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3.PN结的伏安特性
v
i IS (eVT 1)
（1.13）
v—正偏电压,为负值时即反偏。 i—从阳极经过PN结流向阴极的电流，与v为关联参考方向。
v
当v VT时，i ISeVT 当v 0，且|v | VT时，i IS
（1.14） （1.15）
PN结具有单向导电性
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拓展训练：
1.PN结是谁发明或发现的？你是通过什么途径知 道的？
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2.PN结的特点
空间电荷层是非中性区 耗尽层 阻挡层 势垒层
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1.2.2 PN结的单向导电特性
偏置：PN结两端外接直流电压称为偏置
正向偏置 反向偏置
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么么么么方面
Sds绝对是假的
1.正向偏置的PN结
若PN结外加直流电压使P区电位高于N区电位，称PN结加正向 电压或正向偏置（简称正偏）。 PN结正偏时空间层和势垒的变化及正向电流方向如图 :
第一章 半导体材料及二极管
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1.2 PN结
问题：将P型半导体与N型半导体制作在同一硅片 或锗片上，在交界面会出现什么现象成及特点
1.PN结的形成
空间电荷区 内建电场
扩散电流和漂移电流相等，达 到动态平衡，PN结即形成。
图1.7 PN结的形成
图1.9 正偏PN 结的等效电路
2021/3/7 （a）内部结构示意图
（b）实用电路图
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2.反向偏置的PN结
若外加直流电压使P区电位低于N区电位，称PN结加反向电压 或反向偏置（简称反偏）。
图1.10 反偏PN结的等效电路
（a）内部结构示意图 （b）实用电路图
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反偏时PN结仅有很小的反向饱和电流。 PN结具有单向导电特性：正偏导通，反偏截止