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固定沉积时间为30 min，分别选取4 个电压一0.3,0.1,0.3,0.5 V作为沉积电 压，以寻找合适的生长条件。当沉积 电压为一0.3 V时，形成的纳米颗粒粒 径大约为20 nm士2 nm的球形颗粒， 颗粒间间距较大。随着沉积电压的增 大，所形成的纳米结构增大，颗粒间 的间隙减小，形成较大的纳米簇。
电沉积法制备金纳米结构
应化13-2 李睿

材料与方法
1.材料
氯金酸(HAuCl4 } 4H20 , 99.9%，购自上海化学试剂有限公司。 ITO导电玻璃，厦门爱特欧光电实业有限公司。 所有用水皆为超纯水，由Milli-pore-Q纯水仪制备。
2.电沉积法制备金纳米结构
将清洁干燥的ITO玻璃作为工作电极，Pt电极为对电极，232饱和甘汞电极为参照电极，选择 适当的电沉积电压和电沉积时间，在导电玻璃表面原位沉积得到一定疏密程度和尺寸的纳米 金结构。本试验中，用ITO玻璃作为工作电极，沉积电压分别选择了0.3 , 0.1, 0.3 , 0.5 V，沉积 时间为1,10,30,60 min
沉积电压为0.1 V，沉积时间分别 为1,10,30,60 min。当沉积时间越 长，沉积位点越多，并且颗粒逐 渐增大，颗粒间的间距逐渐减小， 颗粒表面形成凹凸不平的结构。 颗粒粒径由20nm士2 nm逐渐增大 到180 nm士4 nm。可通过调节成 核时间，得到适宜疏密程度和大 小的成核位点和种子，以制备不 同形貌的纳米材料。沉积时间 “控制”了纳米结构的尺寸，随 着生长时间的增加，在纳米结构 的表面会沉积更多的金原子，使 纳米结构不断长大，纳米结构之 间的间距逐渐变小，当超过一定 时间后，纳米结构继续生长，最 后连接成片