KINGTIGER（金泰克） leadmax（超胜科技）
KINGBOX（黑金刚）
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Samsung（三星）
Kingmax（胜创）
Kingston（金士顿）
《计算机维修技术》
第7章 内存故障维修 教学目标：
通过本章的学习，学生将了解内存的类 型、特点以及发展历史，掌握内存维修的原 则和方法。
教学重点与难点:
• 存储器的分类 • 内存条的组成 • 内存条的主要技术性能
7.1 内存的发展与类型
DDR SDRAM（双数据率同步动态随机存储器） DDR内存在SDRAM基础上改进了技术。DDR SDRAM在时钟 脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据，在不提高时钟频率的情 况下，使数据传输率提高了一倍。
(1)内存时钟周期（tCK）：值越小内存数据存取速度越快。 (2)数据存取时间（tAC）：值越小存取速度越快。 (3)列地址选择延迟（CL）：一般有CL2、CL2.5、CL3等。 (4)RAS相对CAS的延迟（tRCD）：值越小内存速度越快。 (5)行预充电有效周期（tRP）：值越小内存速度越快。 (6)预充电最短周期（tRAS）：值越小内存速度越快。 (7)突发长度（BL）：执行一个寻址周期后，连续读写几个数据， 这就是突发周期。 内存突发长度BL一般为4或8，对于显存BL为128～256。
·DDR内存在每个时钟周期中可以存取2个数据； ·DDR内存数据传输频率为200～400MHz； ·DDR芯片容量为128Mbit～1Gbit； ·DDR采用SSTL信号标准，电压为2.5V； ·DDRII内存增加到4个数据。 ·DDRII提高到400～800MHz。 ·DDRII芯片容量为256Mbit～2Gbit。 ·DDRII采用SSTL2信号标准，电压为1.8V。 ROM的类型 (1)EPROM：可以多次写入数据，写入数据时需要专用设备。 (2)EEPROM：保存数据不需电池，数据存储长达十年之久。 (3)Flash ROM：也称为Flash Memory，可在不加电下长期保存 信息。Flash ROM普遍用作BIOS芯片，存储容量有1Mbit、 2Mbit、4Mbit等类型。
超胜 1GB DDRII800 内存类型：DDRII 适用机型：台式机内存 内存容量：1024MB 工作频率（MHz）：800MHz 价格：265元 金士顿 1G DDRII800 内存类型：DDRII 适用机型：台式机内存 内存容量：1024MB 工作频率（MHz）：800MHz 价格：630元
SPD芯片 从PC100内存标准开始，内存条上就带有SPD芯片。内存条制 造商将该内存条的基本技术参数预先写入这个SPD芯片。 SPD芯片记录了内存芯片的速度、工作频率、芯片容量、工作 电压、行、列地址、带宽、CL、tRCD、tRP、tAC等参数。 内存条插座
7.4 内存条主要技术性能
内存条技术规范 内存主要有JEDEC组织和英特尔公司两种技术规范。 内存规范有PC100～PC5300等。 规范规定了内存类型、工作频率、传输带宽等技术参数。 内存条速度技术指标 一是提高内存工作的时钟频率，二是尽量减少各种内存操作过 程中的延时。 内存数据读写的延迟一般用“A-B-C-D”的形式表示，它们分别 对应的参数是：CL-tRCD-tRP-tRAS。 例：“2-2-2-5”，第1个数字代表CL周期为2；第2个数字代表 tRCD周期为2；第3个数字代表tRCD周期为2；第4个数字代表 tRAS周期为5。
内存条带宽技术指标 内存带宽是数据在内存总线上的最大传输量，它与内存时钟频 率、总线宽度、一个时钟周期内传输数据的次数有关，一般以 GB/s为单位，内存带宽的计算下式如下： 内存带宽＝内存时钟频率×总线宽度/8×一个时钟周期内传输 的数据包个数 内存条可靠性技术指标 奇偶校验可以发现数据错误，但是它不能纠正数据错误。 ECC校验能够纠正一个字节中的一位数据生的错误。 例：
7.5 内存故障案例分析
【案例7.1】：内存质量不佳，导致Windows XP不能安装。 故障现象：一台使用Windows 98系统的微机，计划升级成 Windows XP操作系统。开始安装还比较顺利，可是当安装程 序检查完硬盘以后，在复制文件时，系统提示找不到某一个安 装文件，就是按“Esc”键跳过这个文件，接下来安装中还是提 示 有文件找不到，只能按F3键退出安装。更换了光驱和Windows XP的安装光盘以后，故障依旧。 【案例7.2】：内存质量不佳，导致主机启动异常。 故障现象：一台兼容机，将内存升级为PC133 128MB后出现故 障，表现为第一次开机无任何反应，必须重新开机或复位后系 统才能启动，此后系统正常工作，关机一段时间之后，下次重
7.2 内存芯片工作原理
存储细胞由晶体管和电容组成，可以保存一位二进制数。 DRAM存储细胞电路原理
· 在DRAM存储细胞电路中，晶体管M的作用是一个开关器件， 它控制着数据输入线D端到存储电容CS之间的电流通断。当晶 体管M处于闭合（ON）状态时，数据线D端到存储电容CS之间 是连通的。当晶体管M处于断开（OFF）状态时，数据线D端 到存储电容CS之间不能连通。可见晶体管开关M控制着电容CS 的充电和放电。 · 电路中存储电容 CS 的作用是保存数据，当电容 CS 中充有电荷 时， 存储器为逻辑“1”状态，当电容CS中没有电荷时，存储器为逻 辑“0”状态。 · 字线WL的作用是控制晶体管M的开关状态，当WL=1时，晶 体管M处于闭合（ON）状态，这时允许在数据线D端进行写 或读操作。当WL=0时，晶体管M处于断开（OFF）状态，这 时数据线D端的信号不能写入或读出，DRAM保持电路的原来 状态。 · 数据线D也称为“位线”，他是数据位写入或读出的端点。
新开机故障依旧。
内存选购： 现代 256MB DDRII533 内存类型：DDRII 适用机型：台式机内存 内存容量：256MB 工作频率（MHz）：533MHz 价格：95元 宇瞻 512MB DDRII800 内存类型：DDRII 适用机型：台式机内存 内存容量：512MB 工作频率（MHz）：800MHz 价格：145元
7.3 内存条的基本组成
内存条由内存颗粒芯片、内存序列检测芯片（SPD）、ECC校 验芯片（部分内存条有）、印刷电路板（PCB）、贴片电阻、 贴片电容、金手指等部分组成。目前市场上主要有DDR SDRAM、RDRAM、SDRAM三种技术规范的内存条，它们的 工作方式不同，互相不能兼容，但是外观形状大同小异。
SRAM存储单元工作原理 SRAM存储细胞（Cell）的工作原理类似于一 个开关，当接通开关时，相当于“ 1” 状态， 当 关闭开关时，相当于“ 0” 状态。如果不去改 变 开关，它就保持上次的状态。 静态存储器SRAM经常用来设计高速缓存 （Cache）存储单元。
SRAM存储细胞中的每一位，都是由4～6个 CMOS晶体管构成，因此保存一个字节的数 据，需要8个这样的存储单元，也就是说需要 32～48个CMOS晶体管。