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TC 双线圈霍尔驱动芯片规格书

1. 概览

当电路检测到的磁场强度大于翻转点

●工作电压范围宽:电源电压 3.5~20V ●低至2mA的工作电流 ● 350mA电流的输出驱动能力 ●开漏输出内嵌保护二极管 ●工作环境温度:-40C~85C ●反向保护 (BOP),两路输出驱动中输出DO端开启

(低),同时输出 DOB端关断(高)。当芯

片检测到的磁场强度低于释放点(BRP),

DO、DOB状态翻转。

由于应用中电源连接的检测要求,内部的

反向电压保护器可以确保芯片不烧坏(注意 :

此保护电路无法保护外接线圈,如有必要可外

加一个保护二极管来保护线圈)。如果环境中

的故障导致DO、DOB长时间不切换,为了保

护外接线圈不损坏,将同时关断DO、DOB ●过流保护 ●封装形式:TO-94

简要描述

TC276是一款直流马达和风扇驱动电路。

芯片中除了集成整流器、霍尔传感器、信号放

大器、迟滞比较器和两路漏极开路输出电路保

护二极管、反向电压保护器外,还设置了斩波

器和过流保护功能。 ●无刷直流风扇●无刷直流马达

引脚描述

TC276

表1-1:引脚说明 No

1 2 3 4 引脚 VDD DO DOB GND 引脚功能 电源

同相输出端 反相输出端 地

页码:1 / 6 数据手册 2013年 10月 V1.0主要特点

典型应用 直流风扇&马达驱动芯片 TC276

2. 功能框图

VDD

基准源 补偿电路 整流器 振荡器 保护电路

DO

DOB

GND 图2功能框图

3. 磁场特性

图 3 输出DO、DOB和磁场的关系图

4. 过流保护

1S4S

DO

DOB

图4 过流保护示意图

页码:2 / 6 数据手册 2013年 10月 V1.0斩波器 斩波器 放大器 迟滞比较器 驱动电路

直流风扇&马达驱动芯片 TC276

5. 最大额定值

表 2:最大额定值

符号

VDD

VDDR

B 参数

电源电压

反向电压

磁场强度 数值

20

-20 单位

V

V

不限

持续

锁定

峰值0.4

0.5

0.7 Io 输出电流 A

Ta Ts

PD

TJ

RJC 环境温度

保存温度

耗散功率

最大结温

热阻 -40~85

-65~150

550

150

227 °C

°C

mW

°C

°C/W

注意:应用时不要超过最大额定值,以防止损坏。长时间工作在最大额定值下可能影响器件的可靠性

表 3:特性参数(如无特别说明,VDD=12V,Ta=25C)

符号

VDD

Vz

Idd 参数

电源电压

输出保护电压

工作电流 条件下限

3.5

-

-

-

-

-

-

-

- 典型 上限

20

-

4

-

0.6

10

10

1 单位

V

V

mA

V

V

uA

uS

uS

uS 33

2

0.3

0.35

0.1

3 VDD=20V, DO、DOB断开

VDD=3.5V, Io=100mA

Io=350mA Vsat 输出饱和电压

Ioff Tr 输出漏电流

输出上升时间

输出下降时间

开关时间差 VDD=20V, Vo=20V

RL=820Ohm, CL=20pF

RL=820Ohm, CL=20pF

RL=820Ohm, CL=20pF Tf 0.3

3 ΔT

磁特性参数

BOP

BRP

Bhys 10

工作点

恢复点

磁窗口10

-50 50

-10 Gauss

Gauss

Gauss 70

页码:3 / 6 数据手册 2013年 10月

V1.0 直流风扇&马达驱动芯片 TC276

7. 典型应用

VDDDODOB GND

保护二极管电感1

电感2 电源

图10典型应用

注意:保护二极管是为了保护电感 1和电感 2在 VDD/GND反插的情况下不损坏

页码:4/ 6 数据手册 2013年 10月

V1.0 直流风扇&马达驱动芯片 TC276

TC276的分档标准:(单位:高斯)

A档:-45<=GBRP<=-15 & 15<=GBOP<=45;

B档:-60<=GBRP<=-10 & 10<=GBOP<=60;

C档:-90<=GBRP<=90 & -90<=GBOP<=90;

D档:-110<=GBRP<=110 & -110<=GBOP<=110;

8. 封装信息------TO94

页码:5 / 6 数据手册 2013年 10月

V1.0 直流风扇&马达驱动芯片 TC276

.1

降低噪声的方法

VDDDODOBGNDCOIL1COIL2

(a)D1

234

VDDR1150R2150

C12.2uFC22.2uF1

VDDDODOBGNDCOIL1COIL2

(b)D1

234

VDDR1150C12.2uF1

图1 低噪声应用示意图

1.1 方案1:在DO/DOB到GND之间分别接RC滤波电路,如图1(a)所示,其中电容推荐用

2.2uF,可选的范围为0.1uF~10uF,需根据实际的线圈负载做来调整,电容耐压要求50V,温度

支持85C,电阻推荐用150Ω,可选范围在50~500Ω。

1.2 方案2:在DO和DOB之间接RC滤波电路,如图1(b)所示,电容C1推荐用2.2uF,可选的

范围为0.1uF~10uF,需根据实际的线圈负载做来调整,电容耐压要求50V,如用电解电容推荐

采用无极性的,温度支持85C,电阻R1推荐用150Ω,可选范围在100~200Ω。

Application Note1.0 TC276

暂不支持简单调速的方法

VDDDODOBGNDCOIL1COIL2D1

234

VDD1

Q1R1限流电阻MCU控制信号端

图2 简易调速应用示意图

2.1 通常简易的调速方案如图2所示。

2.2 芯片应用于这种方式时对脉冲信号的高电平时间有特殊要求,并且跟线圈和电流大小有直接

关系

TC276

TC276直流风扇&马达驱动芯片 TC276

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