存储器测试系统
拥有业界领先的768DUT的DRAM晶圆并行测试能力
爱德万测试为DRAM晶圆测试开发的新一代存储器测试系统T5385提供了无与伦比的768DUT并行测试能力及533Mbps测试速率，可进一步提升您的产量并降低您的测试成本。T5385能够根据待测器件灵活地配置测试通道数量，以最优化的方式为各种DRAM器件分配通道资源，从而最大化同测数、最小化扎针次数、进一步提升产能，因此特别适用于高产量的晶圆厂。T5385在提升同测数量的同时更提高了每颗待测器件的测试效率，使其在消费类器件（如LPDDR2、DDR3多die堆叠型器件）的KGD（Known Good Die）测试中大幅提升产能。
高吞吐速率、低测试成本
当今，在电脑及其他各类电子产品中，新一代的DRAM存储器提供了更快的存取速度、更高的存储容量，以及更优良的电源功耗。这一切都得益于半导体行业对更小节点制程的积极推进。更小节点的制程可以在每片晶圆上制造出更多的、更高密度的芯片，同时也对DRAM晶圆测试的吞吐速率提出了苛刻的要求。在各大芯片制造厂商的要求下，爱德万测试推出的新一代T5385测试系统提供了无与伦比的同测能力及灵活的通道资源分配能力，显著提升了晶圆测试过程中的吞吐速率。
高速的存储器修复分析（Memory Repair Analysis，即MRA）
T5385在软硬件系统上具备大量优势，其中之一是高速的存储器修复分析系统（Memory Repair Analysis，即MRA）。高速的存储器修复分析可以大幅降低DRAM或FLASH晶圆测试的时间。与本公司的前一代系统相比，T5385可以缩短30%的测试时间。通过将冗余处理及数据传输交由后台处理，T5385可进一步缩短晶圆测试时间。
FLASH存储器测试能力
T5385支持FLASH存储器的晶圆测试。它独家拥有专为FLASH存储器优化的tester-per-site构架，可大幅缩短测试时间。 适用于DRAM研发的T5385ES存储器测试系统
专为工程目的而设计的T5385ES，既拥有更小的体积，又具备T5385的所有功能及性能。通过T5385ES，可以方便地对待测器件进行工程验证及特性分析。此外，在T5385ES上开发的测试程序可以无缝移植到T5385上，加快DRAM程序的开发速度。
主要性能
目标芯片： DRAM、SDRAM、DDR器件、SRAM、FLASH存储器、EPROM、等
同测能力： T5385：最大768同测
T5385ES：最大12同测
测试速率： 266MHz / 533Mbps（在DDR模式下）
IC测试系统
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电路板修理申请系统
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存储器测试系统
高速的Per-Site系统购价，测试频率高达266MHz/533Mbps
T5781
T5781ES
随着移动电话，移动设备功能的提升，高像素的照相机、内嵌的音乐播放器等功能，越来越多的被嵌入到移动设备中。随之应运而生的是对移动设备中存储器容量、功能、速度的提高。这一趋势，推动了MCP的发展，所谓MCP(multi chip packages)是指将多个存储器芯片-比如NAND、NOR、SDRAM等安装在同一个封装中。T5781为此类芯片提供了高性价比，高产能的测试方案。
同测能力高达512个芯
T5781的Per-Site构架为MCP和Flash芯片测试提供了最优化的测试环境。T5781的同测能力对于MCP最大可达256同测，对于NAND Flash最大可达512同测。T5781具有全IO通道，配合新开发的switch matrix测试接口，测试资源可以被更加灵活的分配，以对应不同种类MCP的测试需求。此外T5781的DRAM测试功能能够满足不同种类DRAM的测试要求。
T5781ES面向芯片评价以及测试程序开发
T5781ES工程用机具备T5781测试系统的全部功能，占地面积小，为芯片的分析评价以及测试程序的开发提供了低成本的方案。此外测试程序，操作系统，以及硬件构架的与T5781兼容。测试程序基本可以直接移植到T5781。最大程度的缩短了新产品从程序开发/评价到量产的整个周期。 FutureSuite®,支持多种编程语言
FutureSuite系统，为per-site构架提供了更好的支持。其良好的扩展性，极大程度上简化了设计阶段到量产阶段测试程序的扩展。FutureSuite支持多种编程语言。包括传统的ATL编程语言，以及基于C语言的MCI(Macro Control Interface)语言。
主要性能
机型 T5781 T5781ES
目标芯片： Flash memory, MCP,等
同测能力： 最大支持512芯片同测 最大支持 32 芯片同测
(x8/x9 bits, I/O 共享模式)
测试速率： 266MHz/533Mbps (DDR模式)
FutureSuite是由ADVANTEST CORPORATION在日本，美国和其他国家注册的注册商标
T5383
存储器测试系统
同测能力高达384芯片
高集成度的测试通道设计降低测试成本
在DRAM的制造中，12寸原晶片工艺的提高使芯片的集成度、频率达到了一个新的高度。在手机、个人电脑等各类数码产品的运用需求的推动下，存储器特别是多层SIP(系统级封装)器件的需求量日益增加。
对于这一发展趋势，从DRAM芯片的前道测试到Flash/MCP/SIP的后道测试，T5383及时的提供了测试阶段的解决方案。与早期的系统相比，在相同占地面的情况下，T5383高集成度的测试通道设计能可以增加50%以上测试资源。
高同测数，灵活的测试通道配置 降低测试成本
T5383提供了更丰富的测试资源，因此T5383可以支持具有更高通道数的芯片，同时也具备更高的同测能力。其同测能力为前一代系统的1.5倍，达到384芯片同测。此外T5383灵活的通道配置方式也大大的增强了同测试时系统配置的灵活性与多样性。从而大大降低了测试成本。
行业内最块的测试速度，最短的测试时间
T5383的测试频率为286MHz/572Mbps，使其成为这一领域中最高速的测试设备。测试速度提高的同时，使得测试时间缩短，同时也提高了系统的错误检出比率（比如KGD测试）。此外T5383在存储器修复分析硬件（MRA4ev3和DualAFM选件）得到了进一步的提高，高速的数据处理和数据传输使其在芯片修复分析阶段的效率提高了一倍。
FutureSuite ®支持多种编程语言
T5503使用爱德万测试版权所有的FutureSuite软件作为其操作系统，FutureSuite支持多种编程语言。包括传统的ATL编程语言，以及基于C语言的MCI(Macro Control Interface)语言。
主要性能
目标芯片： DRAM, SDRAM, DDR devices, SRAM and flash
memory, EPROM, 等
同测能力： 最大支持384芯片同测 测试速率： 286MHz/572Mbps
FutureSuite是由ADVANTEST CORPORATION在日本，美国和其他国家注册的注册商标
T5587
存储器测试系统
可灵活测试MCP等器件的高吞吐速率的测试系统
随着手机、笔记本电脑等产品的功能不断提升、体积不断缩小，存储器器件也相应地向着高速、大容量的方向在发展。
此外，随着终端市场需求的多元化，MCP类芯片（如DRAM + FLASH堆叠芯片）的需求量也在持续暴涨。
T5587满足了以上市场的需求，它拥有增强的FLASH存储器测试功能及高吞吐速率，可实现最大400Mbps的测试速率及高达512器件的同测能力。
同测能力高达512芯片
T5587满足了MCP对更高的测试吞吐速率的需求，可同时测试最大512个待测器件。
高速的Flash存储器测试能力
T5587可实现400Mbps的高速测试。此外，T5587的增强型坏块屏蔽功能及全新设计的高速数据传输总线更可大幅提升NAND FLASH的同测效率。