宏观表现：光被放大
自发辐射与受激辐射的区别：
原子的自发辐射过程完全是一种随机过程，各发光原子的发光 过程各自独立，互不关联，即所辐射的光在发射方向上是无规则的 射向四面八方，另外位相、偏振状态也各不相同。由于激发能级有 一个宽度，所以发射光的频率也不是单一的，而有一个范围。 受激辐射时, 原子可发出与诱发光子全同的光子，不仅频率（能 量）相同，而且发射方向、偏振方向以及光波的相位都完全一样。
介电材料（电介质） 又称电介质，电极化为特征的材料，是电的绝缘材料。 电介质的极化有3种主要基本过程，即:
• 材料中原子核外电子云畸变产生的电子极化；
• 分子中正、负离子相对位移造成的离子极化; • 分子固有电偶极矩在外电场作用下转动导致的转向极化。 这3种极化作用并非在任何类型的介电材料中都等额地存在。在 一种类型的材料中，往往只有一种或二种极化起主导地位。
应用—激光打孔 应用—激光核聚变
21
激光的特点及应用
2.单色性好：
计量工作的标准光源、激光通讯等利用 了单色性好的特点。
3.相干性好：
全息照相、全息存储等就利用了相干性 好的特点。
其它应用—激光医疗、美容整形
22
基本概念
1 极化 polarization 在电场作用下，电介质中束缚着的电荷发生位移或者极性按电 场方向转动的现象，称为电介质的极化。 单位面积的极化电荷量称为极化强度，它是一个矢量，用P表 示，其单位为C/m2。 2 自发极化
30
2. p型半导体
例：硅掺入磷后成了 n型 半导体
四价的本征半导体Si、Ｇe等掺入少量三 价的杂质元素（如Ｂ、Ga、In等）时，就 形成空穴型半导体，又称 p 型半导体。
9
p -n 结
一. p - n 结的形成 在 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的 受主杂质， 该区就成为 p型半导体(补偿作用)。 电子和空穴的扩散， p型 E内 n型 在p型和n型半导体交界 面附近产生了一个内建
• 铁电体重要的特征之一是电滞回线。
27
1. 太阳能光伏电池定义
太阳能光伏电池——太阳能 电能 光生伏打效应（光伏效应）： 即某些材料（在气体、液 体和固体）吸收了光能之后具有产生电动势的效应。 光伏效应
p-n结及两边产生的光生载流子就被内建电场所分离，在p区聚 集光生空穴，在n区聚集光生电子，使p区带正电，n区带负电，在 p-n结两边产生光生电动势。上述过程通常称作光生伏特效应或光 伏效应。光生电动势的电场方向和平衡p-n结内建电场的方向相反。 当太阳能电池的两端接上负载，这些分离的电荷就形成电流。
定值后，超导体失去超导电性而恢复正常态。破坏超导态
的最小电流密度称为临界电流密度JC.
14
常见的非线性光学现象：
①光学整流 ②产生高次谐波 ③光学混频 ④受激拉曼散射
有机二阶NLO分子的设计原则：
(1)分子不具有对称中心 (2)分子具有π共轭的电子体系 (3)分子内存在电荷转移 (4)透明性和光学非线性性能
二、超导特性
1、完全导电性
2、完全抗磁性（ห้องสมุดไป่ตู้磁性）
在超导态下，超导体内没有磁力线通过，磁场强度恒为零，这 种现象称为超导体的完全抗磁性，或称迈斯纳效应。此时电流 只通过导体表面。
13
三、超导体的临界条件
1、临界温度 TC 2、临界磁场强度 HC 3、临界电流密度JC
在无外磁场条件下使超导体通电，当电流密度超过一
《奇异的激光》——小学五年级语文课文
16
(a)：自发辐射
处于高能级态的原子自发跃迁到低能级态，并同时向外辐 射出一个光子；
宏观表现：发光 (b)：受激吸收
处于低能级态的原子在一定条件下的辐射场作用下，吸收
一个光子， 跃迁到高能级态；
宏观表现：光被吸收
17
(c)：受激辐射
处于高能级态的原子在一定条件下的辐射场作用下，跃迁 到低能级态，并同时辐射出一个与入射光子完全一样的光子。
激光物质是三能级或四能级结构
激光器的构成：
(1).工作物质 (2).激励源 (3).谐振腔
激光具有下列特点：
（1）相干性好。 （2）单色性纯。
（3）方向性好。 （4）亮度高。
20
激光的特点及应用 1.方向性好：
发散角小：
例：下列哪个应用利用了激光方向性好的特点？
应用—激光测距
亮度高：
激光加工、激光手术、激光武器等就利用 了高亮度的特点。
7
半导体种类
元素半导体：本征，掺杂 按成分 化合物半导体：合金，化合物， 陶瓷，有机高分子 本征半导体 (< 10-9)
按杂质含量
掺杂半导体(n, p)(> 10-9)
8
1. n型半导体 本征半导体 Si、Ge等的四个价电子，与另四 个原子形成共价结合， 当掺入少量五价的杂质
就形成了电子型半导体， 元素（如P、As等）时， 又称 n 型半导体。
18


3、粒子数反转
要想使受激辐射占优势或者说占主导地位，就必须使 N2>N1。如果借助于外界的激励，破坏粒子的热平衡分布， 就可能使高能级E2的粒子数N2大于低能级E1的粒子数N1。 由于它同正常分布相反，所以叫粒子数反转分布，见图4。
图4 粒子数的分布 （a）正常分布 （b）反转分布
