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外腔半导体激光器

外腔半导体激光器

半导体激光器就是将载流子注入激光器有源层,实现粒子数反转,通过谐振腔实现光子共振。载流子注入主要有电注入和光注入两种,电注入通过p-i-n结构,将电子注入有源区的导带,空穴注入价带,也称激光二极管(LD: laser diode);光注入就是用外来光源(主要是激光),将电子子从有源区的价带激发至导带。

半导体很容易做成光子和载流子限制结构,如量子阱、谐振腔,容易实现粒子数反转和光子共振。

半导体激光器的优点:成本低、体积小(器件本身尺寸以微米量级,包括封装也能用手拿住)、电注入(电磅浦)、寿命长。缺点:光束是发散的,得用透镜系统来聚束。

上面提到了谐振腔,半导体激光器的谐振腔分外腔和内腔:

内腔主要是半导体解理面(端发射)或分布布拉格反射镜(DBR: distributed Bragg

reflector)(面发射),内腔都是在器件内实现。

外腔就是将谐振腔延伸至器件外面,用光学反射镜面实现。

内腔的优点:成本低,工艺简单,易于实现;缺点:腔长短,很难实现大功率单模发射,输出发散角大。

外腔的优缺点正好和内腔反过

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