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电容触摸屏原理-2018


使用激光工艺时常见的工艺流程(GF/Laser)
• • • • • • • • • • • • • • • • • 来料(卷材,较好的ITO基材有背保) 开料(按需要的尺寸裁切成片材) 老化(烘烤,将收缩率降到最低) 撕膜(撕掉ITO面的保护膜) 丝印耐酸(保护要留下的Sensor电路,没有背保的基材要印背保) 酸刻Sensor电路 碱洗耐酸 水洗(洗掉化学残留) 丝印银胶块(通常为了保护可视区不被划伤,印银胶前会印刷正保) 烘烤(白格测试附着着力) 激光干刻引线电路(通断检测) ITO+Ag蚀刻 贴OCA光学胶(有的用液态胶) 激光裁切让位孔(部分会在激光裁切是分层切出让位部分) Sensor上下线贴合 激光裁切(Sheet→Piece) 邦定FPC(Bonding后需要检测无Lens是的功能) 盖板贴合(CTP成型,触摸屏功能测试,出厂)
• 结构同于G/F,区别在于Film Sensor变 为Glass Sensor • 特殊的两种情况: G/G D双面玻璃工艺(eg.:Apple) G/G S单面搭桥工艺(Metal Jump)
电容式触摸屏堆叠结构比较
G/F/F
Cover Lens
ITO ITO Film: RX Film: TX ITO ITO
电容式触摸屏新工艺
• OGS/TOL (One Glass Solution/Touch On Lens) • 单层多点 • On Cell(触摸面板功能嵌入到彩色滤光 片基板和偏光板之间) • In Cell(触摸面板功能嵌入到液晶像素 中)
控制芯片厂家
• • • • • Cypress Synaptics 新思 4层结构 Atmel 2层结构 敦泰、汇顶、威盛、联发科 瀚瑞、义隆电
使用激光工艺时常见的工艺流程(GFF/酸碱 +Laser)
• • • • • • • • • • • • • • • • • 来料(卷材,较好的ITO基材有背保) 开料(按需要的尺寸裁切成片材) 老化(烘烤,将收缩率降到最低) 撕膜(撕掉ITO面的保护膜) 丝印耐酸(保护要留下的Sensor电路,没有背保的基材要印背保) 酸刻Sensor电路 碱洗耐酸 水洗(洗掉化学残留) 丝印银胶块(通常为了保护可视区不被划伤,印银胶前会印刷正保) 烘烤(白格测试附着着力) 激光干刻引线电路(通断检测) 贴OCA光学胶(有的用液态胶) 激光裁切让位孔(部分会在激光裁切是分层切出让位部分) Sensor上下线贴合 激光裁切(Sheet→Piece) 邦定FPC(Bonding后需要检测无Lens是的功能) 盖板贴合(CTP成型,触摸屏功能测试,出厂)
>1.1 mm 90.8% Heavy Good Average
TP Type Thickness
Transmittance
G/F/F
1.1-1.3mm 85% Light Best Good
D
G/G
89%
S
0.9-1.1mm 88% Lightest Good Average
1.3-1.4mm
1.3-1.4mm Heaviest Average Average
印刷要求
• • • • • 丝网 目数380-420 制版厚度10-12um 银浆厚度 6um±2um,针孔<20um 整幅控制在200um以内
电容触摸屏原理及工艺制程
邵萌
电容屏工作简单数学模型
当手指或 导体触摸 到TP时, 电容值Cp 就会产生 变化
工作原理概括
1.触摸TP,寄生电容产生 变化 2. 发射极发射信号,经过 容抗,阻抗后,信号 产生滞后或超前,接 收极接受信号后计算 出具体数值,扫描整 屏,产生数据矩阵 3. 和基准数据矩阵对比, 产生DIFF值矩阵,使用 重心算法映射到LCD分辨 率,得出具体坐标值, 赋予ID号 4. 产生中断,主控使用 IIC读走数据
电容触摸屏分类
CTP(Capacity Touch Panel) • 表面电容式 • 投射电容式 自电容:检测通道与地之间的寄生电容变化,有 手指存在时寄生电容会增加,IC 通道pin 既是 发射极 又是接收极 互电容:检测发射通道和接受通道交叉处的互电 容(也就是耦合电容)的变化,有手指存在时互 电容会减小,IC 通道pin 发射极和接受极是分 开的
自电容触摸屏结构
串行驱动/感应 特点 M+N个电容 M+N条连线 模拟多点(2点)
互电容触摸屏结构
串行驱动 并行感应 特点 M*N个电容 M+N条连线 真实多点
互电容 VS自电容源自电容式触摸屏常见工艺结构• • • • • • • • G/F G/F/F G/F2 GIF G/G(G/G S , G/G OGS(TOL) On Cell In Cell
