采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

（A）结晶形态（B）非结晶形态（C）可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的（D）以上都不对
多选题
下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

（A）硅土（B）石英（C）磷石英（D）玻璃（E）水晶
判断题
结晶形态二氧化硅是由Si-O四面体在空间规则排列所构成的。

( )
非结晶态二氧化硅的网络疏松,不均匀而且存在孔洞。

( )
结晶与非结晶形态二氧化硅的基本差异在于前者的结构具有周期性,而后者则不具有任何周期性。

( )
二氧化硅性质
单选题
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

（A）结晶形态（B）非结晶形态（C）可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的（D）以上都不对
结晶形态和非结晶形态二氧化硅的基本差异在于（）。

（A）前者前者由Si-O四面体组成,而后者则不含Si-O四面体（B）前者的结构具有周期性,而后者则不具有任何周期性（C）前者的密度大,而后者的密度小（D）前者的氧都是桥联氧,而后者的氧不是桥联氧
二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

（A）电（B）磁（C）光（D）热
下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

（A）干氧氧化（B）湿氧氧化（C）水汽氧化（D）与氧化方法无关
判断题
结晶形态二氧化硅是由Si-O四面体在空间规则排列所构成的。

( )
热氧化法制备二氧化硅
单选题
干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（A）一个大气压。

（A）稍高于（B）大大于（C）等于（D）没有要求
干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。

（A）生长出的二氧化硅中引入很多可动离子（B）氧化的速度慢（C）生长的二氧化硅缺陷多（D）生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
多选题
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。

（A）生长的二氧化硅薄膜均匀性好（B）生长的二氧化硅干燥（C）生长的二氧化硅结构致密（D）生长的二氧化硅是很理想的钝化膜（E）生长的二氧化硅掩蔽能力强
判断题
水汽氧化法指的是在高温下,硅与高纯水产生的蒸气反应生成二氧化硅。

( )
湿氧氧化既有干氧氧化的优点,又有水汽氧化的优点,所以其氧化制备的二氧化硅薄膜的质量最好。

( )
湿氧氧化的氧化剂既含有氧,又含有水汽。

( )
二氧化硅生长的机制
单选题
当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。

（A）t2成正比（B）t2成反比（C）t成正比（D）t成反比
判断题
抛物线阶段的氧化物生长速率一般要比线性阶段的慢得多。

( )
热氧化生长二氧化硅,要生长一个单位厚度的二氧化硅,就需要消耗0.44个单位厚度的硅层。

( )
判断题
晶向对氧化物的生长速度没有影响。

( )
硅氧化生长的线性阶段,(111)硅单晶的氧化速率比(100)稍快。

( )
等离子增强氧化可在低温下提高氧化速率,从而减少热预算。

( )
硅-二氧化硅系统的性质
单选题
硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。

（A）钠（B）钾（C）氢（D）硼
钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

（A）替位式（B）间隙式（C）施主（D）可能是替位式也可能是间隙式
多选题
二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。

（A）玻璃器皿（B）高温器材（C）人体沾污（D）化学试剂（E）去离子水
判断题
硅-二氧化硅系统中的固定表面电荷密度与氧化和退火条件,以及硅晶体的取向有显著的关系。

( )
硅-二氧化硅系统中的固定表面电荷密度受氧化层厚度和硅中的杂质类型及浓度影响不大。

( )
热氧化过程中存在问题的原因分析
判断题
为了消除氧化膜中的针孔,应保证硅片的表面质量,硅片表面应平整、光亮。

( )
氧化膜中的针孔会造成金属电极引线和氧化膜下面的区域短路,使器件性能变差或失效。

( )
退火对减小硅-二氧化硅系统中的界面态密度没有帮助。

( )
硅-二氧化硅系统中界面态密度与工艺条件有关,如干氧氧化的界面态密度高于湿氧氧化。

( )
多选题
解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

（A）加强工艺操作（B）加强人体和环境卫生（C）使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备（D）采用HCl氧化工艺（E）硅片清洗后,要充分烘干,表面无水迹
高温炉设备
判断题
热工艺的基本设备有卧式炉、立式炉和快速热处理设备。

()
卧式和立式炉被认为是常规的热壁炉体。

()
卧式和立式炉是冷壁炉体。

()
快速热处理一般一次处理上百片硅片。

()
快速热处理既有非常快的、局域化的加热时间,它只对硅片进行加热,而不对炉壁加热。

()。