详解TSV（硅通孔技术）封装技术
硅通孔技术（Through Silicon Via，TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。

TSV 技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。

硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/ 电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。

基于TSV 技术的3D 封装主要有以下几个方面优势：
1）更好的电气互连性能，
2）更宽的带宽，
3）更高的互连密度，
4）更低的功耗，
5）更小的尺寸，
6）更轻的质量。

TSV 工艺主要包括深硅刻蚀形成微孔，绝缘层/阻挡层/种子层的沉积，
深孔填充，化学机械抛光，减薄、pad 的制备及再分布线制备等工艺技术。

主要工艺包括几个部分：
（1）通孔的形成；
（2）绝缘层、阻挡层和种子层的淀积；
（3）铜的填充（电镀）、去除和再分布引线（RDL）电镀；
（4）晶圆减薄；
（5）晶圆／芯片对准、键合与切片。

TSV 深孔的填充技术是3D 集成的关键技术，也是难度较大的一个环节，。