控制芯片厂家LOGO
电容式触摸屏几种工艺制程的特 点
• 酸碱脱膜:效率高、成本低、精度低 • 蚀刻膏蚀刻:与酸碱脱膜一样,效率高、成 本低、精度低。工艺更简单,工艺图案与酸 碱脱膜相反,难点是涂布不匀容易造成蚀刻 不净,更难清洗等 • 激光蚀刻:精度较高,30 μm ,效率低, 成本低,工艺简单,良率高,环保 • 黄光工艺:精度最高,对位精度± 5 μm , 蚀刻精度± 5 μm ,能蚀刻5 μm,一般量 产用20μm
使用激光工艺时常见的工艺流程(GF/单层多点)
• • • • • • • • • • • • • • • • • 来料(卷材,较好的ITO基材有背保) 开料(按需要的尺寸裁切成片材) 老化(烘烤,将收缩率降到最低) 撕膜(撕掉ITO面的保护膜) 丝印耐酸(保护要留下的Sensor电路,没有背保的基材要印背保) 酸刻Sensor电路 碱洗耐酸 水洗(洗掉化学残留) 丝印银胶块(通常为了保护可视区不被划伤,印银胶前会印刷正保) 烘烤(白格测试附着着力) 激光干刻引线电路(通断检测) ITO Sensor蚀刻 贴OCA光学胶(有的用液态胶) 激光裁切让位孔(部分会在激光裁切是分层切出让位部分) Sensor上下线贴合 激光裁切(Sheet→Piece) 邦定FPC(Bonding后需要检测无Lens是的功能) 盖板贴合(CTP成型,触摸屏功能测试,出厂)
使用激光工艺时常见的工艺流程 (GFF/Laser )
• • • • • • • • • • • • • • • • • 来料(卷材,较好的ITO基材有背保) 开料(按需要的尺寸裁切成片材) 老化(烘烤,将收缩率降到最低) 撕膜(撕掉ITO面的保护膜) 丝印耐酸(保护要留下的Sensor电路,没有背保的基材要印背保) 酸刻Sensor电路 碱洗耐酸 水洗(洗掉化学残留) 丝印银胶块(通常为了保护可视区不被划伤,印银胶前会印刷正保) 烘烤(白格测试附着着力) 激光干刻引线电路(通断检测) ITO+Ag蚀刻 贴OCA光学胶(有的用液态胶) 激光裁切让位孔(部分会在激光裁切是分层切出让位部分) Sensor上下线贴合 激光裁切(Sheet→Piece) 邦定FPC(Bonding后需要检测无Lens是的功能) 盖板贴合(CTP成型,触摸屏功能测试,出厂)
Weight Strength Sensitivit y Cost
Average
Low
High
High
Low
图形方案
菱形+Cypress
条形+
Synaptics
网形+Atmel
自电容三角形
• 三角形+ Atmel
图形方案实物
菱形
长条形
三角形
G/G
S工艺通常使用搭桥工艺
• 只需要一片ITO玻璃 • 一面搭桥做ITO层另 一面做屏蔽层 • 主要用于小尺寸的屏 • 艺少,成本、良率好 控制
使用激光工艺时常见的工艺流程(GF/酸碱 +Laser)
• • • • • • • • • • • • • • • • • 来料(卷材,较好的ITO基材有背保) 开料(按需要的尺寸裁切成片材) 老化(烘烤,将收缩率降到最低) 撕膜(撕掉ITO面的保护膜) 丝印耐酸(保护要留下的Sensor电路,没有背保的基材要印背保) 酸刻Sensor电路 碱洗耐酸 水洗(洗掉化学残留) 丝印银胶块(通常为了保护可视区不被划伤,印银胶前会印刷正保) 烘烤(白格测试附着着力) 激光干刻引线电路(通断检测) 贴OCA光学胶(有的用液态胶) 激光裁切让位孔(部分会在激光裁切是分层切出让位部分) Sensor上下线贴合 激光裁切(Sheet→Piece) 邦定FPC(Bonding后需要检测无Lens是的功能) 盖板贴合(CTP成型,触摸屏功能测试,出厂)
G/F
Cover Lens
Film: RX
G/G D Lens Cover
ITO Glass
G/G S Lens Cover
ITO Glass
G2
Cover Lens
PET
P/F
Cover Lens
Film: RX
ITO 物 G/F G/G
89% Heaviest Average Good
铟锡氧化 G2
D)
G/F结构解析
• 盖板/Lens/Cover Glass/Cover Lens 作用:保护/功能/装饰 要求:强度/硬度/透光率 • OCA(固态光学胶,LOCA液态光学胶) 要求:透光率/粘性 • Film Sensor 特点:单层/单点+手势/或者单层多点,支 持最大尺寸5寸
G/G结构解析
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