• 粒子数反转分布的作用在于当外来光辐射时，受激辐射总是大于 受激吸收，因而产生了光的放大信号。实验证明，许多物质给予 一定激励后，能实现这种反转分布，它为激光的产生提供了基础。
一般，电子极化存在于一切类型的固体物质中； 离子极化主要存在于离子晶体中； 偶极极化主要存
24
压电现象
某些物质沿其一定的方向施加压力或拉力时，随着形变的产生，会在其某两 个相对的表面产生符号相反的电荷（表面电荷的极性与拉、压有关），当外 力去掉形变消失后，又重新回到不带电的状态，这种现象称为“正压电效 应”—— 机械能转变为电能；反之，在极化方向上（产生电荷的两个表面） 施加电场，它又会产生机械形变，这种现象称为“逆压电效应”——电能转 变为机械能。具有压电效应的物质（电介质）称为压电材料。
电子的（也即原子的）能量被量子化。 每一个能量取值叫做一个能级。
2
允许带（允带） ： 允许被电子占据的能带称为允许带，原 子壳层中的内层允许带总是被电子先占满， 然后再占据能量更高的外面一层的允许带。 满带：被电子占满的允许带称为满带。 空带：每一个能级上都没有电子的能带 称为空带。
3
价带： 原子中最外层的电子称为价电子，与价 电子能级相对应的能带称为价带。 导带： 价带以上能量最低的允许带称为导带。 禁带： 允许带之间的范围是不允许电子占据的， 此范围称为禁带。
一个诱发光子不仅能引起受激辐射，而且它也能引起受激吸收，所 以只有当处在高能级的原子数目比处在低能级的还多时，受激辐射跃迁才 能超过受激吸收，而占优势。由此可见，为使光源发射激光的关键是发光 原子处在高能级的数目比低能级上的多，这种情况，称为粒子数反转。但 在热平衡条件下，原子几乎都处于最低能级（基态）。因此，如何从技术 上实现粒子数反转则是产生激光的必要条件。
导电材料的分类： 电子导电材料：起源于电子的运动 离子导电材料：起源于离子的运动
电子导电材料
导体 超导体
σ ≥105 S/m σ 无限大 σ 在10-7~104S/m
材料 绝缘体 半导体 导 体 超导体
1
半导体
能级
在孤立原子中，原子核外的电子具有 分立的能量值，或者说电子的能量只能允 许有一系列离散的值。
若有N个原子组成一体，对于原来孤立原子 的一个能级，就分裂成 N条靠得很近的能级，
称为能带（energy band）。 能带的宽度记作 E
E ～eV 的量级
若N~1023，则能带中两相邻能级的间距 约为10-23eV。
6
半导体导电机理：
半导体价带中的电子受激发后从满价带跃 到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传 导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴， 空穴带正电荷，在价带中空穴可以按照电子运动 相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的 导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是 导电的载流子。激发既可以是热激发，也可以是 半导体中非热激发，通过激发，半导体产生载流 子，从而导电。
晶体的铁电性
• 在热释电晶体中，有若干种点群的晶体不但在某温度范围内具有自 发极化，且自发极化有两个或多个可能的取向，在不超过晶体击穿 电场强度的电场作用下，其取向可以随电场改变，这种特性称为铁 电性。具有这种性质的晶体成为铁电体。
• 铁电体的共同特征：①具有电滞回线；②具有结构相变温度（居里 点）；③具有临界特性
⑤自聚焦
⑥光致透明
15
激光
英文名：LASER(Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation) 受激辐射的光放大“镭射”、“莱塞”
中文名：1964年按照我国著名科学家钱学森建议将“光受
激发射”改称“激光” “最快的刀” “最准的尺” “最亮的光”
29
五. 光盘存储的特点
(1) 高载噪比：载波电平与噪声电平之比，大于50dB; (2) 高存储密度：面密度达108-109 bit/in2； (3) 长存储寿命：达10年以上（磁盘为2-3年）； (4) 非接触式读写信息：激光头目镜距聚焦点约为2mm， 不会划伤盘面和损坏光头，能自由更换光盘;
(5) 低信息位价格：即存储每位信息的价格低，为磁存储 的几十分之一。
E内。 （电）场 E内 阻止电子和空穴进一步扩散。
10
p型
内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动，达到了 新的平衡。
E内
n型
p-n结
在p型和 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为 p-n结（阻挡层，耗尽层），其厚度约为0.1m。 由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势垒带来 的附加势能。这使电子能带出现弯曲：