图形转移工艺
淀积薄膜
匀胶、前烘
紫外光 掩模版
曝
光
显影、坚膜 腐
衬底
蚀 胶
去
紫外光
掩膜版
正胶
正胶和负胶
负胶
↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓
↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓
Si
Si
匀胶 正胶感光区域 溶于显影液
曝光
显影 负胶未感光区 域溶于显影液
光学曝光的三种曝光方式
接触式曝光
接近式曝光
投影式曝光
接触式曝光
接触式曝光是掩膜板直接同光刻胶接触，它
4.1 CVD法制作SiO2薄膜
APCVD、LPCVD、PECVD或溅射
等方式都可以得到SiO2薄膜。这种制作二 氧化硅薄膜的方法同硅的热氧化制作二氧 化硅有着本质上的区别：前者是同衬底材 质没有关系，二氧化硅是淀积到衬底上去 的；后者是硅衬底直接同氧或水在高温下 进行化学反应生成二氧化硅。
采用LPCVD、PECVD或溅射等方式制作薄
靶 E +
～
C
载片台 直流溅射 射频溅射
5.2 PECVD
PECVD是让两种反应气体在衬底 表面发生化学反应，如：PECVD淀积 Si3N4 。
3SiH4 ＋ 4NH3 → Si3N4 ＋ 12H2
它的化学反应同LPCVD完全一样， 差别就是反应的温度不同。
溅射同PECVD的差别
RF电源
C
E
～
长的 SiO2 膜，但它具有生长速率快的优点， 其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件 的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使 SiO2 膜与光刻胶接触不良，光刻时容易浮 胶。同时，湿氧氧化后的 Si 片表面存在较 多的位错和腐蚀坑。
在实际工艺应用中，生长高质量的几 百Å 的SiO2薄膜一般采用干氧的方式。 SiO2薄膜厚度需要几千Å以上时，一般采 用干氧—湿氧—干氧的方式，既保证了所 需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表 面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。 ●热氧化生长的SiO2薄膜质量好，但是反 应温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。
关于考试
1. 闭卷考试； 2. 考试时间（等通知） 3. 考试地点（等通知） 4. 需要携带计算器，画图时可用直尺也可不用。
2. 离子注入
离子注入的优点
● 离子注入可以通过分别调节注入离子
的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和 浓度，所以可以制备理想的杂质分布。
●
扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及 固溶度等方面的限制，而离子注入是一个物 理过程，所以它可以注入各种元素。
●
扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺杂一 般在室温下进行（也可以在加温或低温下进 行）。
Si3N4作为硅片高温局部氧化的掩蔽层
Si3N4 膜
匀胶、曝光、显影、 坚膜、刻蚀Si3N4
去胶、清洗、 场区氧化1μm
Si3N4作为硅片湿法腐蚀的掩蔽膜
Si3N4
〈 100〉/ 〈111〉的腐蚀比达400：1
Si3N4作为硅芯片的保护膜
钝化层
铝焊盘
P+
N
P+
N+
P
N+
N WellP Well复 Nhomakorabea习
1. 高温氧化工艺
1.1 硅的热氧化 硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧 气或水进行反应，生成SiO2 。 硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三 种。
1.2 硅热氧化的厚度计算
如果氧化前已存在厚度为 t0 的氧化层，则（3-11） 微分方程的解为：（tOX ：是总的氧化层厚度）
tOX AtOX Bt
膜的最大优点是工作温度比较低，其中LTO 的
工作温度是620℃左右， PECVD方式淀积SiO2
的温度可以在200 ℃以下。不同的淀积方式、用
不同的源淀积的SiO2在密度、折射率、应力、介
电强度、台阶覆盖和腐蚀速率等各方面性能上都 有很大差别。溅射方式制作SiO2薄膜 的温度低、 质量好，但是效率低、成本高。
3. 光刻工艺
光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶两种： 正胶是感光部分显影时溶解掉，负胶则相反。
光刻胶应该具有以下基本性能： 灵敏度高；分辨率高；同衬底有很好的粘附性， 胶膜表面沾性小；胶膜致密性好，无针孔；图形 边缘陡直，无锯齿状；显影后留膜率高，不留底 膜或其它颗粒物质；在显影液和其它腐蚀剂里抗 蚀性强、抗溶涨性好；去胶容易，不留残渣； 底膜是指显影后还有一层薄薄的胶。
●
