《微电子工艺》考试（开卷）
1、简述三维集成技术的优、缺点，及其应用领域？(15’)
1)优：互联线更短、低功耗、速度高、所占平面面积小、引脚少
2)缺：制造工艺复杂、成本高、不易散热
3)应用：成像传感器、存储器、处理器
2、简述BOSCH刻蚀工艺原理？(15’)
BOSCH刻蚀为时分复用刻蚀。

1)各自同性刻蚀，SF6等离子体现各项同性刻蚀，刻蚀循环7-16s；
2)保护：C4F8生成类似Teflen的氟碳化合物高分子膜（-CF2-）n保护循环5-15s；
3)刻蚀温度：液氮冷却40℃；
4)电感耦合等离子：ICP产生等离子体，平板电极加速离子；
5)气体切换系统；
6)刻蚀掩膜；
7)侧壁；
8)刻蚀速率。

3、简述光刻的主要工艺步骤，并配图说明？(15’)
1)涂光刻胶
2)对准与曝光
3)显影
4)刻蚀
5)去除光刻胶
4、简述常压CVD工艺在Si表面淀积SiO2膜时，与热氧化工艺的
不同之处是？(15’)
1)CVD法SiO2膜中的硅来自外加的反应气体，而热氧化法SiO2膜中的硅来自硅衬底
本身，氧化过程中需消耗掉一部分衬底中的硅；
2)CVD法德反应发生在SiO2膜表面，膜厚与时间始终成线性关系。

而在热氧化法中，
一旦SiO2膜形成后，反应剂必须穿过SiO2膜，反应发生在SiO2/Si界面上；
3)CVD法温度较低，但膜质量较差，通常需经增密处理，而热氧化法湿度高，SiO结
构致密，掩膜性能良好。

5、参考PMOS晶体管的制造工艺流程，绘制NMOS晶体管的制造工
艺流程，并给予简要说明。

(30’)。