N P N ICN
e IE
IEP IEN IBN
－
IC c +
ICBO
VEE
空穴
电子
+ I B b
VCC
电流方向
单击此框运行三极管 载流子分配动画演示
本页完 继续
晶体管的电流分配 晶体管的放大作用
双极型晶体管(BJT)
集电极电流IC:集电极电流主要 由集电结收集从发射区扩散至基 集极电流的形成 区的电子而成 (ICN)。亦有由于基 区和集电区的少子漂移作用而产 生的很小的反向饱和电流ICBO。 IC =ICN+ICBO ICN
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双极型半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三
引言 个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低 频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管； 用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材 料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三 极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用 硅材料做的。下面是一些三极管的外型。
大功 率低 频三 极管
中功 率低 频三 极管
小功 率高 频三 极管
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本 节 学 学 习 习 要 要 点 点 和 要 求
半 导 体 三 极 管 的 结 构 晶 体 三 极 管 的 放 大 原 理
共射电路输入特性曲线的意义
共射电路输出特性曲线的意义 晶 体 三 极 管 常 用 参 数 的 意 义
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双极型晶体管(BJT)
一、晶体管结构简介 1.晶体管一般由NPN和 PNP两种结构组成
晶体管的特性 一、晶体管结构简介 1.晶体管的两种结构
继续
双极型晶体管(BJT)
一、晶体管结构简介 1.晶体管一般由NPN和 PNP两种结构组成 2.晶体管有三个区:
以NPN型晶体 管为例。
基区(P):很薄,空穴浓度较 小——引出基极b. 发射区(N):与基区的接触 面较小——引出发射极e. 集电区(N):与基区的接触 面较大——引出集电极c.
发射极 发射结 N P IEP IEN IBN 集电结 N ICN 集电极
e IE
－
IC c +
ICBO
VEE
空穴
电子
－ + I B b
VCC
顾名思义：发射区的作 二、晶体管的电流分 用是发射电 子,集电区的作 配和放大作用 用是收集电子,下面以NPN 为例分析 载流子 1.型三极管 晶体管正常工作时 (即电子和空穴)在晶体管内 各极电压的连接及作 部的传输情况。 用
一 、 晶 体 管 结 构 简 介
二、晶体管的电流分配和放大作用 三 、 晶 体 管 的 特 性 曲 线 四 、 ( B J T ) 的 主 要 参 数
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二、晶体管的电流分配 与放大作用 1.晶体管各PN结电压连 接的一般特性 2.晶体管的电流分配
NPN与PNP管具有几乎等同的特性，只不过各电 极端的电压极性和电流流向不同而已。
E
C
C
E
3.晶体管的两个PN结
B
PNP型
B
NPN型
半导体三极管电路符号 本页完 继续
连接BJT各极间电压的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用
双极型晶体管(BJT)
二、晶体管的电流分配 发射结必须处于正向偏 与放大作用 置——目的削弱发射结 1.晶体管各PN结电压连 集电结必须处于反向偏 接的一般特性 置——目的增强集电结
N P N ICN
e IE
IEP IEN IBN
－
IC c +
ICBO
注意电流方向：电流方 向与电子移动方向相反,与 空穴移动方向相同。
VEE
空穴
电子
+ I B b
VCC
2.晶体管的电流分配 发射极电流的组成 单击此框运行三极管
载流子分配动画演示 继续
电流方向
晶体管的电流分配 晶体管的放大作用
双极型晶体管(BJT)
场方向知 , 反向 偏置有利于收集 在基区的电子 N
ICN
e IE
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IC c +
ICBO
动画演示
单击此框运行三极管 载流子分配动画演示
VEE
空穴
电子
+ I B b
VCC
电流方向
继续
晶体管的电流分配 晶体管的放大作用
双极型晶体管(BJT)
二、晶体管的电流分配 发射极电流IE :主要由发射区的 电子扩散(IEN)而成,亦有极少数的 与放大作用 1.晶体管各PN结电压连 由基区向发射区扩散 的空穴电流 (IEP)。 接的一般特性 IE =IEN+IEP IEN 2.晶体管的电流分配
C C E
E
B 发射极的电路符号
PNP型
B
NPN型
半导体三极管电路由NPN和 继续 返回 PNP两种结构组成 2.晶体管有三个区:
双极型晶体管 (BJT) 单击返回,返回学习主页，单击
很显然 ， 三极管有两个 PN结，发射区与基区间的称 为发射结，集电区与基区间的 叫集电结。
基极电流IB: 基极电流主要由基 区的空穴 与从发射区扩散 过来的 电子复合而成。同时电源VEE又不 断地从基区中把电子拉走, 维持基 区有一定数量的空穴。
由于基区有少 量空穴,所以从发 射区扩散过来的 电子在基区会被 复合掉一些,形成 基极电流。 基极电流的形成
二、晶体管的电流分配 与放大作用 1.晶体管各PN结电压连 接的一般特性 2.晶体管的电流分配
电流方向 基极
继续
连接BJT各极间电压的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用
双极型晶体管(BJT)
二、晶体管的电流分配 发射结必须处于正向偏 与放大作用 置——目的削弱发射结 1.晶体管各PN结电压连 集电结必须处于反向偏 接的一般特性 分析集射结电 发射结变薄有 置——目的增强集电结
利于发射区的电 子向基区扩散 N IEP IEN IBN P
e 发 射 极 b 基 极 c 集 电 极
发射区
N P基区 2.晶体管的三个区
N集电区
管芯结构剖面图
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双极型晶体管(BJT)
一、晶体管结构简介 1.晶体管一般由NPN和 PNP两种结构组成 2.晶体管有三个区:
基区(P):很薄,空穴浓度较 小——引出基极b. 发射区(N):与基区的接触 面较小——引出发射极e. 集电区 (N):与基区的接触 注意：发射极的 符号带箭头。 面较大—— 引出集电极c.