场效应管识别与检测PPT
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3. 场效应管引脚的识别
场效应管也有三个引脚,分别是栅极(又称控 制极)、源极、漏极3个端子。
场效应管可看作一只普通晶体三极管,栅极G 对应基极b,漏极D对应集电极C,源极S对应 发射极E。
N沟道对应NPN型晶体管,P沟道对应PNP晶 体管。
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3. 场效应管引脚的识别
直接目测识别
G S
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④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,
结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω,绝缘栅 型场效应三极管, RGS约是109~1015Ω。
⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作 用。(相当于普通晶体管的hEF ),单位是mS(毫 西门子)。
⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定,与双极型 三极管的PCM相当。
以防止弯断管脚和引起漏气等。 对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为
功率场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够 的散热器,确保壳体温度不超过额定值,以使器件 长期稳定可靠地工作。
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个人观点供参考,欢迎讨论!
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一、场效应管的种类
场效应管有两种: 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS
结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名; 绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其他电极完全绝 缘而得名。
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一、场效应管的种类
按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各 分N沟道和P沟道两种。
绝缘栅型场效应管与结型场效应管的不同之处 在于它们的导电方式不同。
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五、使用场效应管的注意事项
1.在设计电路时应注意的问题
管子的实际工作条件,不能超过其最大漏极功耗 PDM 、极限漏极电流ID 、最大漏源电压UDSS等参数 的极限值。
要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源 漏之间是P N结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟 道管栅极不能加负偏压,等等。
D漏极
G(栅极)
N PP
两边是P区 导电沟道
S源极
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D漏极
G(栅极)
N PP
N沟道结型场效应管
D
D
G
G
S
S
S源极
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D漏极
G(栅极)
P NN
P沟道结型场效应管
D
D
G
G
S
S
S源极
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绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号
S G D 金属铝 D
两个N区
N
N
P
G
P型基底 SiO2绝缘层
S
导电沟道
N沟道增强型
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⑦ 极限漏极电流ID
是漏极能够输出的最大电流,相当于普通三极管的 ICM , 其值与温度有关,通常手册上标注的是温度 为25℃时的值。一般指的是连续工作电流,若为瞬 时工作电流,则标注为IDM ,这个值通常大于ID 。
⑧ 最大漏源电压UDSS
是场效应管漏源极之间可以承受的最大电压(相当 于普通晶体管的最大反向工作电压UCEO ),有时也 用UDS表示。
常用电子元器件
-场效应管
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写 (FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为 单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、
噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击 穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成 为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
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SG D
N
N
P
预埋了导 电沟道
D G
S
N 沟道耗尽型
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SG D
P
P
N
D
G S
P 沟道增强型
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SG D
P
P
N
预埋了导电沟道
D
G S
P 沟道耗尽型
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三、场效应管的识别与检测
1.场效应管外形的识别
塑料封装场效应管
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金属封装场效应管
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2.场效应管的符号
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2.场效应管的符号
在有些大功率MOSFET管中的G-S极间或D-S极间增 加了保护二极管,以保护管子不致于被静电击穿,这 种管子的电路图符号如图所示。
2 .场效应管的运输与储存
由于输入阻抗极高,在运输、贮藏中必须将引脚短 路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅 极击穿,同时注意防潮。
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3.使用场效应管时必须注意
为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪 器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好接地;
在焊接管脚时,先焊源极; 在连入电路之前,管子的全部引线保持互相短接状
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四、场效应管的主要参数
① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于
开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。
② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时,漏
极电流为零。
③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流
若按导电方式来划分,
绝缘栅型场效应管又可分成耗尽型与增强型。 结型场效应管均为耗尽型。
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场效应晶体管的种类
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET (IGFET) 绝缘栅型
N沟道型
N沟道 P沟道
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二、场效应管的原理
结型场效应管:
一、结构
基底 :N型半导体
G
D
D
S
S
散热片
散热片
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4. 场效应管引脚的检测
1.结型场效应晶体管栅极的判断
2. 场效应晶体管好坏的判断 先用MF10型万用表R*100KΩ挡(内置有15V电池),
把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极 (S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微 偏转。再该用万用表R*1Ω挡,将负表笔接漏极(D), 正表笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说 明场效应管是好的。
态,焊接完后才可把短接线去掉; 从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体
接地(如采用接地环等); 如果能采用静电电烙铁来焊接场效应管是比较方便
的,并且可以确保安全; 不能带电插拔。
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4.场效应管的安装
注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件; 管脚引线在弯曲时,应在距离根部5 mm外进行,