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薄膜的物理气相沉积-溅射法


3.1 气体放电现象与等离子体
阴极辉光区是由向阴极运动的正离子与阳极发射出的二次电 子发生复合所产生的,该区域是二次电子和离子的主要加速区 ,这个区域的电压降占了整个放电电压的绝大部分。 负辉光区是辉光最强的区域,它是已获加速的电子与气体分 子发生碰撞而产生电离的区域,其中的电位梯度接近于零。
一般的讲,与阳极共同接地的衬底常放在距阴极较近的地方
几倍。
3.2 物质的溅射现象 (2)入射离子种类和被溅射物质种类
溅射产额随入射 原子序数的增加而
周期性增加;重离
子的溅射产额明显 高于轻离子。
3.2 物质的溅射现象
(3)离子入射角对溅射产额的影响 入射方向与样品法向
的夹角为60o~ 70o时,溅
射产额最大;
3.2 物质的溅射现象
原子的溅射产额呈
E1 4M1M 2 cos2 E2 ( M1 M 2 ) 2
对于辉光放电讲,相当于高速运动中的电子与低速运动中 的原子、分子或离子的碰撞。
3.1 气体放电现象与等离子体 非弹性碰撞:碰撞过程中有部分电子的动能转化为粒子2的内能
增加,其最大值为:
U M 2 cos E1 M1 M 2
3.1 气体放电现象与等离子体 气体的放电类型: •Townsend放电:气体击穿的初期,放电电压比较高,且随输入
功率的增加变化很小;放电电流随输入功率的增加而增加,但比
较小; •正常辉光放电:当放电达到一定值以后,足够多的电子和离子
使得放电可以自持,气体放电转化为正常辉光放电,此时的气体
电导率比较大,极板间电压下降; •反常辉光放电:当电离度达到比较高以后,电流随功率增加变
体的压力有关。帕邢曲线
就是表征均匀电场气体间 隙击穿电压、间隙距离和 气压间关系的定律。
3.1 气体放电现象与等离子体 相对于弧光放电来讲,辉光放电等离子体中电离粒子的密度 以及粒子的平均能量较低,而放电的电压较高。此时,质量较大 的重粒子,包括离子、中性原子和原子团的能量远远低于质量极 小的电子的能量。因为质量极小的电子极易在电场中加速获得能 量。 不同粒子还具有极为不同的平均速度。电子与离子具有不同 的速度的一个直接结果是形成所谓的等离子体鞘层,即相对于等
的第四态,等离子体最大的特点是具有很高的电导率。
气体辉光放电形成等离子体之后,放电过程就进入了可以自持 (自我维持)的阶段,气体中的荷电粒子,也就是带电荷的粒子,
在吸收了一定的电场能量之后,已经可以不断地复制出新的电子和
离子。
3.1 气体放电现象与等离子体
放电的自持阶段:原先由于辉光放电形成的等离子体当 中的荷电粒子,开始不断地轰击气体分子,产生新的电子 和离子;这些新的电子和离子产生之后,又去不断地轰击
出相应的能量。离子高速撞击靶材的 结果之一是使大量的靶材表面原子获 得相当高的能量,使其可能脱离靶材
的束缚而飞向衬底。
3.1 气体放电现象与等离子体 1、气体放电现象描述
使真空容器中Ar气的压力保持1Pa ,并逐渐提高两个电极之间的电压。 开始时,几乎无电流通过,只有极少
量的电离粒子在电场的作用下做定向
3.1 气体放电现象与等离子体
阳极鞘层电位变化不大,阴极鞘层电位则由于外加电压 的叠加而显著增加。在等离子体内部,没有静电荷的积累, 而其导电能力较高,因此其电位近似为恒定值,并且高于阴
阳两极各自的电位。这表明,两极间的全部电压降几乎均集
中在阴极鞘层中。
3.1 气体放电现象与等离子体 在辉光放电时,电极之间有明显的放电辉光产生,典型的 放电区域划分如图:
电子的发射,而电子能量也增加到足够高的水平,它们与气体 分子的碰撞开始导致后者发生电离。这些过程均产生新的离子
和电子,即碰撞过程使得离子和电子数目迅速增加。这时,随
着放电电流的迅速增加,电压的变化值却不大。这一放电阶段 称为汤生放电。
在汤生放电后期,放电开始进入电晕放电阶段。这时,在
电场强度较高的电极尖端部位开始出现一些跳跃的电晕光环, 因此这一阶段称为电晕放电。
流强度则会伴随有剧烈的增加。这表明,等离子体自身的导电能
力再一次迅速提高。此时,等离子体的分电斑点。此时,气体开
始进入弧光放电阶段。
在弧光放电过程中,阴极斑点会产生大量的焦尔热,并引
起阴极表面局部温度大幅度地升高。这不仅会导致阴极热电子
发射能力的大幅度提高,而且还会导致阴极物质自身的热蒸发。 实际上,电弧蒸发方法即是利用了弧光放电过程中物质的蒸发 现象。
明显的辉光。 电流的继续增加使得辉光区域扩展到整个放电长度上,同时
,辉光的亮度不断提高。当辉光放电区域充满了两极之间的整个
空间之后,在放电电流继续增加的同时,放电电压又开始上升。 上述的两个不同的辉光放电阶段被称为正常辉光放电和异常辉光 放电。
3.1 气体放电现象与等离子体 随着电流的继续增加,放电电压将会再次大幅度下降,而电
1 2
上式表明,鞘层电位正比与电子温度且与离子和电子的质量有关。 在薄膜制备的情况下,鞘层电位的存在意味着任何跨越鞘层而
