的100倍，而且磷在硅中的固溶度约为其在二氧化硅中 的10倍，可以认为所生成的磷原子绝大多数扩入了硅片 中。
扩散装备发展现状及发展趋势_曹孙根.pdf
晶体硅太阳电池制作中的扩散工艺研究_何堂贵.caj
磷在p型硅中扩散工艺研究_曹储辉.caj • 1、片内均匀性，随片间距增大而改善，
• 2、磷扩散过程分为几个部分 • 3、减少干氧的量，方阻降低，且减少氧化膜也提高硅片扩散的片均匀性
硅太阳电池扩散方阻均匀性研究_谢卿.pdf
POCL_3工艺的建立和优化_俞超.caj
扩散问题解决方案
速率相当低，在硅太阳电池的液态源磷扩散的条件下 （900℃，10—15min），干氧与硅直接反应生成的SiO2 薄膜在10nm左右，可以忽略不计，亦可做为修正因子， SiO2薄膜主要是由反应式（1）和（2）生成的。
• 反表层有子应面阻以反式的止扩应S（ 了 散 ，i原2P方 生）2子O式 成的5反分通 新氧应子过的化，与SSii机OO生硅22理成层层片是S，和表iO：到P面2原起高达的子始温S直i。O层下接2，-的S接i此界P触2O后面，5分，，P子2才由O与能5于分硅与氧子片S化只i原 • 在900℃时，磷在硅中的扩散系数约为其在二氧化硅中
磷扩散
笔记
多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响_周艺.pdf
• 扩散前通 氧的影响
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化_周艺.pdf • 低温扩散优于高温扩散的原因：磷吸杂效果好，进
多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化_周艺.pdf
由氧化层厚度估算化学反应扩散掺杂量的研究.docx • 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2（1） • 2P2O5+5Si=5SiO2+4P↓ （2） • 干氧与硅也会直接发生反应生成SiO2薄膜，但干氧氧化