２ ５ ６ — ２ ５ ８ ． ）
［ ２ ］ 宋 晓岚 ， 李 宇煜 ， 江楠． 化学 机械抛 光技术研究 进展 ［ Ｊ ］ ． 化工进 展 ，
２ ０ ０ ８（ １ ） ： ２ ６ — ３ ０ ．
（ Ｓ ｏ ｎ ｇ Ｘｉ ａ ｏ － ｌ ａ ｎ ， Ｌ ｉ Ｙｕ — ｋ ｕ ｎ ， Ｊ ｉ ａ ｎ ｇ Ｎ ａ ｎ ． Ｒ ｅ ｃ ｅ ｎ ｔ ｄ ｅ ｖ ｅ ｌ ｏ ｐ ｍ ｅ ｎ ｔ ｏ ｆ ｃ ｈ ｅ ｍｉ ｃ ａ ｌ
Ｎｏ． ２
Ｆ ｅ ｂ ． ２ ０ １ ４
机 械 设 计 与 制 造
３ ９
学机械抛光 ， 研究抛光液 ｐ Ｈ值对材料去除率的影响ｆ ７ １ ， 一些科研 释表面材料 的去除机理， 分析 Ｃ Ｍ Ｐ中有效作用的磨粒并建立抛光 人员认为 ：碱性抛光液 中的一 Ｏ Ｈ离子和碳 化硅表 面悬挂 的单一 垫 、 磨粒和工件表面的接触模型 ， 建立合理 的力学公式 ； （ ３ ） 突破 目 硅原 子键发生化学反应形成 Ｓ ｉ Ｏ ， Ｓ ｉ Ｏ ： 与Ｓ ｉ Ｃ相 比要软 的多 ， 然 前将 Ｃ ＭＰ机械作用和化学作用分开研究 的局限眭， 综合考虑机械 后通过抛光液中磨粒 和工件 表面的研磨作用 去除材料 。但 是 ， 作用和化学作用以及各因素的耦合作用 ， 建立 Ｃ ＭＰ模型 。
（ Ｈｕ ａ ｎ ｇ Ｃ ｈ ｕ ａ ｎ － ｊ ｉ ｎ ， Ｚ ｈ ｏ ｕ Ｈ ａ ｌ ， Ｃ ｈ ｅ ｎ Ｘ ｉ － ｆ ｕ Ｓ ｔ ｕ ｄ ｙ ｔ ｈ ｅ ｃ ｈ ｅ ｍ ｉ ｃ ￣ｍ ｅ ｃ ｈ ａ ｎ ｉ ｃ ａ ｌ
ｏ ｎ ｓ ａ ｐ ｐ ｈ ｉ ｒ ｅ ｓ ｕ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｔ ｅ［ Ｊ ］ ． Ｍａ ｃ ｈ ｉ ｎ ｅ ｒ ｙＤ ｅ ｓ ｉ ｇ ｎ＆Ｍａ ｎ ｕ ｆ ａ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ ， ２ ０ １ ０（ １ １ ） ：
ｍ ａ ｔ ｅ ｉ ｒ ａ ｌ ｒ ｅ ｍ ｏ ｖ ａ ｌ ｉ ｎ ｃ ｈ ｅ ｍｉ ｃ ｌ— ａ ｍｅ ｃ ｈ ａ ｎ ｉ ｃ ｌ ａ ｐ ｏ ｌ ｉ ｓ ｈ ｉ ｎ ｇ （ Ｃ ＭＰ） ［ Ｃｊ ． Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ
Ｔ ｒ ａ ｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ｏ ｎＳ ｅ ｍｉ ｃ ｏ ｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ Ｍａ ｎ ｕ ｆ ａ ｃ ｔ ｕ ｒ ｉ ｎ ｇ 。 ２ ０ ０ １ （ １ ４ ） ： ４ ０ ４１ ７ ．
散性提高而增大。文献 提 出， 碱性抛光液 中含有大量的一 Ｏ Ｈ离