到达衬底的离子均将受到鞘层电位的加速作用,而获得一定的能量
,并对薄膜表面产生轰击效应;电子则会受到鞘层电位的排斥作用 ,因而只有一些能量较高的电子才能克服鞘层电位的阻碍,轰击薄
膜表面。
气体分子,又产生新的电子和离子;这些新的电子和离子
产生之后......于是新和更新的电子和离子就这样源源不断地 产生出来。
3.1 气体放电现象与等离子体 “帕邢(Paschen)曲线”
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前面讲到气体在正常辉 光放电阶段发生放电击穿
现象,这个放电击穿是有
条件的,条件就是要有一 定的电压。这个电压跟气
现欠余弦分布,即在表 面法线方向上溅射的产
额稍低
3.2 物质的溅射现象 (4)靶材温度对溅射产额的影响
在一定的温度范围
内,溅射产额与靶材温
度的关系不大。但是, 当温度达到一定水平之
后,溅射产额会发生急
剧的上升。
3.2 物质的溅射现象 2、合金的溅射和沉积 溅射法与蒸发法在保持确定的化学成分方面具有巨大差别的
成电路用的Ta膜,开始了它在工业上的应用; 1963年已经制作出全长约10m的连续溅射镀膜装臵;
1965年IBM公司研究出射频溅射法,使绝缘体的溅射镀膜称为
可能; 1974年,J.Chapin使高速、低温溅射镀膜称为现实,并发表了 关于平面磁控溅射装臵的文章。 由于这种溅射装臵的日臻完善和普及,使得溅射镀膜能以崭新 的面貌出现在技术和工业领域。
2
非弹性碰撞可以使电子将大部分能量转移给其它质量较大 的粒子,如离子或原子,引起其激发或电离。电子与其它粒子
的非弹性碰撞过程是维持自持放电过程的主要机制。
3.1 气体放电现象与等离子体 在非弹性碰撞时可能发生许多不同的过程,其中比较有代表 性的是以下几种: (1)电离过程:
e Ar Ar 2e
缓,但电压迅速增加;
•弧光放电:进一步增加功率导致电弧出现,从而放电转化为弧 光放电,气体电导率再次增加,极板间电压再次下降;
3.1 气体放电现象与等离子体 2、辉光放电现象及等离子体鞘层 气体发生辉光放电,意味着部分气体分子开始分解为可以导电 的离子与电子,即形成了等离子体。 等离子体(Plasma)是指由自由电子和带电离子为主要成分的物 质形态,对外表现为中性态。它广泛存在于宇宙中,常被视为物质
运动,形成极微弱的电流; 电压逐渐升高,电离粒子的运动
速度加快,即电流随电压上升而增加
。当电离粒子的速度达到饱和时,电 流不再随电压升高而增加,此时电流 达到了一个饱和值。
3.1 气体放电现象与等离子体 当电压继续升高,离子与阴极之间以及电子与气体分子之
间的碰撞变得重要起来。离子对于阴极的碰撞将使其产生二次
,以提高薄膜的沉积速度。这时,衬底实际上已被浸没在负辉 光区中,法拉第暗区等放电区域也就不会出现了。
3.1 气体放电现象与等离子体
产生等离子体的其它方法:
•交流放电:低频放电、中频放电、射频放
电; •脉冲放电:恒流、恒压; •微波放电:微波及电子回旋共振(ECR); •射频感应耦合等离子体; •介质阻挡放电等离子体; •大气压放电等离子体; •………
3.1 气体放电现象与等离子体 汤生放电阶段之后,气体会突然发生电击穿现象。这时气体
开始具备了相当的导电能力,我们称这种具备了一定的导电能力
的气体称为等离子体。此时,电路中电流大幅度增加,同时放电 电压却有所下降。在这一阶段,气体中导电粒子的数目大量增加
,粒子碰撞过程伴随的能量转移也足够大,因此放电气体会发出
1853年,法拉第在进行气体放电实验时,总是发现放电管
玻璃内壁上有金属沉积现象; 1902年,Goldstein证明上述金属沉积是正离子轰击阴极溅 射出的产物;
概 述
20世纪30年代,已经有人利用溅射现象在实验室中制备薄膜;
60年代初,Bell实验室和Western Electric公司利用溅射制取集
3.1 气体放电现象与等离子体 3、辉光放电过程中电子的碰撞
等离子体中高速运动等电子与其它粒子的碰撞是维持气体放
电的主要微观机制。电子与其它粒子的碰撞有两类。 弹性碰撞:在两个粒子的弹性碰撞过程中,运动着的能量为E1 的粒子1将把部分动能转移给静止着的粒子2,碰撞后粒子2的能 量E2满足如下关系:
3.1 气体放电现象与等离子体
直流电场作用下物质的溅射: 对系统抽真空后,充入适当压力 的惰性气体,如Ar。在正负电极间外 加电压的作用下,电极间的气体原子 将被大量电离。电离过程使Ar原子电
离为Ar+和可以独立运动的电子,其
中的电子会加速飞向阳极,而Ar+则 在电场的作用下加速飞向作为阴极的
靶材,并在与靶材的撞击过程中释放
中,阴极鞘层电位占了
电极间外加电压的大部 分。因此,轰击阴极的 离子具有很高的能量, 并使得阴极物质发生溅 射现象。
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