存储器及其接口
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存储器的种类、特性和结构

一、 分类
按元件组成：半导体M，磁性材料存储器（磁芯），
激光存储器

按工作性质：内存储器：速度快，容量小（64K〜8Gbyte）

外存储器：速度慢，容量大（20MB〜640GB）
二、半导体存储分类
RAM
SRAM 静态

DRAM 动态
IRAM 集成动态
ROM
掩膜ROM

PROM 可编程
EPROM 可改写
E PROM 可电擦除

三、内存储器性能指标
1. 容量 M可容纳的二进制信息量，总位数。
总位数=字数×字长 bit，byte，word
2. 存取速度
内存储器从接受地址码，寻找内存单元开始，到它
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取出或存入数据为止所需的时间，T
A。

TA 越小，计算机内存工作速度愈高，半导体M存储
时间为 几十ns〜几百ns ns=mus
3.功耗
维持功耗 操作功耗
CMOS NMOS TTL ECL
（低功耗.集成度高） （高速.昂贵.功耗高）

4、可靠性
平均故障间隔时间
MTBF（Mean Time Between Failures）
越长，可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.

5、集成度
位/片 1K位/片〜1M位/片
在一块芯片上能集成多少个基本存储电路
（即一个二进制位）

四、存储器的基本结构
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随机存储器 RAM 或读写存储器
一、基本组成结构

存储矩阵
寄存二进制信息的基本存储单元的集合体，为便于读写，基本 存储单元都排
列成一定的阵列，且进行编址。
N×1—位结构：常用于较大容量的SRAM，DRAM
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N×4
N×8 —字结构 常用于较小容量的静态SRAM
2、地址译码器
它接收来自CPU的地址信号，产生地址译码信号。选中
存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作
两种编址方式：
单译码编址方式. 双译码编址方式
（字结构M） （复合译码）
存储容量
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