ｍｅ ｃ ｈ ａ ｎ ｉ ｃ ａ ｌ ｐ ｏ ｌ ｉ ｓ ｈ ｉ ｎ ｇ ｌ Ｊ ］ ． Ｃ ｈ ｅ ｍｉ ｃ ａ ｌ Ｉ ｎ ｄ ｕ ｓ ｔ Ｉ ｙ ａ ｎ ｄ Ｅ ｎ ｇ ｉ ｎ ｅ ｅ ｒ ｉ ｎ ｇ Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ， ２ ０ ０ ８
（ １ ） ： ２ ６ — ３ ０ ． ）
［ ３ ］ Ｅ ｖ ａ ｎ ｓ Ｃ Ｊ ， Ｐ ａ ｕ ｌ Ｅ ， Ｄ ｏ ｒ ｎ ｆ ｅ ｌ ｄ Ｄ ． Ｍ ａ ｔ ｅ ｉ ｒ ａ ｌ ｒ ｅ ｍ ｏ ｖ ａ ｌ ｍ ｅ ｃ ｈ ａ ｎ ｉ ｓ ｍ ｓ ｉ ｎ ｌ ａ ｐ ｐ ｉ ｎ ｇ ａ ｎ ｄ ｐ ｏ ｌ ｉ ｓ ｈ ｉ ｎ ｇ［ Ｊ ］ ． Ｃ Ｉ Ｒ Ｐ Ａ ｎ ｎ ａ ｌ ｓ — Ｍ ａ ｎ ｕ ｆ ａ ｃ ｔ ｕ ｒ ｉ ｎ ｇ Ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ， ２ ０ ０ ３ （ ２ ） ：
键 ，若所有 的 ｓ ｉ — ｓ ｉ 键被 Ｓ ｉ — Ｏ Ｈ键代替便形成了可溶性硅酸盐 ， ［ ４ ］ Ｆ ｕ Ｇ ． ， Ｃ ｈ ａ ｎ ｄ ｒ ａ ， Ａ， Ｇ ｕ ｈ ａ ， Ｓ ． ， Ｓ ｕ ｂ ｈ ａ ｓ ｈ ， Ｇ ． ． Ａ ｐ ｌ ａ ｓ ｔ ｉ ｃ ｉ ｔ ｙ ＿ ｂ ａ ｓ ｅ ｄ ｍ ｏ ｄ ｅ ｌ ｏ ｆ
高ｐ Ｈ值的抛光液并不一定会加速材料去除率 ，抛光液 ｐ Ｈ值 的 效果 取决 于所用抛光液 的类型 ， 温度升高 ， 抛光 垫纤维 的动态剪 切模 量减小 ， 进而影响抛光垫的性 能 ， 动态剪切模量 减小使工 件 和抛光垫接触深度增加 ， 进而接触更多的抛光液磨粒。
一
计与制造 ， ２ ０ １ ０ （ １ １ ） ： ２ ５ ６ — ２ ５ ８ ．
Ｏ Ｈ离子能够削弱 Ｓ ｉ — Ｃ键 ， 高的ｐ Ｈ值提高 了一 Ｏ Ｈ离子 的
浓度从而加快化学反应速度 。 抛光液的 ｐ Ｈ值随着温度 的升高而 降低 ， 这是因为从碳酸 Ｈ Ｃ Ｏ 中电离 出来的 Ｈ 擞 量不断增加 ， 进 而影 响抛光液 的 ｐ Ｈ值。一般情况下 ， 料去除率随着抛光 液的分
６１ １ — ６ ３ ３ ．
子， 一 Ｏ Ｈ离子破坏 ｓ ｉ — ｓ ｉ 键形成 Ｓ ｉ — Ｏ Ｈ， 每个 ｓ ｉ 原子有 四个 ｓ ｉ — ｓ ｉ
但是如果某个原子的 Ｓ ｉ — ｓ ｉ 键中有一个以上没有被破坏那么就不 会形 成可溶性 硅酸盐 ， 而是在 表面形成一层氧化膜 ， 进而作用将表 面一层材料去除。
［ ５ ］Ｋ ｗ ｏ ｎ Ｄ， Ｋｉ ｍ Ｈ， Ｊ ｅ ｏ ｎ ｇ Ｉ ４ ． Ｈｅ ａ ｔ ａ ｎ ｄ ｉ ｔ ｓ ｅ ｆ ｆ ｅ ｃ ｔ ｓ ｔ ｏ ｃ ｈ ｅ ｍｉ ｃ ａ ｌ ｍｅ ｃ ｈ ａ ｎ ｉ ｃ ａ ｌ
Ｔ ｒ ｏ ｇ ｏ ｌ ｏ 和Ｒ ａ ｊ ａ ｎ 持有另外一种看法 ： 硅在抛光液 中溶解生成 ｓ ｉ 参考文 献
１ ］ 黄传锦 ， 周海 ， 陈西府． 化学机械抛光 的理论模型研究综述 Ｉ Ｊ １ ． 机械设 （ Ｏ Ｈ） ｄ ｂ ， Ｓ ｉ （ Ｏ Ｈ） 在高 ｐ Ｈ值的抛光液中溶解。实验结果表 明： 过 ［