(此文档为word格式,下载后您可任意编辑修改!)银笛(扬州)微电子有限公司年产300万单晶硅抛光片、60万硅外延片项目环境影响报告书(简本)银笛(扬州)微电子有限公司2006年9月目录1总论11.1任务由来11.2评价目的11.3编制依据21.4评价原则41.5评价重点51.6评价因子51.7评价等级51.8评价范围61.9评价工作技术路线7 2建设项目周围地区环境概况82.1自然环境概况82.2社会环境状况132.3经济开发区总体规划132.4开发区环境功能区划182.5评价标准182.6建设项目环境保护目标20 3工程分析223.1本项目概况223.2生产工艺流程及原辅料能源消耗273.3主要生产、公用及贮运设备353.4公用工程353.5污染源分析37 4污染防治措施504.1大气污染防治措施评述504.2水污染防治措施评述524.3噪声污染防治措施评述564.4固体(废液)污染防治措施评述564.5非正常排放防范措施574.6绿化574.7排污口规范化设置594.8环保投资及“三同时”59 5清洁生产与循环经济分析625.1产业政策相符性分析625.2清洁生产625.3循环经济64 6环境质量现状评价656.1大气环境质量现状监测与评价656.2地表水环境质量现状监测及评价67 7环境影响预测及评价727.1大气环境影响预测及评价727.2地表水环境影响分析857.3声环境影响分析857.4固废环境影响分析87 8施工期环境影响分析与防治888.1施工期环境影响分析888.2施工期环境影响防治89 9总量控制分析929.1总量控制要求929.2总量控制原则929.3总量控制因子929.4总量控制指标929.5总量平衡方案93 10环境风险评价9410.1风险评价等级的确定9410.2风险识别9510.3源项分析9610.4事故防范9710.5结论101 11项目厂址可行性分析10211.1项目选址与规划相容性10211.2项目选址与评价区域的环境质量现状的相容性分析10211.3本项目实施后对周围环境的影响103 12公众参与10412.1建设项目环评公众参与公示10412.2公众意见问卷调查104 13环境经济损益分析10913.1经济效益分析10913.2社会效益分析10913.3环境效益分析109 14环境管理与监控计划11114.1环境管理11114.2环境监控计划11214.3排污口规范化设置11315结论与建议11515.1结论11515.2建议1191总论1.1任务由来新加坡银笛科技(控股)私人股份有限公司,经过多年的攻关,攻克了功率场控器件用高阻厚外延和亚微米、深亚微米CMOS器件薄层外延制造技术,该成果得到了国家相关部委及高科技产品认定中心的认定。
新加坡银笛科技(控股)私人股份有限公司已在上海金桥出口加工区投资建设了外延片的生产基地,由于现目前国内半导体材料市场严重供不应求,为了满足国内外半导体市场的需求,决定在江苏省仪征经济开发区投资设立银笛(扬州)微电子有限公司,年产300万硅抛光片、60万硅外延片,主要生产4~12英寸的硅抛光片以及6~8英寸的硅外延片。
本项目的建设有利于加速集成电路芯片主要材料的国产化进程。
按照《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国环境影响评价法》和《建设项目环境保护管理条例》的有关规定,应当在工程项目可行性研究阶段对该项目进行环境影响评价。
为此,银笛(扬州)微电子有限公司于2006年8月委托苏州工业园区新东方环境保护科学研究所承担该项目环境影响报告书的编制工作。
我单位接受委托后,即认真研究该项目的有关资料,并踏勘现场的社会、自然环境状况,调查、收集有关工程现有状况及拟建项目资料,通过对项目所在区域的环境特征和本项目的工程特征进行深入分析,编写了环境影响报告书。
通过环境影响评价,了解建设项目周围的环境状况,预测建成后对周围水气声环境的影响程度和范围,并提出防治污染措施,减缓建设项目对周围环境的影响,为建成后的环境管理提供科学依据。
2主要环境保护目标表2-1环境保护目标3本项目概况(a)本项目名称、建设地点、建设性质、投资总额、环保投资项目名称:银笛(扬州)微电子有限公司年产300万单晶硅抛光片、60万硅外延片项目建设地点:江苏省仪征经济开发区新区建设性质:外商投资新建投资总额:新建项目投资总额8000万美元,其中环保投资576万元(b)本项目建设内容银笛(扬州)微电子有限公司向仪征市高新技术开发区提出生产、办公用房及生产设施的建设要求,仪征市经济开发区按要求建造厂房及相应的设施,然后租赁给银笛(扬州)微电子有限公司使用。
租用厂房面积约48680㎡,包括外延片生产厂房、抛光片生产厂房、综合动力站、化学品库、办公楼、门卫等。
设施主要包括供水系统、循环冷却水系统、纯水系统、变配电系统、应急电源、通信信息及生命安全系统、空调净化系统、压缩空气系统、制冷及供热系统、环保设施(废水处理站、废气处理设施)、消防设施、劳动保护安全设施以及室外工程等。
项目主体工程与设计能力情况见表3-1,公用及辅助工程的组成见表3-2。
表3-1 项目主体工程与设计能力(c)占地面积、厂区布置占地面积:本项目总占地面积133334m2,所占土地为仪征经济开发区新区高新技术产业用地。
厂区布置:厂区包括生产用房、办公楼、辅助生活设施、甲类化学品仓库、仓库、成品仓库、气体供应站、综合动力站及发展预留用地等(d)职工人数、工作制度职工人数:公司职工总人数220人,其中技术人员160人。
工作制度:预计年工作日355天,每天工作24小时,年工作时数为8520小时。
3.2生产工艺流程及原辅料能源消耗(a)生产工艺流程一、单晶硅抛光片制作生产工艺流程具体介绍如下:固定:将单晶硅棒固定在加工台上。
