得这个风气逐渐在电脑业界开始蔓延。
以至于作为业界领袖的Intel 公司推出了一款不带校验功能的430FX 芯片组。
而这款芯片组居然成为当年最流行的芯片组。
所以从430FX 芯片组以后，除了430HX 芯片组以外，所有的Intel 芯片组都不支持校验功能。
不过随着电脑主频的速度越来越快，系统出错的几率越来越大，所以在Pentium Pro 和Pentium Ⅱ以后的芯片组中，都开始支持校验功能，而且越来越多的人也认识到这类存储器的重要性，尤其是那些打算购买服务器的用户，对这个功能更加关注。
下面简单介绍一下两种校验方法，一个是奇偶校验，另一个是ECC 校验。
1.奇偶校验一个工业标准的PC 机里，存储器应该有9 片存储芯片，每一片处理一位数据，其中8 位表示一个字符，加上一个称为奇偶位的附加位。
奇偶位使存储器控制电路在其他8 位表示标签，这样可以对系统中每个字节的完整性作内置的交叉检查。
如果检测到一个错误，计算机会提示用户系统出现故障。
如果系统在Windows 这样的图形操作系统下运行，一个奇偶校验错误通常由系统自己处理为锁定系统。
当重新启动时，BIOS 检测错误并给出相应的错误信息。
奇偶校验有两个基本优点：● 奇偶校验可以防止基于不正确数据所作错误计算的结果。
● 奇偶校验可以准确定位错误的来源，有助于问题的解决，改善了系统的可服务性。
2.ECCECC 是新型PC100 内存中普遍提到的一种技术名词，它是内存校验的一种。
所谓ECC 也就是英文“Error C hecking and Correcting ”(错误检查和纠正)的简称。
ECC 与传统的奇偶校验(Parity)类似，然而奇偶校验只能检测到错误所在，并不能进行纠正，ECC 却可以纠正绝大多数错误。
ECC 在简单奇偶错误检测的基础上前进了很多。
ECC 不仅缉拿良策一个错误，而且能够纠正一位的错误，这意味着系统能在不中断和不破坏数据的情况下继续运行。
在大多数PC 上实现的ECC 只能检测而不能纠正两位错误。
因为在存储器中，大约有98%的错误是一位变化，伴随在存储器中最常见的ECC类型是一个访问数据字里检测和纠正一位错。
这类ECC 就是所谓的SED-DED(单位纠错，双位检错)。
一般在4(32 位，如386 系列)位字节系统中，32 位外还需要附加7 位校验位，此时ECC 显然要比无奇偶校验和带奇偶校验的代价要高。
但在8 字节(64 位，如Pentium 系列)系统中，64 位以外需要附加8 个校验位，这与奇偶校验的成本相同。
所以如果芯片组支持ECC 功能，可以为电脑选购代奇偶校验的能内存条。
三、内存的编号我们经常可能碰到以下问题:手上有一个内存，却不知道它的容量大小，64MB 还是128MB？或者不知道它的工作频率是多少，PC100 还是PC133?碰到这样的情况，上机测试是最好的方法，但有时条件可能不允许，那么此时我们应该怎么办呢？其实很简单，内存的信息都在内存本身上印刷着。
尽管内存颗粒生产厂家、生产日期、封装形式以及在颗粒上印刷的文字不一样，但是我们可以从内存的编号上得到我们想要的信息。
在内存芯片的标识中，通常包括以下几个内容:厂商名称、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，其中还可能有电压、容量系数和一些厂商的特殊标识在里面。
如以“HYB39S64800AF-8 ”为例，其中最前面的“HYB ”代表的是芯片生产厂商的标志，表示该颗粒为Siemens(西门子)生产的。
39S 代表厂商的内部标识(一般为三位，但也可能为二位);64 是指64Mbit 的容量(注意是bit，而不是Byte);其后面不同厂家标法不太一样。
对于Siemens 来说，-8 表示其工作频率为8ns，就是可以工作在125MHz 。
具体的厂商代号如下:HY(Hyundai，现代电子)、GM(LG-Semicon)、LH(SHARP)、KM 或M(SAMSUNG 三星)、M5M(Hitsubishi)、MB(Fujitsu)、MCM(Motorola)、MN(Matsushita)、MSM(OKI)、MT(Micron)、TC 或TD(Toshiba 东芝)、TI(TMS 德州仪器)、HM(Hitachi 日立)、TM(STI)、uPD(NEC)、NN(NPNX)、BM (IBM)。
