如何实现超低噪声放大器的设计
 工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。

要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性，甚至使人畏惧。

不过，采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET，可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器。

本设计就讲述了一个有0.77dB噪声系数的低噪声放大器。

 制造商们一般会给出低噪声放大器的输入/输出匹配、噪声系数、增益、稳定性、1dB压缩点、二阶和三阶互调分量、带外抑制，以及反向隔离等指标。

这些参数中，很多是互相依赖的，因此在有限的时间内要满足所有这些设计标准，工作会很复杂。

图1给出了一种灵活的放大器结构，它能满足所有这些设计标准。

 图1，可以用GaAs异质结FET设计一款低噪声S频段RF放大器。

 设计用Microwave的Office AWR建立并仿真。

NEC的NE3509M04 GaAsHJFET(异质结场效应管)用作低噪声高增益晶体管。

电抗匹配的放大器输入采用了数据表给出的最佳反射系数值，可提供低噪声和高增益。

FET设计常用的方法包括有源偏置与自举，可防止漏源电流随温度而变化。

而这种设计的结果是一种高性价比的小型自偏置电路，没有给电路增加复杂性。

晶体管的偏置点是2V的漏源电压，漏极电流为15mA，此时晶体管提供约。