《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是 ；在P型半导体中，多数载流子

是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。

二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型 ++++++------Rb1Rb2Re1Re2RcRLC1CeC1C2L15V8VRe1Re2UccUccC2Ugs+10-1-2idUbs0usRsRRRRRRRR2R2R2RUo1Uo2Uo3Uo4+-Uo

+1

+2+4A1A2A3

A4

图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5

图3-1++

++++------D2RRb1Rb2Re1Re2RcRLC1CeC1C2L15V8VB=50UiRfRe1Re2UccUccC2Ugs+10-1-2idUbs0usRsRRRRRRRR2R2R2RUo1Uo2Uo3Uo4+-Uo

+1

+2+4A1A2A3

A4

图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5

图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝-4Ｖ，V2＝-1.2Ｖ，V3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U2＝24V，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得RL的电压值约为21.6V，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B RL开路 C C开路 D 一个二极管和C开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止

三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替Re后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC桥式振荡电路只要Rｆ≤2R１就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。

四、分析题

电路如图所示： （1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 （2）电阻R3和二级管D1、D2 的作用是什么？ （3）静态时T4 管射级电位UE4 =？负载电流 IL =？ （4）动态时，若输出VO出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？应调哪个元件？怎样调才能消除失真？ （5）判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时，电路的闭环增益应为多少? （6）求负载RL上最大输出幅度Vom和最大输出功率Pom。（设VCES=0V，RL=24Ω） （7）若Rf=100kΩ，Rb2=2kΩ，求RL上输出幅度最大时，输入VI的有效值为多少？

五、计算题 1、电路如图所示，晶体管的β＝60，'100bbr。 （1）求电路的Q点。 （2）画出微变等效电路，并计算uioARRg、、。 （3）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？若C3开路，则Ui＝？Uo＝？

2、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'100bbr，UBEQ≈0.7。试计算RW

滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。 3、电路如图所示，设集成运放均有理想的特性，写出输出电压uo与输入电压uI1、uI2

的关系式。 《模拟电子技术》复习题一参考答案 一、填空题 1、自由电子， 空穴 。 2、绝缘栅型， 电压 3、共射 4、输入 5、负反馈 6、饱和， 放大， 截止 7、放大电路， 选频网络 ， 正反馈网络 ，稳幅环节 二、选择题 1、B 2、B 3、D 4、B 5、C 6、A 7、A 8、C 9、C 10、B

三、判断题 1、√ 2、√ 3、× 4、× 5、√ 6、× 7、× 8、√ 9、√ 10、√ 四、分析题 答：（1）输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为无输出电容的功率放大电路。 （2）消除交越失真。 （3） UE4 =0， IL =0。 （4）为交越失真。应调Ｒc3 ，应将阻值调大。 （5）电压串联负反馈。

221bfbIOufRRRFV

VA

（6）VVMom9.（幅值）或VVom29(有效值) WRVPLomom69.12429222 (7) 5121002ufA VAVVufomI125.05129 五、计算题 1、 解：（1）Q点： （2）画出微变等效电路 berbR

CR

bi

biiuLR

动态分析：

（3）设Us＝10mV（有效值），则 若C3开路，则

2、 解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：

Ad和Ri分析如下： 3、 解：由图可知，运放A1、A2组成电压跟随器

， 运放A4组成反相输入比例运算电路

运放A3组成差分比例运算电路

以上各式联立求解得： 《模拟电子技术》复习题二 一、填空题

1、当PN结外加正向电压时，P区接电源 极，N区接电源

极，此时，扩散电流 漂移电流。 2、二极管最主要的特性是 。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。由图1-3可知，中频放大倍数|Avm|=__ __。

图1-3 图1-7 4、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个

管子所承受的最大电压为__ _____。 5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。 6、小功率直流稳压电源由变压、 、__ __、 四部分组成。 7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。 二、选择题

图2-1图2-2图2-4A1A2A3A1+++----+Ui

RRRRRR2R2RL1L2CUccUgsid0RLUo1Uo2Uo

RbRcRbRb1Rb2Re1Re2RcRLC1CeC1C2L50K2.5KB=50UoUi

+5VRfRe1Re2Ucc

UccUccC2

usRs

2R

图2-2图2-6图2-4图2-5 图2-3 图2-8 图2-9 图2-10

1、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。 A NPN型 B PNP型 C 不正确 2、N型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。