但请注意，由于没有统一的工业标准，不同厂家内存颗粒定义可能不太一样。
比如有些厂家可能会在标识里面定义了内存的位数。
如对“GM72V161621CT10K ”内存，我们可以从编号判断该内存颗粒为LG 生产，单颗容量为16Mbit(2Mbyte)的内存，而其后的16 表示每块小芯片的位数是16 位，对于现在64 位的总线系统来说，至少需要4 片这样的芯片才能构成可用的内存条。
这时候这条由4 片小芯片构成的内存条容量是16Mbit/8 ×4=8MB，它就是8MB 一条的内存。
如果内存条上有8 片这样的芯片，当然就是16MB 的内存(该方法也可用来计算显卡芯片上总线的带宽)。
在“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。
该数值的具体需要看具体的厂家的规定。
如LGS 的-10K，表明其工作频率可为10ns，也就是说可以在100MHz 下运行。
另外对于PC100 内存产品，其编号一般表示为:PCX-ABC-DEF 的形式，X 代表工作频率，66MHz 或100MHz 等;A 代表最小的CAS Latency 数，一般为2 或3;B 代表最小的tRCD(RAS 相对CAS 的延时时间，时钟数一般是2;C 代表最小RAS 预充电时间)，时钟数一般是2;D 代表最大tAC，Access time from CLK 时间，多为6ns 、7ns 等数值;E 代表SPD 的版本号V1.2;F 是一个保留值为0 。
下面我们对常见的内存颗粒进行具体介绍:1.LGS编号通常为:GM72V ab cd e 1 f g T hiab:容量(Mbit)cd:数据位宽(位)e:内存条包括的Bank 数f:内核的版本号(越往后越新，可为空白)g:若是“L ”就是低功耗，普通型为空白hi:速度现在LG 的内存后缀有T-S 和T-H 两种，前者代表PC100 的颗粒，后者代表PC133 的颗粒，分别用来取代原有的-7J(K)和-75 。
2.现代电子(Hyundai)编号通常为:HY5a b cde fg h 0 i j kl-mn5a:芯片类型，57 为SDRAM，5D 为DDRb:电压，V 为3.3v，U 为2.5v，空白为5vcde:容量(Mbit)和刷新速度(k Ref.)fg:数据位宽(位)h:内存条包括的Bank 数，1 、2 、3 分别为2 、4 、8 个Bank0:接口界面，0:LVTTL;1:SSTL(3);2:SSTL_2;3:Mixed Interface;i:内核的版本号(可为空白)j:若是“L ”就是低功耗，普通型则为空白kl:封装形式的编号m:速度n:通常P 比S 的好一些编注：现代的内存事业部已经被LG 所并购，但是在市场上和一些用户手中还有部分现代的内存，所以在本书中仍然列出现代内存的资料，以作参考。
3.三星电子(Samsung)编号通常为:KM4 ab S cd 0 e f gT-hab:数据位宽(位)abcd=容量(Mbit)e:内存条包括的Bank 数，1 、2 、3 分别为2 、4 、8 个Bankf:内存接口，0=LVTTL 、1=SSTLg:内存版本，空白=第1 代、A=第2 代、B=第3 代T:封装类型，T =TSOP Ⅱ (400mil)h:电源供应，G=自动刷新、F=低电压自动刷新4.NEC编号通常为:D45 ab c d eG5-Afg h-ijkab:容量(Mbit)c:数据位宽(位)d:内存条包括的Bank 数，3 、4 都表示4 个e:内存接口，1=LVTTL5.西门子(Siemens)编号通常为:HYB39S ab cd 0 e T f -gab:容量(Mbit)cd:数据位宽(位)e:内核的版本号(越后越新，可为空白)f:若是“L ”就是低功耗，普通型则为空白6.Micron其编号通常为:MT48 ab cd M ef Ag TG-hi j 。