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微机原理与接口技术-第5章课后作业答案PPT课件
解:连接如下图所示。测试程序段如下:
OK
DB
‘OK!’,$
WRONG DB
‘Wrong!’,$
…
MOV
AX, 6100H
MOV
ES, AX
3
MOV
DI, 0
MOV
CX, 1000H
MOV
AL, 55H
REP
STOSB
MOV
DI, 0
MOV
CX, 1000H
REPZ SCASB
JZ
DISP_OK
LEA
DX, WRONG
MOV
AH, 9
INT
21H
HLT
DISP_OK:
LEA
DX, OK
MOV
AH, 9
INT
21H
HLT
4
D0~ D7
8088系统 BUS
A0 A 10
· · ·
MEMW
MEMR
D0~ D7
A0
SRAM 6116
A 10
R/W
CS
OE
D0~ D7
D0~ D7
A0 A 10
· · ·
围为0FE000H~0FFFFFH,RAM的地址范围为0F0000H~0F1FFFH。试利用74LS138译码, 画出存储器与CPU的连接图,并标出总线信号名称。 解:连接如下图所示。
6
D0~ D7
8088系统 BUS
A0 A 12
· · ·
MEMW
MEMR
D0~ D7ຫໍສະໝຸດ 6264A0CS2
+5V
A 12
就是字扩展。 (2)当存储芯片每个单元的字长小于所需内存单元字长时,需要用多个芯片构成满足字长要求
的存储模块,这就是位扩展。 (3)用户在市场上购买内存条进行内存扩充,所做的是字扩展的工作。 5.10 74LS138译码器的接线图如教材第245页的图5-47所示,试判断其输出端Y0#、Y3#、Y5#和
。EPROM用紫外线擦除,EEPROM用电擦除。 。EPROM是整片擦除,EEPROM可以整片擦除,也可以逐个字节地擦除。 5.13 试说明FLASH EEPROM芯片的特点及28F040的编程过程。(不要求) 解: (1)特点是:它结合了RAM和ROM的优点,读写速度接近于RAM,断电后信息又不会丢失。 (2)28F040的编程过程详见教材第222~223页。 5.14 什么是Cache?它能够极大地提高计算机的处理能力是基于什么原理? 解: (1)Cache 是位于CPU与主存之间的高速小容量存储器。 (2)它能够极大地提高计算机的处理能力,是基于程序和数据访问的局部性原理。 5.15 若主存DRAM的的存取周期为70ns,Cache的存取周期为5ns,有它们构成的存储器的平 均存取周期是多少? 解:平均存取周期约为 70×0.1ns + 5×0.9ns =11.5ns。
5.7 设某微型机的内存RAM区的容量位128KB,若用2164芯片构成这样的存储器,需 多少2164芯片?至少需多少根地址线?其中多少根用于片内寻址?多少根用于片选 译码?
解:
(1)每个2164芯片的容量为64K×1bit,共需128/64×8=16片。
(2)128KB容量需要地址线17根。
(3)16根用于片内寻址。
(4)1根用于片选译码。
注意,用于片内寻址的16根地址线要通过二选一多路器连到2164芯片,因为2164芯片 是DRAM,高位地址与低位地址是分时传送的。
5.8 现有两片6116芯片,所占地址范围为61000H~61FFFH,试将它们连接到8088系统 中。并编写测试程序,向所有单元输入一个数据,然后再读出与之比较 ,若出错 则显示“Wrong!“,全部正确则显示”OK!“。
0011 0010 0000 0000 0000 0011 0011 1111 1111 1111 6264芯片的容量为8×8KB,需要13根地址线A0~A12。而剩下的高7位地址应参加该芯片的地址译码。 电路如图所示:
1
8088系统 BUS
D0~D7
A0 A 12
MEMW MEMR
A 19
A 18 A 17 A 16 A 15 A 14 A 13
· ·
·
+5V
&
SRAM 6264
D0~D7
A0 A 12 WE CS 2 OE
CS 1
2
5.5 内存地址从20000H~8BFFFH共有多少字节?
解:共有8BFFFH-20000H+1=6C000H个字节。或432KB。
5.6 若采用6264芯片构成上述的内存空间,需要多少片6264芯片?
解:每个6264芯片的容量位8KB,故需432/8=54片。
MEMW
A0
A 10 R/W
MEMR
&
G1
OE
CS
A 18 A 17
&
G 2B
Y2
A 19 A 16 A 15
≥1
G 2A
A 14
LS138
Y3
A 13
C
A 12
B
A 11
A
5
5.9 甚什么是字扩展?什么是位扩展?用户自己购买内存条进行内存扩充,是在进行何种存储 器扩展?
解: (1)当存储芯片的容量小于所需内存容量时,需要用多个芯片构成满足容量要求的存储器,这
第5章 存储器系统
5.1 内部存储器主要分为哪两类? 它们的主要区别是什么? 解: (1)分为ROM 和 RAM 。 (2)它们之间的主要区别是:
。ROM在正常工作时只能读出,不能写入。RAM则可读可写。 。断电后,ROM中的内容不会丢失,RAM中的内容会丢失。 5.2 为什么动态RAM需要定时刷新? 解:DRAM的存储元以电容来存储信息,由于存在漏电现象,电容中存储的电荷会逐渐泄漏,从而使信息丢失或出 现错误。因此需要对这些电容定时进行“刷新”。 5.3 CPU寻址内存的能力最基本的因素取决于___________。 解:地址总线的宽度。 5.4 试利用全地址译码将6264芯片接到8088系统总线上,使其所占地址范围为32000H~33FFFH。 解:将地址范围展开成二进制形式如下图所示。
Y7#所决定的内存地址范围。 解:因为是部分地址译码(A17不参加译码),故每个译码输出对应2个地址范围: Y0#:00000H ~ 01FFFH 和 20000H ~ 21FFFH Y3#:06000H ~ 07FFFH 和 26000H ~ 27FFFH Y5#:0A000H ~ 0BFFFH 和 2A000H ~ 2BFFFH Y7#:0E000H ~ 0FFFFH 和 2E000H ~ 2FFFFH 5.11 某8088系统用2764 ROM芯片和6264 SRAM芯片构成16KB的内存。其中,ROM的地址范
WE
CS1
OE
D0~ D7
A0 A 12
· · ·
D0~ D7 A0 A 12
2764
MEMR
OE
CE
A19
G1
A 18 A 17
&
A 16
A 15 A 14 A 13
G 2B
Y0
G 2A
LS138
Y7
C
B
A
7
5.12 叙述EPROM的编程过程,并说明EPROM和EEPROM的不同点。 (不要求) 解: (1)对EPROM芯片的编程过程详见教材第215~217页。 (2)EPROM与EEPROM的不同之处为: