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大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空(本题共20分,每空1分):1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。

2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。

3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。

4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。

5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。

6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。

7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。

8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。

9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。

二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。

2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。

5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。

6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。

7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。

8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。

9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。

10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。

三、选择(本题共20分,每个选择2分):1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A )A. NPN型硅管;B. NPN型锗管;C. PNP型硅管;D. PNP型锗管;2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。

A. 增大B.不变C. 减小3.典型的差分放大电路中Re( B )。

A.对差模信号起抑制作用B. 对共模信号起抑制作用C. 对差模信号和共模信号均无作用4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。

A. 40VB. 20VC. 10VD. 5V5.电流源的特点是( A )。

A .交流电阻大,直流电阻小;B . 交流电阻小,直流电阻大;C. 交流电阻大,直流电阻大;D. 交流电阻小,直流电阻小。

6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。

A. 耦合电容和旁路电容的存在;B. 放大电路的静态工作点不合适;C. 半导体管的非线性特性;D. 半导体管极间电容和分布电容的存在;7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。

A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位;C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B )A. T1管;B. T2管;C. T3管9.交流反馈是指( C )A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈;C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈;10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D )A. 基本共射放大电路;B. 基本共集放大电路;C. 反相比例运算电路;D. 同相比例运算电路;四、分析与计算(本题共50分):1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。

2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。

3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。

(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极耗散功率P CM 值。

4.(本小题18分) 电路图5中,C 1、C 3和C E 的容量足够大,晶体管的β=50,r bb ’=200Ω,V BEQ =0.7V ,R S =2k Ω,R B1=25k Ω,R B2=5k Ω,R C =5k Ω,R L =5k Ω,R E1=1.7k Ω,R E2=300Ω,V CC =12V 。

计算:(1)电路的静态工作点;(2)电压放大倍数A uS 、输入电阻R i 和输出电阻R O 。

图1 图2图3 图4图5试卷编号 02……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共18分,每空1分):1.本征半导体中,自由电子浓度___等于_____空穴浓度;在P 型半导体中,自由电子浓度__小于______空穴浓度;在N 型半导体中,自由电子浓度_大于_______空穴浓度。

2.放大电路中,测得三极管三个电极1,2,3的电位为V U V U V U 12,8.2,5.3321===;则该三极管是________型,电极1为________,2为________,3为________。

3.射极输出器的特点是:电压放大倍数 近似为1________,输入电阻__大______,输出电阻_小_______。

4.半导体三极管属___电流_____控制器件,而场效应管属__电压______控制器件。

5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是=F A &&__1______,φA +φB=____2n π____。

6.若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流,应选用_电流串联负反馈_______反馈。

7.文氏电桥正弦波振荡器用__RC 串并联______网络选频,当这种电路产生振荡时,该选频网络的反馈系数F &=__1/3______,F Φ=____0____。

二、简答(本题共10分,每小题5分):1.什么是零点漂移,产生的原因是什么,抑制零点漂移最有效的方法是什么?直接耦合放大电路中,前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化,使工作点随机漂移,这种漂移被后级逐级放大,从而在输出端产生零点漂移。

抑制零漂最有效的方法是采用差分电路。

2.什么是交越失真,如何克服交越失真?由于三极管存在死区电压,在OCL 电路中,工作于乙类时,输入信号在过零时,将产生失真,称为交越失真。

克服交越失真的方法是使管子处于微导通状态。

三、分析与计算(本题共72分): 1.(本小题15分) 放大电路如图示1,Ω=Ω=k R k R b b 52,821,R C =8.7k Ω,e R =1.3K Ω,Ω='300r b b ,+V CC =+15V ,β=20,U BE =0.7V ,电容容量足够大,求:⑴静态工作点;⑵电压放大倍数u A ;⑶输入电阻i R 和R o ;⑷若S R =1k Ω,求us A ;⑸若e C 开路,求u A 。

2.(本小题12分) 电路如图2所示,,k 20R ,k 30R R ,k 5R R e 2C 1C 2b 1b Ω=Ω==Ω==1T 和2T 的性能一致,V 15V ,V 15V EE CC -=-+=+;Ω==k 4r r 2be 1be ,5021=β=β;试求:⑴:求ud A ,id R ;⑵:电路改成从2T 的集电极与地之间输出时ud A图1 图23.(本小题15分) 电路如图3所示,已知:V 20V ,V 20V CC CC-=-=,Ω=8R L ,输入电压)V (wt sin 210u i =,1T 和2T 的性能一致,死区影响和CES U 均可忽略。

试求:输出功率o P ,电源消耗功率V P 及能量转换效率η,每管功耗T P 。

4.(本小题15分) 反馈电路如图4所示,试回答: ⑴:该电路引入了何种反馈(极性和组态);⑵:该反馈对输入和输出电阻有何影响(增大或减小); ⑶:在深度负反馈条件下,求电压增益uf A 。

图3 图45.(本小题15分) 电路如图5所示,集成运放均为理想运放,试写出输出电压o 2o 1o U ,U ,U 的表达式。

图5试卷编号 03……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分):1、构成各种半导体器件的基础是PN 结,它具有 单向导电 和反向击穿特性。

2、稳压二极管根据击穿机理可以分为 齐纳 击穿和雪崩 击穿。

3、三极管正常工作(起放大作用)必须具备的两个外部条件是 反射级正偏 和 集电极反偏 。

4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有 直接 耦合、 变压器 耦合和 阻容 耦合。

5、在集成电路中,高阻值电阻多用BJT 或FET 等有源器件组成的 电流源 电路来代替。

6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现 交越失真 ,在整个信号周期内,三极管的导通角θ等于 180度 。

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