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晶体管放大电路基础三极管

(1)分清电极:带箭头的是发射极。 (2)分清类型:箭头向里的为PNP,向外的为NPN。 (3)确定电流方向:箭头的方向就是电流的方向。
并由此确定其它电流的方向。 (4)确定电压的加法:根据电流从高电位流向低电位
可知,NPN型管e极应接电源负端,b、c极应接电 源正端。PNP型管则相反。
输出特性曲线
1. 放大倍数:输出量与输入量之比
Auu
Au
U o U iAiiAiIo Ii
Aui
U o Ii
Aiu
Io U i
电压放大倍数是最常被研究和测试的参数
在工程上常用以10为底的对数增益表达,其基 本单位为B(贝尔,Bel),平时用它的十分之一单 位dB(分贝,decibel的缩写)。
由于功率与电压(或电流)的平方成比例,因 此功率增益表示为:
① IE=IB+IC≈ IC
② IC=βIB+ICEO≈ βIB
③ ④
ICEO
a
=(1+
1 +
β)ICBO
2)二极管或三极管发射结正向运用时 死区电压:硅管0.5V 锗管0.1V 正向压降:硅管0.7V,锗管0.2V
第1、2章习题的主要类型
(1)概念题:教材中的自测题、课件中的思考题
(2)判断电路中二极管的通断,求输出电压U。 (3)判断三极管用于放大时电压加得对不对。

ID
I(mA)
反向击穿电压
UB
o
•C
正向电流(大)
ID • B (正向导通) A•
Uon U(V)
•D
反向电流(小) (反向截止)
死区电压 Si:0.5v Ge:0.2v
1)具有单向导电特性
2)二极管是一个非线性器件
3)反向运用时有击穿现象 4)正向运用时有死区电压
(3)初学者可以根据三极管符号中的箭头
放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数 值下降(中频区的0.707倍),并产生相移。
下限频率
fbw fH fL
上限频率
4. 最大不失真输出电压Uom:交流有效值。
5. 最大输出功率Pom和效率η:功率放大电路的参

第2章 知识回顾
物质
导体 半导体 绝缘体
热敏 光敏 掺杂
自由电子 本征半导体
iC f (vCE ) iB 常数
饱截和止区区:输出特性的上升和弯曲部分,发射结 正放 平IB偏≤大 坦0,以区 部集下: 分部电(线分结发性为正射区截偏结止)(正或区偏零,,发偏射集),管结电子零结偏c反、或偏e反间偏如,同
短 0集I.C1电接V=结(,锗I反B)偏IB,>IUICCB=,EU=IC0CE.EO7=V≈(U0硅,C管E管S )=子/00.c2.、3v(Ve锗间(硅管如))同/=断开
3.1.1 放大器的基本概念
(1)放大对象:交流量(即变化量)
(2)放大要求:幅度放大,波形不失真
(3)放大实质:实现能量转换与控制
即由一个能量较小的输入信号控制直流电源, 使之转换成交流能量输出,驱动负载。
3.1 放大电路的基本概念
电子系统举例:收音机接收广播信号
广播 电台
天线

电磁 感应
置 放 大
空穴
负电 掺入杂质 杂质半导体 正电
P型半导体
3价元素
杂质半导体
5价元素
N型半导 体
少多
自空 由 电 子穴
多少
正偏
特点
P+ N-
PN
特点
P结- N+
反偏
特点
正向ID大,R小 单向导电特性 反向ID小,R大
PN
二极管

三极管
场效应管
(1)PN结的特点——单向导电特性
(2)二极管的伏安特性曲线
U
+
空载时输出 电压有效值
带RL时的输出电 压有效值
输出电阻Ro的另一种求法:
短路 +
uS
-
Ii
Rs
+
+ Io × 开路
ui
放大电路 (放大器)
uo
-
-
RL
×
Ro
Ro的求法:将信号源短路,即 uS =0,但保
留Rs;且负载RL两端开路,即RL=∞时

Ro
U

I• U s 0 RL
3. 通频带
衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。 由于电容、电感及放大管PN结的电容效应,使

[ Au ] 20 log Au dB

[ Ai ] 20 log Ai dB

[ Ap ] 10 log Ap dB
2. 输入电阻和输出电阻从输入等端效看电进阻去的
Ri
Ui Ii
输入电压与 输入电流有 效值之比。
Ro
U
' o
Uo
Uo
(U
' o
Uo
1)RL
RL
将输出等效
成有内阻的电 压源,内阻就 是输出电阻。
1

40(A)
作用。
iB=0 (A)
O
1
23 截止区
截4 止5区IC的6E0特U点C:E(V)
1. IB≤0 (如发射结反偏或零偏,集电结 反偏)
2. 三极管失去放大作用
(4)场效应管
1. 分类及判别? 2. 场效应晶体管与晶体管相比有哪些特点?
(5)本章的主要公式和数据
1)三极管各极电流间的关系
(4)根据三极管的各极对地(公共端)电压,判断
三极管的工作状态(放大、饱和、截止、损坏)。
1)三极管结偏置的判定法——常用于已知结偏置情况下 2)三极管电流关系判定法——常用于解题过程中 3)三极管电位判定法——常用于实验测定
(5)根据各极对地的电压,判断电极和管子类型。
1. 用于放大的晶体管加电压的原则是: 保证发射结__正___向运用,集电结_反__向运用。
饱和区
饱和区的特点: 1.发射结正偏 集电结正偏 2.发射结正偏 集电结零偏 为临界饱和 3.基极电流对集 电极电流失 去控制作用 4. UCE增大时, IC迅速增大
iC(mA)
4

3
2

200(A) 160(A) 120(A)
iB= 80(A)
放大区的特点: 1.发射结正偏
集电结反偏 2.具有恒流特性 3.基极电流对集 电极电流的控制
第3章 晶体管放大电路基础
3.1 放大电路的基本概念
教学要求
1、熟悉晶体三极管结构、工作原理及特性曲线; 2、熟练掌握由BJT、FET组成的基本放大电路的静
态和动态分析,即静态工作点和交流性 能参数(电压放大倍数、输入电阻、输 出电阻)的计算; 3、了解放大电路的频率特性等。
3.1 放大电路的基本概念
2. 晶体管各极电流电间的关系是: I E I B IC

中 间 放 大

电 压 放 大

功 率 放 大 器 扬声器

属于交流放大!
一般来说,放大电路就是一个双端口网络。
uS 信号源电压
ui 输入电压
uo 输出电压
Rs 信号源内阻 RL 负载电阻
ii 输入电流
io 输出电流
3.1.2 放大器的主要性能指标
输入电流
输出电流
信号源 内阻
信号源
输入电压
输出电压
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