Recipe1

C4F8 SF6 Pressure RF ICP Temp He Etch Rate Time

(sccm) (sccm) (mTorr) (W) (W) (℃) (Torr) (A/min) min

10 2 10 10 150 20 10 0 6

Recipe2

C4F8 SF6 Pressure RF ICP Temp He Etch Rate Time

(sccm) (sccm) (mTorr) (W) (W) (℃) (Torr) (A/min) min

5 2 10 10 150 20 10 377 15

Recipe3

C4F8 SF6 Pressure

RF ICP Temp He Etch Rate Time

(sccm) (sccm) (mTorr) (W) (W) (℃) (Torr) (A/min) min

3 2 10 10 150 20 10 311 15

Recipe4

C4F8 SF6 Pressure RF ICP Temp He Etch Rate Time

(sccm) (sccm) (mTorr) (W) (W) (℃) (Torr) (A/min)

min

2 2 10 10 150 20 10 86 6

当C4F8<5sccm时，保护层<物理轰击

当C4F8=10SCCM时，保护层>物理轰击，所以在形成保护层时，C4F8量要超过5sccm

根据recipe3，4可以大概的算出X=30A/min，Y=110A/min。X表示C4F8刻蚀Si的速率（物理-保护层），Y表示SF6的刻蚀Si的纵向速率。Recipe1可说明保护层的生成量大于刻蚀速率，且刻蚀速率达到饱和，C4F8为过量。假设C4F8的饱和量为7sccm（要大于5），说明3sccm的生成保护层速率大于刻蚀速率（30A/min），若去掉SF6，则保护层速率大概为250A/min（）

只是大概猜测，具体多少还得根据实验。

新方案：

1 在recipe3的基础上加大RF，先纵向刻蚀一定深度的Si （600A）,2min

C4F8 SF6 Pressure RF ICP Temp He

(sccm) (sccm) (mTorr) (W) (W) (℃) (Torr)

3 2 10 20 150 20 10

2 采用recipe4工艺，去掉C4F8并加大RF至20W, 6min。

3采用recipe1工艺，去掉SF6，形成保护层，t=2min。

4 2,3两步如此循环几次，看电镜。

根据结果做调试。