第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。
()(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( )(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( )(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。
()(6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。
()解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X二、选择正确答案填入空内。
(1) ____________________________________ PN结加正向电压时，空间电荷区将______________________________ 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2) _______________________________________________ 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。
A. I s e UB. Is^^C.I s(e UU T-1)(3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)_____________________________________________________ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。
试画出它的过损耗区\./mA 20r -15 r 10J 厂IIII者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（5） _______________________________________________ U Gs = 0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 _________________________________ 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管解：（1）A（ 2）C （ 3）C（ 4）B（ 5）AC三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压L D =。
解：U Ol ~, U O2= 0, U)3Q — , Q +46rBL-二I亍D V20+U M Q 2V, UO Q , U O Q — 2V O四、已知稳压管的稳压值 LZ = 6V,稳定电流的最小值l zmin = 5mA 求图所 示电路中U Oi 和U O2各为多少伏。
-C3500 010V2kUL>l10V2kIlD %解：U Oi = 6V, U O2= 5V O五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率 R M = 200mWV 2T2 2D0+人-0A3 mA 2015 1010 20 30 40叱 |解：根据 P e g 200mW 可得：U C E = 40V 时 I c = 5mA U C E = 30V 时 I c ~, U C E = 20V 时 I 尸10mA L C E = 10V 时I c = 20mA 将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解 图所示。
临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图所示，V cc = 15V, B — 100， U B E =。
试冋:1) R = 50k Q 时，基极电流、集电 极电流和管压降分别为所以输出电压U O = U C E =2V 。
(2)设临界饱和时U C ES = U B E =，所以匕 28.6 AV BBU BE45.4k七•测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电 压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入 表内。
表解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS t 。
根据表中所示 各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表所示。
(1) R )= 50k Q 时，U o = (2) 若T 临界饱和，贝U% 饨5kf2 ---- o解:V BB U BER b26卩AI cU CE I B V cc2.6mAI c R c2VV ec U CESR e2.86mA解表选择合适答案填入空内。
(1在本征半导体中加入_______ 元素可形成N型半导体，加入________ 元素可形成P型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价(2)__________________________________________ 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将____________________________________ 。
A.增大B. 不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12卩A增大到22卩A时，I c从1mA变为2mA那么它的B约为_________________ 。
A. 83B.91 C. 100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将___________ 。
A.增大 B.不变 C.减小解：(1) A，C (2) A (3) C (4) A能否将的干电池以正向接法接到二极管两端为什么解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时，管子会因电流过大而烧坏。
6电路如图所示，已知U i= 10sin 管正向导通电压可忽略不计。
电路如图所示，已知出U i 与U O 的波形，并标出幅值。
解：波形如解上图所示电路如图5 (a )所示，其输入电压U II 和U i2的波形如图(b )所示, 极管导通电压U D =。
试画出输出电压U O 的波形，并标出幅值。
解：U O旳叫的波形如解图所示(&) ⑹川\ I37 ---------------------- ------ --------------解：U i 和U o 的波形如解图所示6L >U i = 5sin12 O -----电路如图所示，二极管导通电压U D =,常温下 4 26mV 电容C 对交流 信号可视为短路；u 为正弦波，有效值为10mV试问二极管中流过的交流电流有效值为多少 解：二极管的直流电流I D =( V 一 U D ) / R =其动态电阻r D ~ U T /1 D = 10Q故动态电流有效值 1mA现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V,正向导通电压为 试问：(1) 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少 (2) 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少 解：(1)两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。
已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ,稳定电流的最小值l zmin = 5mA 最大功耗P Z M = 150mW 试求图所示电路中电阻 R 的取值范围。
IIToR500 £2解：稳压管的最大稳定电流I ZM ^ P Z M LZ = 25mA电阻R 的电流为I Z L I zmin ,所以其取值范围为U I U zR一------- 0.36〜「8k 已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ Z = 6V,最小稳定电流I Zmin = 5mA 最大稳定电流I zmax =25mA (1)分别计算 U 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；(2)若U = 35V 时负载开路，贝U 会出现什么现 象为什么当U 二15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流 i Zmin ,所以U O = CZ = 6V同理，当 U = 35V 时，U O = U Z = 6Vo(2)G (U| U Z ).R 29mA>I Z心25mA 稳压管将因功耗过大而损坏在图所示电路中，发光二极管导通电压 U D =,正向电流在 时才能正常工作。
试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光 (2) R 的取值范围是多少I k£>500Q解：(1)当 U = 10V 时，若 U 尸 U Z = 6V , 最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故则稳压管的电流为4mA 小于其 U OR L R R LU I 3.33V5 〜15mAo + j T (+5V)围为解：(1) S 闭合。
(2) R的范Rmin(V U D) I Dmax 233R max (V U D )；'1 Dmin 700。
电路如图(a)、( b)所示，稳压管的稳定电压CZ = 3V, R的取值合适，U I的波形如图(c)所示。
试分别画出U O1和U O2的波形。
耐/V]解：波形如解图所示在温度20C时某晶体管的I CB F 2卩A,试问温度是60C时I CB代解：60 T 时I CB济I CBO（T =20 C）=32 A o有两只晶体管，一只的B,I CEO= 10卩A,其它参数大致相同。
你认=200 ,I CEO= 一只的B 1为应选用哪只管子为什么解：选用B = 100、I CBO= 10卩A的管子，因其B适中、I CEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
已知两只晶体管的电流放大系数B分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向, 并在圆圈中画出管子。
1.01 in A解：答案如解图所示测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示电路如图所示，晶体管导通时U B E=, B =50。
试分析V BB为0V、IV、U O V CC I CQ R c 9V解表所以T 处于放大状态。
(3) 当V B B = 3V 时，因为当U I =一 5V 时，晶体管饱和，U O =。
因为处于饱和状V BB U BEQI BQR b1 CQ 1 BQ 8mA态。
U O V CC1 CQR c < U BE160卩A所以T电路如图所示，试问B 大于多少时晶体管饱和 解：取U C ES = U B E ,若管子饱和，则R b 所以，仏 管子饱和。
电路如图所示，晶体管的B 二50, | U BE 二，饱和管压降| U C E S 二；稳压管的稳定 电压U Z = 5V,正向导通电压 U D =。
试问：当u = 0V 时u 尸当U I = 一 5V 时U o = 解：当U I = 0时，晶体管截止，稳压管击穿, U O = — U Z = — 5Vou I U BE4801AR b24mAU EC V CC I C R c v V CC已知某结型场效应管的I Ds r 2mA U G S （off ）= — 4V ,试画出它的转移特性 曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。