切片:将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。
此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。
此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
分档检测:为保证硅片的规格和质量,对其进行检测。
此处会产生废品。
研磨:用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。
此过程产生废磨片剂。
清洗:通过有机溶剂的溶解作用,结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。
此工序产生有机废气和废有机溶剂。
RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
具体工艺流程如下:SPM清洗:用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液,SPM溶液具有很强的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液,并将有机污染物氧化成CO2和H2O。
用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。
此工序会产生硫酸雾和废硫酸。
DHF清洗:用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。
此过程产生氟化氢和废氢氟酸。
APM清洗:A PM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成,硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。
此处产生氨气和废氨水。
HPM清洗:由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM,用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。
此工序产生氯化氢和废盐酸。
DHF清洗:去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。
磨片检测:检测经过研磨、RCA 清洗后的硅片的质量,不符合要求的则从新进行研磨和RCA 清洗。
腐蚀A/B :经切片及研磨等机械加工后,晶片表面受加工应力而形成的损伤层,通常采用化学腐蚀去除。
腐蚀A 是酸性腐蚀,用混酸溶液去除损伤层,产生氟化氢、NO X 和废混酸;腐蚀B 是碱性腐蚀,用氢氧化钠溶液去除损伤层,产生废碱液。
本项目一部分硅片采用腐蚀A ,一部分采用腐蚀B 。
分档监测:对硅片进行损伤检测,存在损伤的硅片重新进行腐蚀。
粗抛光:使用一次研磨剂去除损伤层,一般去除量在10~20um 。
此处产生粗抛废液。
精抛光:使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度,一般去除量1 um 以下,从而的到高平坦度硅片。
产生精抛废液。
检测:检查硅片是否符合要求,如不符合则从新进行抛光或RCA 清洗。
检测:查看硅片表面是否清洁,表面如不清洁则从新刷洗,直至清洁。
包装:将单晶硅抛光片进行包装。
二、硅外延片制作生产工艺流程具体介绍如下:纯水洗:简单清洗,去除硅衬底材料表面的表面杂质。
外延生长:外延炉经氯化氢和氮气吹扫清洗后,通入SiHCl 3和H 2,为了满足硅片的电学性能,还要掺入50ppm 的特种气体PH 3或B 2H 6,红外加热至1100~1200℃下,通过化学气相沉积法在硅衬底材料上生长一层与衬底材料具有相同晶格排列的单晶硅,形成单晶硅外延片。
有99% 的SiHCl 3、PH 3、B 2H 6参加反应。
此工序产生的废气主要是氯化氢,还有一些没有反应的PH 3、B 2H 6和SiHCl 3;外延炉的石墨基座和石英夹套需要定期更换,产生废石英和废石墨。
具体反应如下:↑+↓−−−→−+3HCl S i H S iHCl 1200~110023℃↑+↓−−−→−21200~110033H 2P 2PH ℃↑+↓−−−→−21200~1100623H 2B H B ℃SPM 清洗:去除硅片表面的杂质。
此处产生硫酸雾和废硫酸。
碱洗:去除上一道工序在硅片表面形成的氧化膜。
测试检验:测量外延层厚度和电特性参数、片内厚度和电特性均匀度、片与片间的重复性及杂质颗粒等是否符合相应的指标。
此处会产生一些废品。
真空包装:通过工艺真空系统对产品进行真空包装。
外延炉石英管清洗:在外延生长中会在外延炉的石英管上沉积一些杂质。
(b)主要原辅料及能源消耗主要原辅料、能源消耗见表3-3。
3.3主要生产、公用及贮运设备项目主要的生产、公用、贮运设备见表3-5。
3.4公用工程(a)供电项目用电由开发区110KV的变电所提供,日用电量约153600kwh。
(b)供水项目供水由开发区的给水管网提供,开发区内建有日供水能力20万吨的自来水厂二座。
(c)供热为了满足生产工艺中对热源的需要以及解决冬天的采暖问题,本项目采用蒸汽供热,年消耗的蒸汽10万吨有开发区的供热管网提供。
(d)纯水制备项目设有一套超纯水制备设施,其制备能力为110t/h,根据生产需要每天制备纯水2099.8t/d,产生的浓水和反冲洗水642t/d作为清下水排放,其超纯水制备工艺流程如下:(e)排水项目采用雨污分流、清污分流的排水体制。