离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避免有 害物质进入硅片。 热扩散时只能采用SiO2 等少数耐高温的介质 进行局部掺杂，但是离子注入法可以采用光 刻胶作为掩蔽膜，进行局部注入掺杂。 热扩散时，杂质在纵向扩散的同时进行横向 扩散，两者几乎一样，而离子注入的横向扩 散很小。
●
●
电流积分仪
在离子注入机中，利用电流积分仪测量 注入的离子总数N：
LIGA技术
剥离技术（Lift Off）
4. 薄膜工艺
膜的工艺要求
● 好的台阶覆盖（step coverage）能力。 ● 填充高的深宽比间隙的能力。 ● 好的厚度均匀性。 ● 高纯度和高密度。 ● 受控制的化学剂量。 ● 高度的结构完整性和低的膜应力。
● 好的电学性能。 ● 对衬底材料或下层膜好的粘附性。
靶
载片台 反应气体 真空泵
射频溅射
PECVD
溅射通常使用Ar气，荷能正离子把靶 材上的原子溅射到硅片上，而PECVD是 两种反应气体在等离子体中分解为具有高
活性的反应粒子，这些活性反应粒子在衬
底表面发生化学反应生成薄膜。
5.3 等离子体刻蚀
物理方法干法刻蚀是利用辉光放电 将惰性气体，例如氩气（Ar），解离成 带正电的离子，再利用偏压将离子加速，
N NS S
Q q

1
q
t
idt
（6 - 8）
0
式中：NS 单位面积的注入剂量（个/cm2 ），S 是扫描
面积（cm2 ），q 是一个离子的电荷（1.6×10-19库仑），
Q 是注入到靶中的总电荷量（库仑），i是注入的束流
（安培），t 是注入时间（秒）。
如果束流是稳定的电流I，则： It NS S （6 - 9） q
2
（4- 12）
式中
1 1 A 2D hg kS
B
2 DHPg N1
（3- 13）

t0 At0
2
B 在各种工艺条件下，参数A和B都是已知的，t 是氧化 时间。τ 是一个时间参数，单位是小时（h）。
3.2 热氧化原理和方法
硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧 是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生 成SiO2 。 O2 SiO2 反应 扩散 Si Si + O2 = SiO2
P型硅 （100）5-50Ω-cm
不同材料的阻钠能力
钝化结构
可动离子 密度(/ cm2) SiO2 /Si PSG /SiO2 /Si Si3N4 /Si Si3N4 / SiO2 / Si
＞1013
4.3×1012 6.5×1010 6.6×1010
虽然Si3N4/Si结构具有最好的阻钠能力，实 际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密 度，所以都采用Si3N4/ SiO2/ Si 结构。
轰击被刻蚀物的表面，并将被刻蚀物材
料的原子击出。整个过程完全是物理上
的能量转移，所以称为物理性刻蚀。
物理方法干法刻蚀同溅射的差别
靶
阳极（或离子源）
阴极
+
载片台
Ar
RF
抽真空
直流溅射
物理干法刻蚀
RIE同PECVD的差别
RIE是反应离子刻蚀，它依靠低压刻蚀气体 在电场加速作用下辉光放电而生成带电离子、分 子、电子以及化学活性很强的原子团，这些原子 团扩散到被刻蚀材料表面，与被刻蚀材料表面原 子发生化学反应，形成挥发性的反应产物并随气 流被真空泵抽走，从而实现刻蚀。而PECVD是 两种反应气体在等离子体中分解为具有高活性的 反应粒子，这些活性反应粒子在衬底表面发生化 学反应生成薄膜。衬底需要加热。
5. 等离子体加工技术小结
5.1 溅射 根据采用的电源种类，等离子体溅射 有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。 直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用 正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上 的原子溅射到阳极的硅片上。
如果靶材是绝缘介质或导电靶上受绝 缘介质污染时，相当于在等离子体与阴极 之间有一个电容器，采用直流电源实现溅 射存在困难，所以对于绝缘靶的溅射一般 采用射频（RF）电源，但是它必须要在硅 片与靶之间加一个直流偏压。
4.3 铝布线的优缺点
优点
■ 同硅或多晶硅能形成欧姆接触
■ 电阻率能满足微米和亚微米电路的要求
■ 与 SiO2 有良好的附着性
■ 台阶的覆盖性好 ■ 易于淀积和刻蚀 ■易于键合 ■能长期工作
缺点
■ 在大电流密度下容易产生金属离子
电迁移现象，导致电极短路。
■ 铝硅之间容易产生“铝钉”，深度可
达1μm，所以对于浅结工艺很容易造 成PN结短路。
注入离子的激活
注入的离子在硅单晶中往往处于间
隙位置，一般不能提供导电性能，因此，
必须要使注入的杂质原子转入替位位置
以实现电激活。
离子注入后的热退火
高能粒子撞击硅片表面，造成晶格损
伤，因此为了消除离子注入造成的损伤和
激活注入的杂质离子，离子注入后必须要
进行热退火。最常用的是在950℃高温炉
中在氮气保护下，退火15～ 30分钟。热退 火后对杂质分布将产生影响，LSS理论的 射程RP和标准偏差ΔRp 要作修正。
具有设备简单、分辨率高的优点。它分成真空接
触、硬接触和软接触三种方式，其中真空接触具